Силовые ключи

MOSFET N канал, 40 вольт, 8 А, корпус DFN2X2B Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs 12nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 415pF @ 20V Power - Max 2.8W

MOSFET N канал, 60 вольт, 6 А, корпус DFN2X2B Rds On (Max) @ Id, Vgs 44 mOhm @ 6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs 12nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 426pF @ 30V Power - Max 2.8W

AlphaMOS LV ключ со сверхнизким RDS(on) (менее 1 мОм) и током коммутации до 200 А. Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95 mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs 145nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 7036pF @ 15V Power - Max 7.3W Supplier Device Package 8-DFN (5x6 mm)

MOSFET N канал, 25 вольт, 75 А, корпус 8-DFN-EP (3.3x3.3) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs 76nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5520pF @ 12.5V Power - Max 4.1W

MOSFET N канал, 30 вольт, 30 А, корпус 8-DFN-EP (3.3x3.3) Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1 mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs 25nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1128pF @ 15V Power - Max 4.2W

MOSFET N канал, 30 вольт, 32 А, корпус 8-DFN-EP (3.3x3.3) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs 40nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1990pF @ 15V Power - Max 4.2W

MOSFET P канал, 20 вольт, 1.8 А, корпус 4WLCSP высотой всего 0.3 мм Rds On (Max) @ Id, Vgs 95 mOhm @ 1A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs 4.8nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 405pF @ 10V Power - Max 450mW

Силовой высокотемпературный MOSFET с рабочей температурой 210°С Сопротивление во включенном состоянии 250 mΩ Рабочее напряжение 650V Рабочий ток 20А Корпус SMD

Силовой высокотемпературный MOSFET с рабочей температурой 210°С Сопротивление во включенном состоянии 175 mΩ Рабочее напряжение 1200V Рабочий ток 20А Корпус TO-258

Силовой высокотемпературный MOSFET с рабочей температурой 210°С Сопротивление во включенном состоянии 160 mΩ Рабочее напряжение 1200V Рабочий ток 40А Корпус TO-258

Силовой высокотемпературный Superjunction MOSFET с рабочей температурой 210°С Сопротивление во включенном состоянии 550 mΩ Рабочее напряжение 650V Рабочий ток 7А Корпус SMD

Силовой высокотемпературный Superjunction MOSFET с рабочей температурой 210°С Сопротивление во включенном состоянии 165 mΩ Рабочее напряжение 600V Рабочий ток 15А Корпус SMD

Силовой высокотемпературный Superjunction MOSFET с рабочей температурой 210°С Сопротивление во включенном состоянии 550 mΩ Рабочее напряжение 650V Рабочий ток 15А Корпус SMD