Терраэлектроника

M27C1001-10F1, STMicroelectronics

Электрически программируемая ИМС памяти EPROM с УФ стиранием. Емкость 1 МБит (128Кбх8). В корпусе FDIP32W. Время обращения 100 нс. Напряжение питания +5 V +/-10%. Температурный диапазон 0/+70 С.


M27C1001-10F1, STMicroelectronics

Параметры M27C1001-10F1

НаименованиеM27C1001-10F1
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул11313
Организация памяти
Uпит, В
Время доступа, нс
Iпотр/Istnb мА/мкА
Температурный диапазон, °С

Аналоги M27C1001-10F1, доступные на складе

  • Изображение  M27C1001-12F6

    M27C1001-12F6
    ST

    Электрически программируемая ИМС памяти EPROM с УФ стиранием. Емкость 1 МБит (128Кбх8). В корпусе FDIP32W. Время обращения 120 нс. Напряжение питания +5 V +/-10%. Температурный диапазон -40/+85 С.

  • Изображение  TMS27C010A-15JL

    TMS27C010A-15JL
    TI

    1 048 576-Bit Programmable Read-Only Memory 32-CDIP 0 to 70

  • Изображение  M27C1001-12F1

    M27C1001-12F1
    ST

    Энергонезависимая память - [DIP-32-C]; Тип: EPROM UV; Интерфейс: параллельный; Объём: 1 Мбит; Организация: 128Kx8; Скорость: 120ns; Напряжение: 4.5...5.5 В

Показать все сопутствующие товары
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом