eGaN ключи

Использование нитрид-галлиевых полевых транзисторов, например, в обратноходовых преобразователях, позволяет добиваться значительного повышения эффективности источников питания. В данной статье раскрывается, за счет чего это происходит.

В статье анализируется потенциал силовых GaN-устройств и важность использования драйверов для GaN-ключей, проводится сравнение характеристик нитрид-галлиевых транзисторов и MOSFET, а также кратко рассматриваются методы уменьшения влияния шумов, возникающих в цепи затвора.

Недавно компания Texas Instruments выпустила новые драйверы LMG1020 и LMG1210, способные работать на частотах 50 МГц и 60 МГц, соответственно. Важными достоинствами LMG1210 являются низкие задержки распространения управляющих сигналов 10 нс и отличное согласование задержек между верхним и нижним каналами – не хуже 1,5 нс, что позволяет выбирать минимально возможную длительность мертвого времени, и как следствие, увеличивать КПД полумостового преобразователя на 5%.

В данной статье рассматриваются характеристики и особенности корпусных исполнений силовых GaN-модулей от VisIC. Особый акцент делается на применение GaN-технологии для высоковольтных, высокомощных и высокочастотных приложений.

В июле компания GaN Systems объявила о многомиллионной поддержке со стороны венчурного фонда BMW i Ventures, который является инвестиционным подразделением известного автопроизводителя. Наверняка такой интерес баварских машиностроителей продиктован высоким потенциалом GaN-технологий на рынке электромобилей. Хотя GaN Systems далеко не единственная фирма, работающая в данной области, тем не менее, ее отличает наличие готовых решений и технологий. Ранее на портале УНИТЕРА уже публиковалась обзорная статья по силовым нитрид-галлиевым транзисторам от GaN Systems. На этот раз мы постараемся более подробно рассмотреть технологии, предлагаемые компанией.

Компания VisIC Technologies специализируется на выпуске нитрид-галлиевых транзисторов и постоянно расширяет номенклатуру своих изделий. Недавно к существующим моделям добавился новый силовой ключ V80N65B. Теперь к услугам разработчиков предлагается пять типов транзисторов с рейтингом напряжения 650 В и сопротивлением открытого канала от 15 мОм. Все они способны работать на частотах более 200 кГц с минимальным уровнем потерь. Благодаря оценочному набору EVB-HB уже сейчас без лишних усилий можно ознакомиться со всеми преимуществами нитрид-галлиевых ключей от VisIC Technologies.

Несмотря на масштабное наступление нитрид-галлиевых и карбид-кремниевых технологий, силовые кремниевые компоненты пока что достаточно уверенно сдерживают их натиск. Так, например, новые N-канальные ключи STL140N4F7AG и STL190N4F7AG из семейства STripFET F7 от ST Microelectronics хотя и не могут поспорить с GaN-транзисторами в плане быстродействия, тем не менее, демонстрируют рекордно низкие значения сопротивления открытого канала, компактные габариты и постоянную токовую нагрузку до 120 А!

Компания VisIC Technologies начала выпуск нитрид-галлиевых транзисторов с рейтингом напряжения 650 В и способных работать на частотах более 200 кГц с минимальным уровнем потерь. В то же время ближайшие конкуренты в лице кремниевых МДП-транзисторов и БТИЗ могут эффективно применяться при скоростях коммутаций до 150 кГц. Таким образом, транзисторы VisIC Technologies становятся чрезвычайно интересными с точки зрения их использования в силовых импульсных устройствах, например, в корректорах коэффициента мощности или в высоковольтных импульсных регуляторах напряжения.

Современные технологии беспроводной передачи данных по радиоканалу, такие как 4G LTE, требуют достаточно мощного источника питания. При этом кроме большой выходной мощности необходимо обеспечить и его высокую эффективность. Это особенно важно в случае мобильных устройств с аккумуляторным питанием. Для выполнения этих требований было разработано несколько решений. Одним из них стала технология Envelope Tracking, которая получает дополнительное преимущество при использовании силовых нитрид-галлиевых GaN-транзисторов. В статье рассматриваются практические результаты, достигнутые при реализации источника питания для Envelope Tracking на транзисторах EPC8004 от компании EPC.

Беспроводная передача энергии – чрезвычайно перспективная область электроники. В рамках рубрики УНИТЕРЫ рассматривались различные примеры ее реализации: от слаботочных зарядных устройств для смартфонов, до мощных автомобильных решений. Так, например, компания WiTricityпредлагает технологию, позволяющую передавать без проводов от 10 Вт до 3,3 кВт. Силовая часть в таких схемах работает на повышенных частотах 6,78 МГц. Именно в этих приложениях можно наиболее полно раскрыть потенциал eGaN-транзисторов от компании EPC.

Технологии нитрид-галлиевых транзисторов уже давно перешли из разряда теоретических и перспективных в ранг реальных. Многие разработчики с радостью берутся использовать GaN в своих устройствах, но испуганно отказываются от этой затеи, как только узнают, что работа с ними отличается от работы с привычными кремниевыми транзисторами. Компания Xsystor предлагает контроллеры, которые позволяют управлять GaN-транзисторами с помощью обычной ТТЛ-логики, например, напрямую от микроконтроллера!

Для продвижения своей продукции GaN Systems выпустила отладочную плату GS66508T-EVBHB, которая в очередной раз демонстрирует преимущества GaN-транзисторов. При использовании GS66508T-EVBHB в составе синхронного понижающего преобразователя значение КПД превысило 98,5% для диапазона выходных мощностей 1…2 КВт! Главная особенность данной отладочной платы заключается в том, что она выполнена в виде небольшого стенда, схему которого определяет пользователь с помощью подключения внешних проводников и компонентов.

Отладочная плата полумостового преобразователя (30 В, 40 А) "Plug and Play" предназначена для быстрой и простой оценки эффективности мощных нитрид галлиевых силовых транзисторов, их оптимальной компоновки вместе с другими компонентами.

Новые технологии не всегда принимаются сообществом разработчиков с распростертыми объятиями. Иногда даже самые прорывные продукты вначале вызывают недоверие. Не стала исключением и новая технология eGaN® транзисторов и транзисторных сборок от компании EPC. Характеристики этих силовых ключей во многих случаях значительно превосходят характеристики привычных кремниевых транзисторов. eGaN имеют меньшее сопротивление открытого канала, большее быстродействие и удельную мощность, высокую стабильность свойств при воздействии радиации и изменении температуры.

Исследуем eGaN на электромагнитные помехи
08/10/2015 | Efficient Power Conversion (EPC) Corporation

В последнее время все большее распространение получают полупроводниковые изделия на основе нитрида галлия GaN, отличающиеся от кремниевых изделий большими скоростями переключения и эффективностью. Активное участие в продвижении GaN-технологий принимает компания EPC, разработавшая и реализовавшая на практике технологию еGaN (enhanced GaN), улучшающую и без того хорошие характеристики силовых GaN-транзисторов.

Производитель: Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
EPC2001
EPC2001
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371540 ИНФО PDF AN RD
Доступно: 36 шт. 541,00
Выбрать
условия
поставки
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 100V 25A
EPC2001 541,00 от 8 шт. 463,00 от 16 шт. 417,00 от 34 шт. 386,00 от 89 шт. 367,00
36 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
EPC2007
EPC2007
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371541 ИНФО PDF AN RD DT
161,00
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 100V 6A
EPC2007 161,00 от 24 шт. 138,00 от 53 шт. 124,00 от 114 шт. 115,00 от 299 шт. 109,00
-
Поиск
предложений
EPC2010
EPC2010
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371542 ИНФО PDF AN
Доступно: 1 шт. 1240,00
Выбрать
условия
поставки
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 200V 12A
EPC2010 1240,00 от 4 шт. 1060,00 от 7 шт. 957,00 от 15 шт. 886,00 от 39 шт. 842,00
1 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
EPC2012
EPC2012
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371543 ИНФО PDF AN DT
238,00
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 200V 3A
EPC2012 238,00 от 16 шт. 204,00 от 36 шт. 184,00 от 77 шт. 170,00 от 202 шт. 162,00
-
Поиск
предложений
EPC2014
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371544 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 40V 10A
EPC2014
-
Поиск
предложений
EPC2015
EPC2015
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371545 ИНФО PDF AN RD DT
Доступно: 5 шт. 456,00
Выбрать
условия
поставки
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 40V 33A
EPC2015 456,00 от 9 шт. 390,00 от 19 шт. 351,00 от 41 шт. 325,00 от 106 шт. 309,00
5 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
EPC2016
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371546 ИНФО PDF RD
302,00
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 100V 11A
EPC2016 302,00 от 13 шт. 259,00 от 28 шт. 233,00 от 61 шт. 216,00 от 160 шт. 205,00
-
Поиск
предложений
EPC8004ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371549 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 40V 4.4A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: - Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @ 20V
EPC8004ENGR
-
Поиск
предложений
EPC2021ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904818 ИНФО PDF AN RD
1405,33
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 80V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 29A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 14mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1700pF @ 40V
EPC2021ENG 1405,33
-
Поиск
предложений
EPC2023ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904820 ИНФО PDF AN RD DT
1243,98
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 30V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 mOhm @ 40A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 20mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2300pF @ 15V
EPC2023ENG 1243,98
-
Поиск
предложений
EPC2022ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904821 ИНФО PDF AN RD DT
1392,32
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 100V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 25A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 12mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1500pF @ 50V
EPC2022ENG 1392,32
-
Поиск
предложений
EPC2020ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904823 ИНФО PDF AN DT
1318,15
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 60V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 31A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 16mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1800pF @ 30V
EPC2020ENG 1318,15
-
Поиск
предложений
EPC9035
EPC9035
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904825 ИНФО PDF
Доступно: 4 шт. 12000,00
Выбрать
условия
поставки
Демоплата включает в себя транзисторы EPC2022 включенные по полумостовой схеме и драйвер LM5113 со всеми необходимыми элементами обвязки и выходным напряжением до 100V.
EPC9035 12000,00 от 2 шт. 11110,00 от 4 шт. 10560,00 от 7 шт. 10500,00
4 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
EPC9201
EPC9201
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1920909 ИНФО PDF AN
4900,00
Поиск
предложений
EPC9201 – отладочная плата полумостового преобразователя (30 В, 40 А) "Plug and Play" предназначена для быстрой и простой оценки эффективности мощных нитрид галлиевых силовых транзисторов, их оптимальной компоновки вместе с другими компонентами
EPC9201 4900,00 от 2 шт. 4410,00 от 4 шт. 4080,00 от 9 шт. 3880,00 от 17 шт. 3860,00
-
Поиск
предложений
EPC2018
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095695 ИНФО PDF
1627,84
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 150V 12A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 540pF @ 100V
EPC2018 1627,84
-
Поиск
предложений
EPC2019
EPC2019
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095696 ИНФО PDF RD DT
Доступно: 173 шт. 543,92
Выбрать
условия
поставки
Cиловой нитрид-галлиевый транзистор, N-Channel 200V 8.5A (Ta) Surface Mount Die
EPC2019 543,92
173 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
EPC2024ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095697 ИНФО PDF AN DT
1275,21
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 40V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 mOhm @ 37A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 19mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2100pF @ 20V
EPC2024ENG 1275,21
-
Поиск
предложений
EPC2025ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095698 ИНФО PDF DT
1147,69
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 300V 4A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 300V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 3A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 194pF @ 240V
EPC2025ENGR 1147,69
-
Поиск
предложений
EPC2027ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095699 ИНФО PDF
1259,59
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 450V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 2.5A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 600µA Gate Charge (Qg) @ Vgs 1.7nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 180pF @ 360V
EPC2027ENGR 1259,59
-
Поиск
предложений
EPC2033ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095701 ИНФО PDF DT
921,27
Поиск
предложений
Максимальное напряжение сток-исток: 150 В Предельный диапазон напряжений затвор-исток: -4...6 В Постоянный ток стока: до 31 А Максимальный импульсный ток: 260 А Типовое сопротивление открытого канала: 5 мОм Пороговое напряжение включения затвор-исток: 0,8...2,5 В Максимальный входной ток затвора: 8 мА (Uзи 5 В)
EPC2033ENGR 921,27
-
Поиск
предложений
EPC2034ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095702 ИНФО PDF RD
948,60
Поиск
предложений
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В Предельный диапазон напряжений затвор-исток: -4...6 В Постоянный ток стока: до 31 А Максимальный импульсный ток: 140 А Типовое сопротивление открытого канала: 7 мОм Пороговое напряжение включения затвор-исток: 0,8...2,5 В Максимальный входной ток затвора: 7 мА (Uзи 5 В)
EPC2034ENGR 948,60
-
Поиск
предложений
EPC2108ENGRT
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095706 ИНФО PDF RD DT
Поиск
предложений
Транзисторная eGaN-сборка с рабочим напряжением 60 В предназначена для полумостовых преобразователей напряжения. Сопротивление управляющего и синхр. транзистора 150 мОм, Bootstrap-транзистора 2,1 Ом.
EPC2108ENGRT
-
Поиск
предложений
EPC8002ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095707 ИНФО PDF AN RD
2355,23
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 65V 2A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: - Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 21pF @ 32.5V
EPC8002ENGR 2355,23
-
Поиск
предложений
EPC8005ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095708 ИНФО PDF AN
2342,22
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 65V 2.9A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.218nC @ 32.5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 29pF @ 32.5V
EPC8005ENGR 2342,22
-
Поиск
предложений
EPC8007ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095709 ИНФО PDF AN
1366,30
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 40V 3.8A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: - Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 39pF @ 20V
EPC8007ENGR 1366,30
-
Поиск
предложений
EPC8010ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095710 ИНФО PDF RD
2381,26
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 100V 3.4A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.354nC @ 50V Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 47pF @ 50V
EPC8010ENGR 2381,26
-
Поиск
предложений
EPC9047
EPC9047
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095713 ИНФО PDF
17826,91
Поиск
предложений
Демоплата EPC9047 содержит на борту все необходимое для знакомства и начала работы с eGaN: полумостовую схему на базе EPC2033, драйверы UCC27611, гальваническую развязку, схемы задержек и формирования «мертвого времени», а так же все необходимые пассивные компоненты, разъемы и тестовые точки.
EPC9047 17826,91
-
Поиск
предложений
EPC9113
EPC9113
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095714 ИНФО PDF
104098,72
Поиск
предложений
