Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4PC50FD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max70A
Voltage, Vce Sat Max1.7V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247
Current, Icm Pulsed280A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max140ns
Time, Rise25ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4PC50FD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PC50FD

Наименование IRG4PC50FD
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 11383
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4PC50FD, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PC50FD-EPBF

    IRG4PC50FD-EPBF
    INFIN

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

  • Изображение  IRG4PC50FDPBF

    IRG4PC50FDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:70A; Voltage, Vce Sat Max:1.7V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:280A; Pins, No.…

Изображения IRG4PC50FD

IRG4PC50FD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PC50FD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
325,00 руб
от 5 шт. 284,00 руб
от 13 шт. 244,00 руб
от 25 шт. 224,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом