Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4PH50U, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max45A
Voltage, Vce Sat Max3.7V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247
Current, Icm Pulsed180A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max500ns
Time, Rise15ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo1200V


IRG4PH50U, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PH50U

Наименование IRG4PH50U
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 11945
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4PH50U, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PH50UPBF

    IRG4PH50UPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 1200V, 45A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:45A; Voltage, Vce Sat Max:3.7V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:180A; Pins, No.…

  • Изображение  IRG7PH35UDPBF

    IRG7PH35UDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

Изображения IRG4PH50U

IRG4PH50U, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH50U, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
219,00 руб
от 16 шт. 188,00 руб
от 35 шт. 172,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом