Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4PH50U, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max45A
Voltage, Vce Sat Max3.7V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247
Current, Icm Pulsed180A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max500ns
Time, Rise15ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo1200V


IRG4PH50U, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PH50U

Наименование IRG4PH50U
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 11945
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4PH50U, доступные на складе

  • Изображение  IRG7PH35UDPBF

    IRG7PH35UDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

  • Изображение  IRG4PH50UPBF

    IRG4PH50UPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 1200V, 45A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:45A; Voltage, Vce Sat Max:3.7V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:180A; Pins, No.…

Изображения IRG4PH50U

IRG4PH50U, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH50U, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
260,00 руб
от 6 шт. 228,00 руб
от 16 шт. 195,00 руб
от 35 шт. 179,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом