Терраэлектроника

NGTB30N120IHSWG, On Semiconductor

IGBT 1200V 30A FS1 Induction Heating


Параметры NGTB30N120IHSWG

НаименованиеNGTB30N120IHSWG
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул1081662
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги NGTB30N120IHSWG, доступные на складе

  • Изображение  STGW38IH130D

    STGW38IH130D
    ST

    Склад (1-2 дн)

    IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс: 1.3 кВ; Iк@25°C: 33 А; Uкэ.нас: 2 В

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
108,00 руб
Наличие на складе
215 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом