eGaN ключи (Харвестеры)

Растущий рынок вычислительной техники и телекоммуникаций требует все более компактных решений с высокими показателями КПД и плотности мощности для промежуточных шинных преобразователей. Замечательным вариантом для таких задач является резонансный LLC-конвертер. По сравнению с кремниевыми полевыми транзисторами, полевые транзисторы eGaN с их сверхнизким сопротивлением и малыми паразитными емкостями выгодны для применения в резонансных LLC-преобразователях благодаря малому уровню потерь.

Производитель: Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
EPC2001
EPC2001
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371540 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 100V 25A
EPC2001
-
Поиск
предложений
EPC2007
EPC2007
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371541 ИНФО PDF AN RD DT
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 100V 6A
EPC2007
-
Поиск
предложений
EPC2010
EPC2010
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371542 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 200V 12A
EPC2010
-
Поиск
предложений
EPC2012
EPC2012
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371543 ИНФО PDF AN DT
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 200V 3A
EPC2012
-
Поиск
предложений
EPC2014
EPC2014
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371544 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 40V 10A
EPC2014
-
Поиск
предложений
EPC2015
EPC2015
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371545 ИНФО PDF AN RD DT
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 40V 33A
EPC2015
-
Поиск
предложений
EPC2016
EPC2016
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371546 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 100V 11A
EPC2016
-
Поиск
предложений
EPC8004ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371549 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 40V 4.4A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: - Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @ 20V
EPC8004ENGR
-
Поиск
предложений
EPC2021ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904818 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 80V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 29A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 14mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1700pF @ 40V
EPC2021ENG
-
Поиск
предложений
EPC2023ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904820 ИНФО PDF AN RD DT
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 30V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 mOhm @ 40A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 20mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2300pF @ 15V
EPC2023ENG
-
Поиск
предложений
EPC2022ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904821 ИНФО PDF AN RD DT
1392,04
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 100V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 25A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 12mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1500pF @ 50V
EPC2022ENG 1392,04
-
Поиск
предложений
EPC2020ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904823 ИНФО PDF AN DT
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 60V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 31A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 16mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1800pF @ 30V
EPC2020ENG
-
Поиск
предложений
EPC9035
EPC9035
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904825 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Демоплата включает в себя транзисторы EPC2022 включенные по полумостовой схеме и драйвер LM5113 со всеми необходимыми элементами обвязки и выходным напряжением до 100V.
EPC9035
-
Поиск
предложений
EPC9201
EPC9201
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1920909 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
EPC9201 – отладочная плата полумостового преобразователя (30 В, 40 А) "Plug and Play" предназначена для быстрой и простой оценки эффективности мощных нитрид галлиевых силовых транзисторов, их оптимальной компоновки вместе с другими компонентами
EPC9201
-
Поиск
предложений
EPC2018
EPC2018
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095695 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 150V 12A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 540pF @ 100V
EPC2018
-
Поиск
предложений
EPC2019
EPC2019
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095696 ИНФО PDF RD DT
Поиск
предложений
Cиловой нитрид-галлиевый транзистор, N-Channel 200V 8.5A (Ta) Surface Mount Die
EPC2019
-
Поиск
предложений
EPC2024ENG
EPC2024ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095697 ИНФО PDF AN DT
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 40V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 mOhm @ 37A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 19mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2100pF @ 20V
EPC2024ENG
-
Поиск
предложений
EPC2025ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095698 ИНФО PDF DT
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 300V 4A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 300V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 3A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 194pF @ 240V
EPC2025ENGR
-
Поиск
предложений
EPC2027ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095699 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 450V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 2.5A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 600µA Gate Charge (Qg) @ Vgs 1.7nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 180pF @ 360V
EPC2027ENGR
-
Поиск
предложений
EPC2033ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095701 ИНФО PDF DT
Поиск
предложений
Максимальное напряжение сток-исток: 150 В Предельный диапазон напряжений затвор-исток: -4...6 В Постоянный ток стока: до 31 А Максимальный импульсный ток: 260 А Типовое сопротивление открытого канала: 5 мОм Пороговое напряжение включения затвор-исток: 0,8...2,5 В Максимальный входной ток затвора: 8 мА (Uзи 5 В)
EPC2033ENGR
-
Поиск
предложений
EPC2034ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095702 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В Предельный диапазон напряжений затвор-исток: -4...6 В Постоянный ток стока: до 31 А Максимальный импульсный ток: 140 А Типовое сопротивление открытого канала: 7 мОм Пороговое напряжение включения затвор-исток: 0,8...2,5 В Максимальный входной ток затвора: 7 мА (Uзи 5 В)
EPC2034ENGR
-
Поиск
предложений
EPC2108ENGRT
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095706 ИНФО PDF RD DT
Поиск
предложений
Транзисторная eGaN-сборка с рабочим напряжением 60 В предназначена для полумостовых преобразователей напряжения. Сопротивление управляющего и синхр. транзистора 150 мОм, Bootstrap-транзистора 2,1 Ом.
EPC2108ENGRT
-
Поиск
предложений
EPC8002ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095707 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 65V 2A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: - Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 21pF @ 32.5V
EPC8002ENGR
-
Поиск
предложений
EPC8005ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095708 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 65V 2.9A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.218nC @ 32.5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 29pF @ 32.5V
EPC8005ENGR
-
Поиск
предложений
EPC8007ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095709 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 40V 3.8A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: - Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 39pF @ 20V
EPC8007ENGR
-
Поиск
предложений
EPC8010ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095710 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 100V 3.4A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.354nC @ 50V Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 47pF @ 50V
EPC8010ENGR
-
Поиск
предложений
EPC9047
EPC9047
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095713 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Демоплата EPC9047 содержит на борту все необходимое для знакомства и начала работы с eGaN: полумостовую схему на базе EPC2033, драйверы UCC27611, гальваническую развязку, схемы задержек и формирования «мертвого времени», а так же все необходимые пассивные компоненты, разъемы и тестовые точки.
EPC9047
-
Поиск
предложений
EPC9113
EPC9113
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095714 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Демоплата совместимой со стандартом Rezence беспроводной зарядки на основе транзисторов EPC2108 и EPC2036.
EPC9113
-
Поиск
предложений

Сравнение позиций

  • ()