eGaN ключи (Системы питания)

Силовые GaN-транзисторы, входящие в состав семейства LMG3410x, часто называются транзисторами с повышенной подвижностью электронов. Скорость переключений этих транзисторов очень высока и может задаваться в диапазоне от 30 В до 100 В/ нс при рабочих напряжениях 380 В...480 В. При таких скоростях переключений разработчики должны уделять повышенное внимание компоновке и трассировке печатной платы.

Расчет тепловых характеристик является весьма важным при решении задач с применением любых силовых электронных преобразователей. Оптимизированный тепловой расчет позволяет инженерам использовать компоненты на основе нитрида галлия (GaN) в широком диапазоне уровней мощности, топологий и областей применения. Давайте рассмотрим наиболее важные расчеты и компромиссы для семейства LMG341XRxxx GaN производства Texas Instruments, а также рекомендации по компоновке печатной платы, тепловому интерфейсу, выбору радиатора и методам монтажа. Также будут приведены примеры конструкций с использованием изделий на основе GaN на 50 и 70 мОм.

Растущий рынок вычислительной техники и телекоммуникаций требует все более компактных решений с высокими показателями КПД и плотности мощности для промежуточных шинных преобразователей. Замечательным вариантом для таких задач является резонансный LLC-конвертер. По сравнению с кремниевыми полевыми транзисторами, полевые транзисторы eGaN с их сверхнизким сопротивлением и малыми паразитными емкостями выгодны для применения в резонансных LLC-преобразователях благодаря малому уровню потерь.

В статье анализируется потенциал силовых GaN-устройств и важность использования драйверов для GaN-ключей, проводится сравнение характеристик нитрид-галлиевых транзисторов и MOSFET, а также кратко рассматриваются методы уменьшения влияния шумов, возникающих в цепи затвора.

Компания VisIC Technologies специализируется на выпуске нитрид-галлиевых транзисторов и постоянно расширяет номенклатуру своих изделий. Недавно к существующим моделям добавился новый силовой ключ V80N65B. Теперь к услугам разработчиков предлагается пять типов транзисторов с рейтингом напряжения 650 В и сопротивлением открытого канала от 15 мОм. Все они способны работать на частотах более 200 кГц с минимальным уровнем потерь. Благодаря оценочному набору EVB-HB уже сейчас без лишних усилий можно ознакомиться со всеми преимуществами нитрид-галлиевых ключей от VisIC Technologies.

Компания VisIC Technologies начала выпуск нитрид-галлиевых транзисторов с рейтингом напряжения 650 В и способных работать на частотах более 200 кГц с минимальным уровнем потерь. В то же время ближайшие конкуренты в лице кремниевых МДП-транзисторов и БТИЗ могут эффективно применяться при скоростях коммутаций до 150 кГц. Таким образом, транзисторы VisIC Technologies становятся чрезвычайно интересными с точки зрения их использования в силовых импульсных устройствах, например, в корректорах коэффициента мощности или в высоковольтных импульсных регуляторах напряжения.

Для продвижения своей продукции GaN Systems выпустила отладочную плату GS66508T-EVBHB, которая в очередной раз демонстрирует преимущества GaN-транзисторов. При использовании GS66508T-EVBHB в составе синхронного понижающего преобразователя значение КПД превысило 98,5% для диапазона выходных мощностей 1…2 КВт! Главная особенность данной отладочной платы заключается в том, что она выполнена в виде небольшого стенда, схему которого определяет пользователь с помощью подключения внешних проводников и компонентов.

Производитель: Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
EPC2001
EPC2001
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371540 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 100V 25A
EPC2001
-
Поиск
предложений
EPC2007
EPC2007
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371541 ИНФО PDF AN RD DT
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 100V 6A
EPC2007
-
Поиск
предложений
EPC2010
EPC2010
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371542 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 200V 12A
EPC2010
-
Поиск
предложений
EPC2012
EPC2012
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371543 ИНФО PDF AN DT
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 200V 3A
EPC2012
-
Поиск
предложений
EPC2014
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371544 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 40V 10A
EPC2014
-
Поиск
предложений
EPC2015
EPC2015
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371545 ИНФО PDF AN RD DT
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 40V 33A
EPC2015
-
Поиск
предложений
EPC2016
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371546 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 100V 11A
EPC2016
-
Поиск
предложений
EPC8004ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371549 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 40V 4.4A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: - Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @ 20V
EPC8004ENGR
-
Поиск
предложений
EPC2021ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904818 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 80V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 29A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 14mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1700pF @ 40V
EPC2021ENG
-
Поиск
предложений
EPC2023ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904820 ИНФО PDF AN RD DT
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 30V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 mOhm @ 40A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 20mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2300pF @ 15V
EPC2023ENG
-
Поиск
предложений
EPC2022ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904821 ИНФО PDF AN RD DT
1393,22
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 100V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 25A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 12mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1500pF @ 50V
EPC2022ENG 1393,22
-
Поиск
предложений
EPC2020ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904823 ИНФО PDF AN DT
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 60V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 31A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 16mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1800pF @ 30V
EPC2020ENG
-
Поиск
предложений
EPC9035
EPC9035
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904825 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Демоплата включает в себя транзисторы EPC2022 включенные по полумостовой схеме и драйвер LM5113 со всеми необходимыми элементами обвязки и выходным напряжением до 100V.
EPC9035
-
Поиск
предложений
EPC9201
EPC9201
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1920909 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
EPC9201 – отладочная плата полумостового преобразователя (30 В, 40 А) "Plug and Play" предназначена для быстрой и простой оценки эффективности мощных нитрид галлиевых силовых транзисторов, их оптимальной компоновки вместе с другими компонентами
EPC9201
-
Поиск
предложений
EPC2018
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095695 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 150V 12A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 540pF @ 100V
EPC2018
-
Поиск
предложений
EPC2019
EPC2019
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095696 ИНФО PDF RD DT
Поиск
предложений
Cиловой нитрид-галлиевый транзистор, N-Channel 200V 8.5A (Ta) Surface Mount Die
EPC2019
-
Поиск
предложений
EPC2024ENG
EPC2024ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095697 ИНФО PDF AN DT
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 40V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 mOhm @ 37A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 19mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2100pF @ 20V
EPC2024ENG
-
Поиск
предложений
EPC2025ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095698 ИНФО PDF DT
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 300V 4A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 300V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 3A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 194pF @ 240V
EPC2025ENGR
-
Поиск
предложений
EPC2027ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095699 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 450V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 2.5A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 600µA Gate Charge (Qg) @ Vgs 1.7nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 180pF @ 360V
EPC2027ENGR
-
Поиск
предложений
EPC2033ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095701 ИНФО PDF DT
Поиск
предложений
Максимальное напряжение сток-исток: 150 В Предельный диапазон напряжений затвор-исток: -4...6 В Постоянный ток стока: до 31 А Максимальный импульсный ток: 260 А Типовое сопротивление открытого канала: 5 мОм Пороговое напряжение включения затвор-исток: 0,8...2,5 В Максимальный входной ток затвора: 8 мА (Uзи 5 В)
EPC2033ENGR
-
Поиск
предложений
EPC2034ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095702 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В Предельный диапазон напряжений затвор-исток: -4...6 В Постоянный ток стока: до 31 А Максимальный импульсный ток: 140 А Типовое сопротивление открытого канала: 7 мОм Пороговое напряжение включения затвор-исток: 0,8...2,5 В Максимальный входной ток затвора: 7 мА (Uзи 5 В)
EPC2034ENGR
-
Поиск
предложений
EPC2108ENGRT
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095706 ИНФО PDF RD DT
Поиск
предложений
Транзисторная eGaN-сборка с рабочим напряжением 60 В предназначена для полумостовых преобразователей напряжения. Сопротивление управляющего и синхр. транзистора 150 мОм, Bootstrap-транзистора 2,1 Ом.
EPC2108ENGRT
-
Поиск
предложений
EPC8002ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095707 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 65V 2A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: - Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 21pF @ 32.5V
EPC8002ENGR
-
Поиск
предложений
EPC8005ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095708 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 65V 2.9A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.218nC @ 32.5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 29pF @ 32.5V
EPC8005ENGR
-
Поиск
предложений
EPC8007ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095709 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 40V 3.8A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: - Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 39pF @ 20V
EPC8007ENGR
-
Поиск
предложений
EPC8010ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095710 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 100V 3.4A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.354nC @ 50V Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 47pF @ 50V
EPC8010ENGR
-
Поиск
предложений
EPC9047
EPC9047
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095713 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Демоплата EPC9047 содержит на борту все необходимое для знакомства и начала работы с eGaN: полумостовую схему на базе EPC2033, драйверы UCC27611, гальваническую развязку, схемы задержек и формирования «мертвого времени», а так же все необходимые пассивные компоненты, разъемы и тестовые точки.
EPC9047
-
Поиск
предложений
EPC9113
EPC9113
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095714 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Демоплата совместимой со стандартом Rezence беспроводной зарядки на основе транзисторов EPC2108 и EPC2036.
EPC9113
-
Поиск
предложений
Производитель: GaN Systems
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
GS66508T-EVBHB
GS66508T-EVBHB
GaN Systems
Арт.: 2090043 ИНФО PDF
42577,82
Поиск
предложений
Характеристики отладочной платы GS66508T-EVBHB: • базовая схема: полумост; • тип транзисторов: GS66508T 650 В; • возможные схемы включения: полумост, повышающий DC/DC преобразователь, понижающий DC/DC преобразователь; • напряжение питания: 9…12 В; • выходной ток: до 30 А; • достижимый КПД: >98,5 % при выходной мощности 1…2 кВт (понижающий преобразователь).
GS66508T-EVBHB 42577,82
-
Поиск
предложений
GS66508T-E02-TY
GS66508T-E02-TY
GaN Systems
Арт.: 2090044 ИНФО PDF DT
4557,26
Поиск
предложений
Характеристики GaN-транзистора GS66508T: • Рейтинг напряжения: 650 В; • Типовое сопротивление открытого канала: 50 мОм; • Максимальное сопротивление открытого канала: 63 мОм; • Максимальный токе стока: 30А; • Допустимый диапазон напряжения затвор-исток: 0…6 В; • Устойчивость затвора к импульсным перенапряжениям: -20…+10 В; • Рабочая частота: более 100 МГц; • Расположение теплоотводящей площадки: сверху; • Корпус: GaNPX™ 6,9 x 4,5 мм.
GS66508T-E02-TY 4557,26
-
Поиск
предложений
Производитель: VisIC Technologies LTD
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
V22S65A
VisIC Technologies LTD
Арт.: 2196384 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Нормально разомкнутый нитрид-галлиевый транзистор с рейтингом напряжений 650 В, постоянным током до 50 А и импульсным током до 180 А. SIP (System In Package) корпус. Идеально подойдет для использования в импульсных асинхронных преобразователях и в корректорах коэффициента мощности.
V22S65A
-
Поиск
предложений
V22N65A
VisIC Technologies LTD
Арт.: 2196385 ИНФО PDF DT
Поиск
предложений
Нормально разомкнутый нитрид-галлиевый транзистор с напряжениtv 650 В. В отличие от V22S65A, данный ключ имеет обратный SiC-диод Шоттки. Благодаря этой особенности V22N65A может использоваться в быстродействующих мостовых и полумостовых схемах.
V22N65A
-
Поиск
предложений
Производитель: Texas Instruments
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
LMG1020YFFR
LMG1020YFFR
Texas Instruments
Арт.: 2739347 ИНФО PDF RD DT
Поиск
предложений
Cверхбыстродействующий драйвер, предназначенный для управления GaN-транзисторами силового полумоста
LMG1020YFFR
-
Поиск
предложений
LMG3410R070RWHR
LMG3410R070RWHR
Texas Instruments
Арт.: 3041736 ИНФО AN RD DT
Поиск
предложений
Half Bridge Driver Synchronous Buck Converters MOSFET (Metal Oxide) 32-VQFN (8x8)
LMG3410R070RWHR
-
Поиск
предложений
LMG3410R070RWHT
LMG3410R070RWHT
Texas Instruments
Арт.: 3041737 ИНФО AN RD DT
Поиск
предложений
Драйверы для управления затвором SMART 70MOHM GAN FET WITH DRIVER
LMG3410R070RWHT
-
Поиск
предложений
LMG3410EVM-018
LMG3410EVM-018
Texas Instruments
Арт.: 3416579 ИНФО RD
Поиск
предложений
LMG3410R050 daughter card
LMG3410EVM-018
-
Поиск
предложений
LMG3410EVM-031
LMG3410EVM-031
Texas Instruments
Арт.: 3416580 ИНФО RD
Поиск
предложений
LMG3410R150 daughter card
LMG3410EVM-031
-
Поиск
предложений

Сравнение позиций

  • ()