Терраэлектроника

NGB18N40ACLBT4G, On Semiconductor

Ignition IGBT, N-Channel, 18 A, 400 V


Параметры NGB18N40ACLBT4G

НаименованиеNGB18N40ACLBT4G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул1033612
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги NGB18N40ACLBT4G, доступные на складе

  • Изображение  IRGS14C40LPBF

    IRGS14C40LPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, D2-PAK; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:400V; Current, Ic Continuous a Max:20A; Voltage, Vce Sat Max:1.4V; Power Dissipation:125W;…

  • Изображение  NGD8201ANT4G

    NGD8201ANT4G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    Ignition IGBT, N-Channel, 20 A, 400 V

  • Изображение  STGB10NB37LZT4

    STGB10NB37LZT4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    IGBT транзистор - [TO-263-2]; Uкэ.макс: 410 В; Iк@25°C: 10 А; Uкэ.нас: 1.2 В; tнар: 1.3 мкс; tспада: 3.6 мкс

  • Изображение  STGB20NB37LZT4

    STGB20NB37LZT4
    ST

    IGBT транзистор -

  • Изображение  IRGS14C40L

    IRGS14C40L
    INFIN

    IGBT, D2PAK; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:20A; Voltage, Vce Sat Max:1.4V; Power Dissipation:125W; Case Style:TO-263;…

Показать все сопутствующие товары
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
88,00 руб
от 17 шт. 77,00 руб
от 48 шт. 66,00 руб
от 103 шт. 60,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом