Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IDH06S60CAKSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

Описание с сайта производителя

The second generation of Infineon SiC Schottky diodes has emerged over the years as the industry standard. The low V f values characterizing this family of products, make it particularly suitable for applications requiring high load efficiency. With the Generation 2 Infineon introduced a new design concept consisting in regularly distributed p-doped areas, in conjunction with the pure Schottky ones: the so-called “merged pn-structure” (MPS).

Возможности

  • Benchmark switching behavior
  • No reverse recovery charge
  • Temperature independent switching behavior
  • High operating temperature (T j max 175°C)

Преимущества

  • System efficiency improvement compared to Si diodes
  • Reduced cooling requirements
  • Enabling higher frequency/increased power density
  • Higher system reliability due to lower operating temperature
  • Reduced EMI

Параметры IDH06S60CAKSA1

Наименование IDH06S60CAKSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 1116931
Прямой ток If(AV)
Ток Ifsm Макс
Uобр макс
Iпр
Uпр
Cобр
Количество диодов
Tj
Максимальная рабочая температура
Корпус

Аналоги IDH06S60CAKSA1, доступные на складе

  • Изображение  SDT06S60

    SDT06S60
    INFIN

    DIODE, SCHOTTKY, SIC, 600V; Diode Type:Schottky; Voltage, Vrrm:600V; Current, If AV:2A; Current, Ifsm:21.5A; Voltage, Vf Max:2V; Temperature, Tj Max:175°C; Termination Type:Through Hole; Temperature, Operating Range:-55°C to +175°C; Case Style:TO-220; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
214,00 руб
от 17 шт. 184,00 руб
от 35 шт. 169,00 руб
Наличие на складе
178 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом