Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRL3705N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N LOGIC TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont77A
Resistance, Rds On0.01ohm
Case StyleTO-220AB
Current, Idm Pulse310A
Pins, No. of3
Pitch, Lead2.54mm
Power Dissipation130W
Power, Pd130W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs th Max2.5V


IRL3705N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRL3705N

Наименование IRL3705N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 10938
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

Аналоги IRL3705N, доступные на складе

  • Изображение  STP60N55F3

    STP60N55F3
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 55 В; Iс(25°C): 65 А; Rси(вкл): 8.5 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 33.5 нКл

  • Изображение  STP60NF10

    STP60NF10
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 100 В

  • Изображение  IRL3705NPBF

    IRL3705NPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 55V, 77A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:77A; Resistance, Rds On:0.01ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:310A; Pins, No.…

Изображения IRL3705N

IRL3705N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRL3705N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRL3705N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
100,00 руб
от 35 шт. 85,50 руб
от 75 шт. 78,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом