Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFR812PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

N-MOSFET 500V 3.6A 2200mOhm 13.3nC


Параметры IRFR812PBF

НаименованиеIRFR812PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул1028264
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C

Аналоги IRFR812PBF, доступные на складе

  • Изображение  STD5NK50ZT4

    STD5NK50ZT4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 4.4 А; Rси(вкл): 1.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
33,60 руб
от 40 шт. 29,40 руб
от 116 шт. 25,20 руб
от 225 шт. 23,10 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом