Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFR812PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

N-MOSFET 500V 3.6A 2200mOhm 13.3nC


Параметры IRFR812PBF

Наименование IRFR812PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 1028264
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Аналоги IRFR812PBF, доступные на складе

  • Изображение  STD5NK50ZT4

    STD5NK50ZT4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 4.4 А; Rси(вкл): 1.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
29,90 руб
от 116 шт. 25,60 руб
от 225 шт. 23,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом