Терраэлектроника

IRFR812PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

N-MOSFET 500V 3.6A 2200mOhm 13.3nC


Параметры IRFR812PBF

НаименованиеIRFR812PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул1028264
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Корпус
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRFR812PBF, доступные на складе

  • Изображение  STD5NK50ZT4

    STD5NK50ZT4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 4.4 А; Rси(вкл): 1.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
33,30 руб
от 41 шт. 29,20 руб
от 118 шт. 25,00 руб
от 225 шт. 23,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом