Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4BC30FD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max31A
Voltage, Vce Sat Max1.9V
Power Dissipation100W
Case StyleTO-220
Current, Icm Pulsed120A
Pins, No. of3
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max160ns
Time, Rise26ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC30FD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC30FD

Наименование IRG4BC30FD
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 11391
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4BC30FD, доступные на складе

  • Изображение  IRG4BC30FDPBF

    IRG4BC30FDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 600V, 31A, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:31A; Voltage, Vce Sat Max:1.9V; Power Dissipation:100W; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:120A; Device Marking:IRG4BC30FDPBF; Pins, No.…

Изображения IRG4BC30FD

IRG4BC30FD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC30FD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC30FD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
168,00 руб
от 9 шт. 147,00 руб
от 24 шт. 126,00 руб
от 50 шт. 116,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом