Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFIBC40G, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N FULLPAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont3.5A
Resistance, Rds On1.2ohm
Case StyleTO-220 Fullpak
Current, Idm Pulse14A
Pins, No. of3
Power Dissipation40W
Power, Pd40W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max600V


Параметры IRFIBC40G

Наименование IRFIBC40G
Производитель VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул 11766
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

Аналоги IRFIBC40G, доступные на складе

  • Изображение  IRFIBC40GPBF

    IRFIBC40GPBF
    VISH/IR

    MOSFET, N, 600V, 3.5A, TO-220FP; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:600V; Current, Id Cont:3.5A; Resistance, Rds On:1.2ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220FP; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:14A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
71,00 руб
от 50 шт. 61,00 руб
от 100 шт. 56,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом