Сборки eGaN транзисторов (Navitas Semiconductor)

Распространение нитрид-галлиевых транзисторов ограничивалось из-за различных проблем, главная из которых заключалась в необходимости согласования тепловых характеристик материалов в технологии «нитрид галлия на кремнии». Успешное решение повлекло за собой появление на рынке множества конкурентоспособных GaN-ключей. Появились и интегральные GaN-микросхемы, которые объединяют в одном корпусе нитрид-галлиевый транзистор, драйвер и управляющую логику. Примером таких ИС являются NV6113/15/17 от компании Navitas Semiconductor.

Долгое время распространение нитрид-галлиевых транзисторов ограничивалось из-за различных технологических проблем. К счастью большая часть этих проблем осталась в прошлом, и на рынке появилось множество конкурентоспособных GaN-ключей. Более того, начали появляться и интегральные GaN-микросхемы, которые объединяют в одном корпусе нитрид-галлиевый транзистор, драйвер и управляющую логику. Примером таких ИС являются NV6113/15/17 от компании Navitas Semiconductor.

Производитель: Navitas Semiconductor
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
NV6113TR-ND
NV6113TR-ND
Navitas Semiconductor
Арт.: 3413233 ИНФО PDF
712,68
Поиск
предложений
Интегральная GaN-микросхема со встроенным 650 В GaN-транзистором с сопротивлением открытого канала 300 м. Объединяет в одном корпусе нитрид-галлиевый транзистор, драйвер и управляющую логику.
NV6113TR-ND 712,68
-
Поиск
предложений
NV6113CT-ND
NV6113CT-ND
Navitas Semiconductor
Арт.: 3413234 ИНФО PDF
712,68
Поиск
предложений
Интегральная GaN-микросхема со встроенным 650 В GaN-транзистором с сопротивлением открытого канала 300 м. Объединяет в одном корпусе нитрид-галлиевый транзистор, драйвер и управляющую логику.
NV6113CT-ND 712,68
-
Поиск
предложений
NV6113DKR-ND
NV6113DKR-ND
Navitas Semiconductor
Арт.: 3413235 ИНФО PDF
712,68
Поиск
предложений
Интегральная GaN-микросхема со встроенным 650 В GaN-транзистором с сопротивлением открытого канала 300 м. Объединяет в одном корпусе нитрид-галлиевый транзистор, драйвер и управляющую логику.
NV6113DKR-ND 712,68
-
Поиск
предложений
NV6115CT-ND
NV6115CT-ND
Navitas Semiconductor
Арт.: 3413236 ИНФО PDF
992,67
Поиск
предложений
Интегральная GaN-микросхема со встроенным 650 В GaN-транзистором с сопротивлением открытого канала 170 мО.
NV6115CT-ND 992,67
-
Поиск
предложений
NV6117TR-ND
NV6117TR-ND
Navitas Semiconductor
Арт.: 3413237 ИНФО PDF
708,19
Поиск
предложений
Интегральная GaN-микросхема со встроенным 650 В GaN-транзистором с сопротивлением открытого канала 120 мОм.
NV6117TR-ND 708,19
-
Поиск
предложений
NV6117CT-ND
NV6117CT-ND
Navitas Semiconductor
Арт.: 3413238 ИНФО PDF
1349,01
Поиск
предложений
Интегральная GaN-микросхема со встроенным 650 В GaN-транзистором с сопротивлением открытого канала 120 мОм.
NV6117CT-ND 1349,01
-
Поиск
предложений
NV6117DKR-ND
NV6117DKR-ND
Navitas Semiconductor
Арт.: 3413239 ИНФО PDF
1349,01
Поиск
предложений
Интегральная GaN-микросхема со встроенным 650 В GaN-транзистором с сопротивлением открытого канала 120 мОм.
NV6117DKR-ND 1349,01
-
Поиск
предложений

Сравнение позиций

  • ()