Терраэлектроника

IRG4BC30F, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max31A
Voltage, Vce Sat Max1.9V
Power Dissipation100W
Case StyleTO-220
Current, Icm Pulsed120A
Pins, No. of3
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max180ns
Time, Rise15ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC30F, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC30F

НаименованиеIRG4BC30F
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул11395
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4BC30F, доступные на складе

  • Изображение  IRG4BC30FPBF

    IRG4BC30FPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:31A; Voltage, Vce Sat Max:1.9V; Power Dissipation:100W; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:120A; Pins, No.…

Изображения IRG4BC30F

IRG4BC30F, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC30F, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC30F, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
131,50 руб
от 11 шт. 115,00 руб
от 32 шт. 98,50 руб
от 70 шт. 90,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом