Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STU10NM60N, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 600 В
Iс(25°C) 8 А
Rси(вкл) 0.55 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 19 нКл


Параметры STU10NM60N

Наименование STU10NM60N
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 1002777
Vgs для измерения Rds(on)
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус

Аналоги STU10NM60N, доступные на складе

  • Изображение  IPU60R600C6AKMA1

    IPU60R600C6AKMA1
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading Superjunction MOSFET supplier with Best-in-Class innovation. T…

  • Изображение  SPU07N60C3BKMA1

    SPU07N60C3BKMA1
    INFIN

    600V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET, Replacement for 600V CoolMOS™ C3 is 600V CoolMOS™ C6/E6 >> Click & go to 600V CoolMOS™ C6/E6 Возможности…

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом