Сборки eGaN транзисторов

После шести лет работы команда инженеров из Гарварда создала летательный аппарат, похожий на насекомое и питающийся солнечной энергией. Вес этого летательного аппарата составил всего 260 мг.

Распространение нитрид-галлиевых транзисторов ограничивалось из-за различных проблем, главная из которых заключалась в необходимости согласования тепловых характеристик материалов в технологии «нитрид галлия на кремнии». Успешное решение повлекло за собой появление на рынке множества конкурентоспособных GaN-ключей. Появились и интегральные GaN-микросхемы, которые объединяют в одном корпусе нитрид-галлиевый транзистор, драйвер и управляющую логику. Примером таких ИС являются NV6113/15/17 от компании Navitas Semiconductor.

Модуль EPC9130, выполненный в виде неизолированного полностью регулируемого пятифазного синхронного понижающего преобразователя, обеспечивает плотность мощности приблизительно 1000 Вт/дюйм3 и максимальную эффективность 96,2%, а также способен выдавать мощность до 720 Вт (60 А).

Долгое время распространение нитрид-галлиевых транзисторов ограничивалось из-за различных технологических проблем. К счастью большая часть этих проблем осталась в прошлом, и на рынке появилось множество конкурентоспособных GaN-ключей. Более того, начали появляться и интегральные GaN-микросхемы, которые объединяют в одном корпусе нитрид-галлиевый транзистор, драйвер и управляющую логику. Примером таких ИС являются NV6113/15/17 от компании Navitas Semiconductor.

Данный цикл статей посвящен вопросам создания источников питания на базе нитрид-галлиевых транзисторов и модулей. В данной статье кратко рассматриваются преимущества использования eGaN-транзисторов EPC2111 и модулей EPC9204 на примере создания DC/DC-преобразователя 12/1 В.

Данный цикл статей посвящен вопросам создания источников питания на базе нитрид-галлиевых транзисторов и модулей. В статье кратко рассматриваются преимущества использования eGaN-транзисторов EPC2045 и модулей EPC9205 при построении POL-источников питания 48/12 В.

Нитрид-галлиевые транзисторы позволяют совершать прорывы в самых различных областях электроники, например, в источниках питания и в беспроводных системах связи. Они также обладают огромным потенциалом для медицинских приложений. Их миниатюрность, высокая эффективность и отличные динамические характеристики уже сейчас востребованы в диагностическом оборудовании, имплантатах и в медицинских роботах. В данной статье выполняется краткий обзор eGaN-транзисторов, которые компания epc рекомендует использовать в медицинских приложениях.

Данная статья является второй в цикле публикаций, посвященных средствам разработки от EPC, на этот раз речь пойдет об оценочных наборах, которые представляют собой законченные функциональные устройства.

Компания EPC является одним из лидеров в области производства нитрид-галлиевых транзисторов. В настоящий момент eGaN-ключи от EPC по многим показателям превосходят кремниевые транзисторы, поэтому интерес к ним со стороны разработчиков все время возрастает. Чтобы упростить жизнь пользователям при внедрении eGaN-ключей, EPC предлагает более пятидесяти различных отладочных и оценочных наборов. В первой статье данного цикла – краткий обзор всех доступных отладочных наборов от EPC.

Один из крупнейших производителей GaN-транзисторов компания EPC предлагает к услугам пользователей четыре демонстрационных набора, которые позволяют ознакомиться с особенностями беспроводных систем передачи энергии. Между собой наборы отличаются уровнем передаваемой мощности. Если с помощью EPC9127 можно зарядить смартфон, то EPC9120 позволит запитать небольшой ноутбук.

Обеспечение стабильной работы параллельно включенных нитрид-галлиевых транзисторов (GaN FET) в мощных мостовых преобразователях с жесткими переключениями представляет собой достаточно сложную задачу, особенно если речь идет о выводных корпусных исполнениях. В данной статье предлагается решение проблемы параллельного включения GaN-транзисторов в мостовых преобразователях с использованием ферритовых фильтров и /или RC-демпферов и обсуждаются особенности драйверов для GaN-транзисторов.

Компания Transform произвела настоящую революцию в схемотехнике силовых преобразовательных устройств, представив на рынке мощные каскодные GaN-транзисторы на кремниевой подложке. Это позволило начать применение мостовых схем с жесткой коммутацией, в которых уменьшено и сопротивление в открытом состоянии, и емкость затвора, а КПД достигает 99%. Вяче

Нитрид-галлиевый (GaN) каскодный полевой транзистор TPH3205WSB в трехвыводном корпусе TO-247 обеспечивает высокую эффективность благодаря меньшему заряду затвора, более высоким скоростям переключения и меньшему заряду обратного восстановления, что дает значительные преимущества по сравнению с традиционными кремниевыми транзисторами.

Компания EPC анонсировала очередное, уже пятое по счету (Gen5), поколение своих нитрид-галлиевых транзисторов с улучшенной структурой eGaN. Новые транзисторы по-прежнему представляют собой нормально разомкнутые ключи, но отличаются от предшественников четвертого поколения (Gen4) вдвое меньшими габаритами и улучшенными динамическими характеристиками. Пока что речь идет о трех представителях EPC2045, EPC2046, и EPC2047 с сопротивлениями каналов 7 мОм, 25 мОм и 10 мОм, соответственно.

Компания VisIC Technologies специализируется на выпуске нитрид-галлиевых транзисторов и постоянно расширяет номенклатуру своих изделий. Недавно к существующим моделям добавился новый силовой ключ V80N65B. Теперь к услугам разработчиков предлагается пять типов транзисторов с рейтингом напряжения 650 В и сопротивлением открытого канала от 15 мОм. Все они способны работать на частотах более 200 кГц с минимальным уровнем потерь. Благодаря оценочному набору EVB-HB уже сейчас без лишних усилий можно ознакомиться со всеми преимуществами нитрид-галлиевых ключей от VisIC Technologies.

В конце 2015 года компания Transphorm начала производство второго поколения нитрид-галлиевых транзисторов с рабочим напряжением 650 В. Эти силовые ключи выполнены по каскодной схеме. Такая конфигурация позволяет сохранять высокие значения выходной мощности и минимизировать потери на восстановление обратного диода. Преимущества транзисторов от Transphorm были неоднократно доказаны на практике. В данной статье рассказывается о демонстрационном полумостовом преобразователе TDPS3500E0E10 мощностью 3,5 кВт и рабочей частотой до 100 кГц.

На портале Унитера периодически появляются новости о системах беспроводной передачи энергии от разных компаний. При этом, они зачастую строятся на базе нитрид-галлиевых транзисторов от EPC. На этот раз в статье будет рассмотрен демонстрационный набор системы беспроводной передачи энергии EPC9511 от самой EPC. Во-первых, он представляет собой законченную платформу для беспроводной передачи энергии. Во-вторых, EPC9511 поддерживает наиболее популярные стандарты Qi/PMA и Air Fuel™. В-третьих, силовой передатчик EPC9511 использует новые транзисторные сборки EPC2107.

Поиск новых материалов для полупроводниковых компонентов – важная задача для современной электроники. Одним из наиболее перспективных материалов для создания силовых транзисторов является нитрид галлия. Компания Transphorm производит высоковольтные 650 В GaN-ключи, выполненные по каскодной схеме. Такая конфигурация позволяет сохранять высокие значения выходной мощности и минимизировать потери на восстановление обратного диода.

Компания Texas Instruments – один из мировых лидеров в области низко-вольтных полупроводников. Но в последнее время ее интересы все больше простираются и на область высоковольтных. Работа на «высокой» стороне – залог роста эффективности управления электропитанием. О перспективах этого направления рассказывают в своей статье инженеры компании TI.

УНИТЕРА неоднократно публиковала новости, посвященные нитрид-галлиевым транзисторам. При этом достаточно подробно рассматривались не только их достоинства, но и недостатки. Следует признать, что широкое применение GaN-транзисторов ограничивается из-за ряда схемотехнических проблем. Для их решения многие компании предлагают готовые модули печатных плат. Компания Texas Instruments пошла еще дальше и выпустила силовой модуль LMG5200, который объединяет в одном корпусе драйвер и GaN-полумост.

Новые технологии не всегда принимаются сообществом разработчиков с распростертыми объятиями. Иногда даже самые прорывные продукты вначале вызывают недоверие. Не стала исключением и новая технология eGaN® транзисторов и транзисторных сборок от компании EPC. Характеристики этих силовых ключей во многих случаях значительно превосходят характеристики привычных кремниевых транзисторов. eGaN имеют меньшее сопротивление открытого канала, большее быстродействие и удельную мощность, высокую стабильность свойств при воздействии радиации и изменении температуры.

Производитель: Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
EPC2101ENG
EPC2101ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1905241 ИНФО PDF AN RD DT
Поиск
предложений
Полумостовая несиметричная сборка GaNFET транзисторов V DS , 60 V R DS(ON) , 11.5 m? (Q1, Control FET), 2.7 m? (Q2, Sync FET) I D , 9.5 A (Q1), 38 A (Q2) Pulsed I D , 80 A (Q1), 350 A (Q2) RoHS 6/6, Halogen Free
EPC2101ENG
-
Поиск
предложений
EPC2103ENGRT
EPC2103ENGRT
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1905244 ИНФО PDF AN RD DT
Поиск
предложений
Полумостовая симетричная сборка GaNFET транзисторов Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 20A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA Gate Charge (Qg) @ Vgs 6.5nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 760pF @ 40V
EPC2103ENGRT
-
Поиск
предложений
EPC9203
EPC9203
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1920910 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
EPC9203, is a 80 V, 20 A half-bridge power converter plug and play" proof of concept board for quick and easy evaluation of the high performance gained with gallium nitride power transistors.
EPC9203
-
Поиск
предложений
EPC9121
EPC9121
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2177658 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Мультипротокольный оценочный набор EPC9121.В состав набора EPC9121 входит передатчик EPC9511, который отличается от остальных передатчиков возможностью работы в двух режимах: AirFuel и Qi/PMA.
EPC9121
-
Поиск
предложений
EPC9511
EPC9511
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2177663 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Демонстрационный набор системы беспроводной передачи энергии. Поддерживает наиболее популярные стандарты Qi/PMA и AirFuel™. Силовой передатчик EPC9511 использует новые транзисторные сборки EPC2107.
EPC9511
-
Поиск
предложений
EPC2036
EPC2036
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2200747 ИНФО PDF RD DT
Поиск
предложений
100 В транзистор EPC2036 с сопротивлением открытого канала 65 мОм. 
EPC2036
-
Поиск
предложений
EPC2045ENGRCT
EPC2045ENGRCT
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2286524 ИНФО PDF RD DT
Поиск
предложений
Силовой ключ с рейтингом напряжения 100 В и сопротивлением канала 7 мОм
EPC2045ENGRCT
-
Поиск
предложений
EPC2045ENGRTR
EPC2045ENGRTR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2286525 ИНФО PDF RD DT
Поиск
предложений
Силовой ключ с рейтингом напряжения 100 В и сопротивлением канала 7 мОм
EPC2045ENGRTR
-
Поиск
предложений
EPC2047ENGRCT
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2286526 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Танзистор с рекордным значением сопротивления канала 10 мОм, предназначенный для коммутации напряжений до 200 В
EPC2047ENGRCT
-
Поиск
предложений
EPC2047ENGRTR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2286527 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Танзистор с рекордным значением сопротивления канала 10 мОм, предназначенный для коммутации напряжений до 200 В
EPC2047ENGRTR
-
Поиск
предложений
EPC9078
EPC9078
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2286528 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Отладочный набор включает полумост из пары транзисторов EPC2045, драйвер LM5113 от Texas Instruments и логику управления. Плата EPC9078 работает с напряжениями до 80 В и выходными токами до 20 А. Для питания драйвера используется источник 7,5…12 В.
EPC9078
-
Поиск
предложений
EPC9081
EPC9081
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2286529 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Изолированный полумостовой преобразователь на базе 200 В транзисторов EPC2047. Для гальванической развязки используются оптические изоляторы Si8610BCВ от Silicon Labs. Управление ключами производится с помощью драйверов UCC27611 от Texas Instruments. Преобразователь работает с рабочими напряжениями до 160 В и выходными токами до 15 А.
EPC9081
-
Поиск
предложений
EPC9080
EPC9080
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2286530 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Отладочный набор по структуре аналогичный EPC9078. В качестве верхнего плеча полумоста выбран транзистор EPC2045, а для нижнего плеча используется EPC2022. Выходной ток этого набора составляет 30 А.
EPC9080
-
Поиск
предложений
EPC2111ENGRT
EPC2111ENGRT
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2300751 ИНФО PDF RD DT
Поиск
предложений
Несимметричная полумостовая сборка из eGaN-транзисторов четвертого поколения.
EPC2111ENGRT
-
Поиск
предложений
EPC9127
EPC9127
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2609925 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Отладочный набор EPC9127 включает в себя модуль усилителя-передатчика EPC9510 мощностью 10 Вт, плату антенны и модуль приемника EPC9513 с выходной мощностью 6,5 Вт.
EPC9127
-
Поиск
предложений
EPC9128
EPC9128
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2609926 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Отладочный набор EPC9128 состоит из усилителя-передатчика EPC9509 мощностью 16 Вт, платы антенны и двух приемников: EPC9513 (такого же, как и в наборе EPC9127) и EPC9515.
EPC9128
-
Поиск
предложений
EPC9205
EPC9205
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3086920 ИНФО AN
Поиск
предложений
Силовой модуль EPC9205 построен по схеме синхронного понижающего преобразователя на базе транзисторов EPC2045 и имеет габаритные размеры всего 22 х с13,5 мм.
EPC9205
-
Поиск
предложений
EPC9086
EPC9086
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3086930 ИНФО
Поиск
предложений
Отладочная плата EPC9086. В состав платы входит сборка EPC2111, драйвер PE29102, стабилизатор MCP1703 и пассивные компоненты.
EPC9086
-
Поиск
предложений
EPC2031ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095700 ИНФО PDF DT
Поиск
предложений
Полумостовая несиметричная сборка GaNFET транзисторов V DS , 30 V R DS(ON) , 8 m? (Q1, Control FET), 2 m? (Q2, Sync FET) I D , 10 A (Q1), 40 A (Q2) Pulsed I D , 100 A (Q1), 400 A (Q2) RoHS 6/6, Halogen Free
EPC2031ENGR
-
Поиск
предложений
EPC2102ENG
EPC2102ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095703 ИНФО PDF AN DT
Поиск
предложений
Полумостовая симетричная сборка GaNFET транзисторов Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 mOhm @ 20A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA Gate Charge (Qg) @ Vgs 6.8nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 830pF @ 30V
EPC2102ENG
-
Поиск
предложений
EPC2105ENG
EPC2105ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095704 ИНФО PDF RD DT
Поиск
предложений
Полумостовая несиметричная сборка GaNFET транзисторов 97% System Efficiency at 22 A 48 Vin to 12 Vout, 300 kHz
EPC2105ENG
-
Поиск
предложений
EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095705 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Транзисторная сборка состоит из трех транзисторов: Q1 и Q2 объединены в полумост, а Q3 является независимым. Полумост из Q1 и Q2 - основной элемент усилителя класса D. Для управления этими транзисторами используется драйвер LM5113TM от Texas Instruments. При этом для создания синхронной бутстрепной схемы применяется транзистор Q3 той же сборки EPC2107.
EPC2107ENGRT
-
Поиск
предложений
EPC9039
EPC9039
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095711 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Макетная плата на основе симметричной 80-ти вольтной eGaN сборки транзисторов eGaN EPC2103 с максимальным током до 17 А.
EPC9039
-
Поиск
предложений
EPC9041
EPC9041
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095712 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Макетная плата на основе ассимметричной 80-ти вольтной eGaN сборки транзисторов EPC2105 с максимальным током до 20 А для высокочастотных понижающих DC/DC преобразователей с большим коэффициентом понижения напряжения.
EPC9041
-
Поиск
предложений
Производитель: Transphorm
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
TPH3205WS
Transphorm
Арт.: 2108137 ИНФО PDF OBS DT
Поиск
предложений
GaN-транзисторы с рабочим напряжением 600 В в корпусе TO-247 c типовым значением сопротивления канала 52 мОм. Заряд восстановления диода: 127 нКл.
TPH3205WS
-
Поиск
предложений
TPH3207WS
TPH3207WS
Transphorm
Арт.: 2119303 ИНФО PDF DT
Поиск
предложений
GaN-транзисторы с рабочим напряжением 650 В в корпусе TO-247 c типовым значением сопротивления канала всего 35 мОм, коммутация импульсной токовой нагрузки до 220 А.
TPH3207WS
-
Поиск
предложений
TDPS2800E2C1
Transphorm
Арт.: 2119304 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Типовое решение
TDPS2800E2C1
-
Поиск
предложений
TDPS3500E0E10-KIT
Transphorm
Арт.: 2119305 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Типовое решение
TDPS3500E0E10-KIT
-
Поиск
предложений
TDPS251E0D2-KIT
Transphorm
Арт.: 2119306 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Типовое решение
TDPS251E0D2-KIT
-
Поиск
предложений
TDMC2000E0I-KIT
TDMC2000E0I-KIT
Transphorm
Арт.: 2119307 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Типовое решение
TDMC2000E0I-KIT
-
Поиск
предложений
TDINV4500W050-KIT
TDINV4500W050-KIT
Transphorm
Арт.: 2119308 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Типовое решение
TDINV4500W050-KIT
-
Поиск
предложений
TPH3206PD
TPH3206PD
Transphorm
Арт.: 2263104 ИНФО PDF
Поиск
предложений
(Drain Tab)
TPH3206PD
-
Поиск
предложений
TPH3206PS
TPH3206PS
Transphorm
Арт.: 2263105 ИНФО PDF DT
Поиск
предложений
(Source Tab)
TPH3206PS
-
Поиск
предложений
TPH3206LD
TPH3206LD
Transphorm
Арт.: 2263111 ИНФО PDF
Поиск
предложений
N-Channel 600V 17A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
TPH3206LD
-
Поиск
предложений
TPH3206LS
TPH3206LS
Transphorm
Арт.: 2263112 ИНФО PDF
Поиск
предложений
N-Channel 600V 17A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
TPH3206LS
-
Поиск
предложений
TPH3206LDG
Transphorm
Арт.: 2263113 PDF
1575,17
Поиск
предложений
N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
TPH3206LDG 1575,17
-
Поиск
предложений
TPH3205WSB
TPH3205WSB
Transphorm
Арт.: 2263119 ИНФО PDF DT
Поиск
предложений
Каскодный нитрид-галлиевый полевой транзистор TPH3205WSB.
TPH3205WSB
-
Поиск
предложений
TPH3206LDB
TPH3206LDB
Transphorm
Арт.: 2514269 ИНФО PDF
Поиск
предложений
N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
TPH3206LDB
-
Поиск
предложений
TPH3206LDGB
TPH3206LDGB
Transphorm
Арт.: 2514270 ИНФО PDF
Поиск
предложений
N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
TPH3206LDGB
-
Поиск
предложений
TPH3206LSB
TPH3206LSB
Transphorm
Арт.: 2514277 ИНФО PDF
Поиск
предложений
N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
TPH3206LSB
-
Поиск
предложений
TPH3205WSBQA
TPH3205WSBQA
Transphorm
Арт.: 2514829 ИНФО PDF DT
Поиск
предложений
N-Channel 650V 35A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247
TPH3205WSBQA
-
Поиск
предложений
TPH3206PSB
TPH3206PSB
Transphorm
Арт.: 2514960 ИНФО PDF RD DT
Поиск
предложений
N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Through Hole TO-220AB
TPH3206PSB
-
Поиск
предложений
Производитель: VisIC Technologies LTD
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
EVB-HB for V22x65A
VisIC Technologies LTD
Арт.: 2273489 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Оценочный набор EVB-HB на базе нитрид-галлиевых транзисторов V22N65A
EVB-HB for V22x65A
-
Поиск
предложений
Производитель: Navitas Semiconductor
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
NV6113TR-ND
NV6113TR-ND
Navitas Semiconductor
Арт.: 3413233 ИНФО PDF
619,65
Поиск
предложений
Интегральная GaN-микросхема со встроенным 650 В GaN-транзистором с сопротивлением открытого канала 300 м. Объединяет в одном корпусе нитрид-галлиевый транзистор, драйвер и управляющую логику.
NV6113TR-ND 619,65
-
Поиск
предложений
NV6113CT-ND
NV6113CT-ND
Navitas Semiconductor
Арт.: 3413234 ИНФО PDF
619,65
Поиск
предложений
Интегральная GaN-микросхема со встроенным 650 В GaN-транзистором с сопротивлением открытого канала 300 м. Объединяет в одном корпусе нитрид-галлиевый транзистор, драйвер и управляющую логику.
NV6113CT-ND 619,65
-
Поиск
предложений
NV6113DKR-ND
NV6113DKR-ND
Navitas Semiconductor
Арт.: 3413235 ИНФО PDF
619,65
Поиск
предложений
Интегральная GaN-микросхема со встроенным 650 В GaN-транзистором с сопротивлением открытого канала 300 м. Объединяет в одном корпусе нитрид-галлиевый транзистор, драйвер и управляющую логику.
NV6113DKR-ND 619,65
-
Поиск
предложений
NV6115CT-ND
NV6115CT-ND
Navitas Semiconductor
Арт.: 3413236 ИНФО PDF
863,09
Поиск
предложений
Интегральная GaN-микросхема со встроенным 650 В GaN-транзистором с сопротивлением открытого канала 170 мО.
NV6115CT-ND 863,09
-
Поиск
предложений
NV6117TR-ND
NV6117TR-ND
Navitas Semiconductor
Арт.: 3413237 ИНФО PDF
615,75
Поиск
предложений
Интегральная GaN-микросхема со встроенным 650 В GaN-транзистором с сопротивлением открытого канала 120 мОм.
NV6117TR-ND 615,75
-
Поиск
предложений
NV6117CT-ND
NV6117CT-ND
Navitas Semiconductor
Арт.: 3413238 ИНФО PDF
1172,92
Поиск
предложений
Интегральная GaN-микросхема со встроенным 650 В GaN-транзистором с сопротивлением открытого канала 120 мОм.
NV6117CT-ND 1172,92
-
Поиск
предложений
NV6117DKR-ND
NV6117DKR-ND
Navitas Semiconductor
Арт.: 3413239 ИНФО PDF
1172,92
Поиск
предложений
Интегральная GaN-микросхема со встроенным 650 В GaN-транзистором с сопротивлением открытого канала 120 мОм.
NV6117DKR-ND 1172,92
-
Поиск
предложений

Сравнение позиций

  • ()