Демоплата совместимой со стандартом Rezence беспроводной зарядки на основе транзисторов EPC2108 и EPC2036.
EPC9113 104098,72
-
Поиск
предложений
Производитель: GaN Systems
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
GS66508T-EVBHB
GS66508T-EVBHB
GaN Systems
Арт.: 2090043 ИНФО PDF
42550,35
Поиск
предложений
Характеристики отладочной платы GS66508T-EVBHB: • базовая схема: полумост; • тип транзисторов: GS66508T 650 В; • возможные схемы включения: полумост, повышающий DC/DC преобразователь, понижающий DC/DC преобразователь; • напряжение питания: 9…12 В; • выходной ток: до 30 А; • достижимый КПД: >98,5 % при выходной мощности 1…2 кВт (понижающий преобразователь).
GS66508T-EVBHB 42550,35
-
Поиск
предложений
GS66508T-E02-TY
GS66508T-E02-TY
GaN Systems
Арт.: 2090044 ИНФО PDF DT
4554,32
Поиск
предложений
Характеристики GaN-транзистора GS66508T: • Рейтинг напряжения: 650 В; • Типовое сопротивление открытого канала: 50 мОм; • Максимальное сопротивление открытого канала: 63 мОм; • Максимальный токе стока: 30А; • Допустимый диапазон напряжения затвор-исток: 0…6 В; • Устойчивость затвора к импульсным перенапряжениям: -20…+10 В; • Рабочая частота: более 100 МГц; • Расположение теплоотводящей площадки: сверху; • Корпус: GaNPX™ 6,9 x 4,5 мм.
GS66508T-E02-TY 4554,32
-
Поиск
предложений
Производитель: XSYSTOR INC.
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
100X02R6
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092263 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В.  Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение: -2,6 В.
100X02R6
-
Поиск
предложений
200X02R6
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092264 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). Напряжение на входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -2,6 В.
200X02R6
-
Поиск
предложений
100X02R0
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092265 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение:-2,0 В.
100X02R0
-
Поиск
предложений
200X02R0
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092266 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). Напряжение на входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -2,0 В.
200X02R0
-
Поиск
предложений
100X01R4
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092267 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение: -1,4 В.
100X01R4
-
Поиск
предложений
200X01R4
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092268 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). На входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -1,4 В.
200X01R4
-
Поиск
предложений
Производитель: STMicroelectronics
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
STL140N4F7AG
STMicroelectronics
Арт.: 2176628 ИНФО PDF AN
Доступно: 366 шт. 369,55
Выбрать
условия
поставки
N-канальный полевой транзистор с рабочим напряжением до 40 В и постоянным током до 120 А! Несмотря на миниатюрный корпус PowerFLAT 5x6 WF 6x5 мм, значение типового сопротивления открытого канала этого ключа оказывается равным всего 2,1 мОм (Uзи10 В).
STL140N4F7AG 369,55
366 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
STL190N4F7AG
STMicroelectronics
Арт.: 2176632 ИНФО PDF AN
Доступно: 58 шт. 391,67
Выбрать
условия
поставки
N-канальный полевой транзистор, который отличается от STL140N4F7AG еще более низким сопротивлением 1,68 мОм (Uзи10 В). Однако входная емкость у него несколько выше и достигает 3 нФ.
STL190N4F7AG 391,67
58 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
Производитель: VisIC Technologies LTD
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
V22S65A
VisIC Technologies LTD
Арт.: 2196384 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Нормально разомкнутый нитрид-галлиевый транзистор с рейтингом напряжений 650 В, постоянным током до 50 А и импульсным током до 180 А. SIP (System In Package) корпус. Идеально подойдет для использования в импульсных асинхронных преобразователях и в корректорах коэффициента мощности.
V22S65A
-
Поиск
предложений
V22N65A
VisIC Technologies LTD
Арт.: 2196385 ИНФО PDF DT
Поиск
предложений
Нормально разомкнутый нитрид-галлиевый транзистор с напряжениtv 650 В. В отличие от V22S65A, данный ключ имеет обратный SiC-диод Шоттки. Благодаря этой особенности V22N65A может использоваться в быстродействующих мостовых и полумостовых схемах.
V22N65A
-
Поиск
предложений
Производитель: Texas Instruments
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
LMG1020YFFR
LMG1020YFFR
Texas Instruments
Арт.: 2739347 ИНФО PDF RD DT
Доступно: 364 шт. 232,92
Выбрать
условия
поставки
Cверхбыстродействующий драйвер, предназначенный для управления GaN-транзисторами силового полумоста
LMG1020YFFR 232,92
364 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки

Сравнение позиций

  • ()