Терраэлектроника

MJE350, On Semiconductor

TRANSISTOR, PNP TO-126

Transistor TypePower General Purpose
Transistor PolarityPNP
Voltage, Vceo300V
Current, Ic Continuous a Max0.5A
Hfe, Min30
Case StyleTO-126
Current, Ic Max0.5A
Current, Ic hFE0.05A
Pins, No. of3
Power, Ptot20W
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo300V dc


MJE350, On Semiconductor

Параметры MJE350

НаименованиеMJE350
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул11306
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJE350, доступные на складе

  • Изображение  MJE350

    MJE350
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 300 В; IК(макс): 500 мА; Pрасс: 20 Вт; h21: от 30

  • Изображение  MJE350G

    MJE350G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор общего назначения

Изображения MJE350

MJE350, On Semiconductor MJE350, On Semiconductor MJE350, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом