Силовые ключи

Силовые GaN-транзисторы: преимущества, рекомендации по использованию

04/09/2018 | GaN Systems

В статье анализируется потенциал силовых GaN-устройств и важность использования драйверов для GaN-ключей, проводится сравнение характеристик нитрид-галлиевых транзисторов и MOSFET, а также кратко рассматриваются методы уменьшения влияния шумов, возникающих в цепи затвора.

Силовые транзисторы GaN Systems. Решения и технологии

28/11/2017 | GaN Systems

В июле компания GaN Systems объявила о многомиллионной поддержке со стороны венчурного фонда BMW i Ventures, который является инвестиционным подразделением известного автопроизводителя. Наверняка такой интерес баварских машиностроителей продиктован высоким потенциалом GaN-технологий на рынке электромобилей. Хотя GaN Systems далеко не единственная фирма, работающая в данной области, тем не менее, ее отличает наличие готовых решений и технологий. Ранее на портале УНИТЕРА уже публиковалась обзорная статья по силовым нитрид-галлиевым транзисторам от GaN Systems. На этот раз мы постараемся более подробно рассмотреть технологии, предлагаемые компанией.

Наименование Производитель	Описание	Корпус/ Изображение	Цена, руб.	Наличие
Производитель: Alpha and Omega Semiconductor
AON2240 Alpha and Omega Semiconductor Арт.: 1203908 ИНФО PDF	Поиск предложений	MOSFET N канал, 40 вольт, 8 А, корпус DFN2X2B Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs 12nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 415pF @ 20V Power - Max 2.8W			-	Поиск предложений
AON2260 Alpha and Omega Semiconductor Арт.: 1458457 ИНФО PDF	Поиск предложений	MOSFET N канал, 60 вольт, 6 А, корпус DFN2X2B Rds On (Max) @ Id, Vgs 44 mOhm @ 6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs 12nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 426pF @ 30V Power - Max 2.8W			-	Поиск предложений
AON6500 Alpha and Omega Semiconductor Арт.: 1458458 ИНФО PDF	Поиск предложений	AlphaMOS LV ключ со сверхнизким RDS(on) (менее 1 мОм) и током коммутации до 200 А. Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95 mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs 145nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 7036pF @ 15V Power - Max 7.3W Supplier Device Package 8-DFN (5x6 mm)			-	Поиск предложений
AON7760 Alpha and Omega Semiconductor Арт.: 1458459 ИНФО PDF	Поиск предложений	MOSFET N канал, 25 вольт, 75 А, корпус 8-DFN-EP (3.3x3.3) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs 76nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5520pF @ 12.5V Power - Max 4.1W			-	Поиск предложений
AON7538 Alpha and Omega Semiconductor Арт.: 1458460 ИНФО PDF	Поиск предложений	MOSFET N канал, 30 вольт, 30 А, корпус 8-DFN-EP (3.3x3.3) Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1 mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs 25nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1128pF @ 15V Power - Max 4.2W			-	Поиск предложений
AON7764 Alpha and Omega Semiconductor Арт.: 1458461 ИНФО PDF	Поиск предложений	MOSFET N канал, 30 вольт, 32 А, корпус 8-DFN-EP (3.3x3.3) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs 40nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1990pF @ 15V Power - Max 4.2W			-	Поиск предложений
AOC2403 Alpha and Omega Semiconductor Арт.: 3095613 ИНФО PDF	Поиск предложений	MOSFET P канал, 20 вольт, 1.8 А, корпус 4WLCSP высотой всего 0.3 мм Rds On (Max) @ Id, Vgs 95 mOhm @ 1A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs 4.8nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 405pF @ 10V Power - Max 450mW			-	Поиск предложений
Производитель: GaN Systems
Наименование Производитель	Описание	Корпус/ Изображение	Цена, руб.	Наличие
GS66508P-E03-TY GaN Systems Арт.: 1895271 ИНФО PDF 5742,50 ₽	Поиск предложений	GaN транзистор на напряжение 650V в корпусе с низкой индуктивностью.N-Канал. Vds: 650 V Vgs: 10 V Id : 30 A Rds On : 52 mOhms Qg: 6.5 nC Ciss : 180 pF		5742,50 ₽	-	Поиск предложений
GS61008P-E03-TY GaN Systems Арт.: 3095760 ИНФО PDF 1531,33 ₽	Поиск предложений	GaN транзистор на напряжение 100V в корпусе с низкой индуктивностью. N-Канал. Vds: 100 V Vgs: 10 V Id : 90 A Rds On : 7.4 mOhms Qg: 16 nC Ciss : 345 pF		1531,33 ₽	-	Поиск предложений
Производитель: Micross Components
Наименование Производитель	Описание	Корпус/ Изображение	Цена, руб.	Наличие
MYXMN0600-20DA0 Micross Components Арт.: 3095883 ИНФО PDF	Поиск предложений	Силовой высокотемпературный MOSFET с рабочей температурой 210°С Сопротивление во включенном состоянии 250 mΩ Рабочее напряжение 650V Рабочий ток 20А Корпус SMD			-	Поиск предложений
MYXMN1200-20CAB Micross Components Арт.: 3095884 ИНФО PDF	Поиск предложений	Силовой высокотемпературный MOSFET с рабочей температурой 210°С Сопротивление во включенном состоянии 175 mΩ Рабочее напряжение 1200V Рабочий ток 20А Корпус TO-258			-	Поиск предложений
MYXMN1200-40CAB Micross Components Арт.: 3095885 ИНФО PDF	Поиск предложений	Силовой высокотемпературный MOSFET с рабочей температурой 210°С Сопротивление во включенном состоянии 160 mΩ Рабочее напряжение 1200V Рабочий ток 40А Корпус TO-258			-	Поиск предложений
MYXS00600-07DA0 Micross Components Арт.: 3095886 ИНФО PDF	Поиск предложений	Силовой высокотемпературный Superjunction MOSFET с рабочей температурой 210°С Сопротивление во включенном состоянии 550 mΩ Рабочее напряжение 650V Рабочий ток 7А Корпус SMD			-	Поиск предложений
MYXS00600-15DA0 Micross Components Арт.: 3095887 ИНФО PDF	Поиск предложений	Силовой высокотемпературный Superjunction MOSFET с рабочей температурой 210°С Сопротивление во включенном состоянии 165 mΩ Рабочее напряжение 600V Рабочий ток 15А Корпус SMD			-	Поиск предложений
MYXS00650-15DA0 Micross Components Арт.: 3095888 ИНФО PDF	Поиск предложений	Силовой высокотемпературный Superjunction MOSFET с рабочей температурой 210°С Сопротивление во включенном состоянии 550 mΩ Рабочее напряжение 650V Рабочий ток 15А Корпус SMD			-	Поиск предложений

Силовые ключи

Сравнение позиций

Выбор города доставки