Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF1010N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:68A; Resistance, Rds On:0.0125ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:270A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:115W; Power, Pd:115W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:55V


IRF1010N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF1010N

Наименование IRF1010N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 10588
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Корпус
Рассеиваемая мощность
Макс. напряжение Vdss
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Конфигурация и полярность
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRF1010N, доступные на складе

  • Изображение  STP65NF06

    STP65NF06
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 60 А; Rси(вкл): 14 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 54 нКл

  • Изображение  IRF1010NPBF

    IRF1010NPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 55V, 72A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:68A; Resistance, Rds On:0.0125ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:270A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…

Изображения IRF1010N

IRF1010N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF1010N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF1010N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
84,00 руб
от 17 шт. 73,50 руб
от 50 шт. 63,00 руб
от 100 шт. 58,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом