Полевые транзисторы (MOSFET) (10-PZ123BA080ME-M909L18Y - 2N7002AQ-13)

Производители
Минимальная рабочая температура все
Максимальная рабочая температура все
Рассеиваемая мощность все
Rd(on) все
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса все
Конфигурация и полярность все
Макс. напряжение Vdss все
Корпус все
Номинальное напряжение Vgs все
Кол-во выводов все
Технология все
Монтаж все
Количество транзисторов все
Qg - Gate Charge все
Принять Сбросить
Позиций:
add_shopping_cart Наименование
Производитель
Купить Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб.* Наличие* Купить Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Рассеиваемая мощность Rd(on) Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса Конфигурация и полярность Макс. напряжение Vdss Корпус Номинальное напряжение Vgs Кол-во выводов Технология Монтаж Количество транзисторов Qg - Gate Charge
compare

10-PZ123BA080ME-M909L18Y
Vincotech GmbH
Арт.: 3095557 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Модуль 3 BOOST канала, 1200В 32А. RDSon 80 mOm Минимальная индуктивность за счет встроенных конденсаторов. Рабочая частота преобразования ~100кГц. Контакты для монтажа без пайки в стандартную печатную плату.
10-PZ123BA080ME-M909L18Y
-
Поиск
предложений
                           
compare

10-PZ123BA080MR-M909L28Y
Vincotech GmbH
Арт.: 3095558 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Модуль 3 BOOST канала, 1200В 35А. RDSon 80 mOm Минимальная индуктивность за счет встроенных конденсаторов. Рабочая частота преобразования ~100кГц. Контакты для монтажа без пайки в стандартную печатную плату.
10-PZ123BA080MR-M909L28Y
-
Поиск
предложений
                           
compare

10-PZ126PA080ME-M909F18Y
Vincotech GmbH
Арт.: 3095559 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Модуль 3-х фазного инвертора (3 полумоста), 1200В 35А. RDSon 80 mOm Минимальная индуктивность за счет встроенных конденсаторов. Рабочая частота преобразования ~100кГц. Контакты для монтажа без пайки в стандартную печатную плату.
10-PZ126PA080ME-M909F18Y
-
Поиск
предложений
                           
compare

10-PZ126PA080MR-M909F28Y
Vincotech GmbH
Арт.: 3095560 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Модуль 3-х фазного инвертора (3 полумоста), 1200В 35А. RDSon 80 mOm Минимальная индуктивность за счет встроенных конденсаторов. Рабочая частота преобразования ~100кГц. Контакты для монтажа без пайки в стандартную печатную плату.
10-PZ126PA080MR-M909F28Y
-
Поиск
предложений
                           
compare

1HN04CH-TL-W
1HN04CH-TL-W
On Semiconductor
Арт.: 1998348 ИНФО PDF
Доступно: 5678 шт. от 1 шт. от 67,96
Выбрать
условия
поставки
MOSFET
1HN04CH-TL-W от 1 шт. от 67,96
5678 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

1HP04CH-TL-W
1HP04CH-TL-W
On Semiconductor
Арт.: 1998349 ИНФО PDF
Доступно: 6428 шт. от 1 шт. от 60,03
Выбрать
условия
поставки
MOSFET
1HP04CH-TL-W от 1 шт. от 60,03
6428 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2N3958
Interfet Corp.
Арт.: 2791307
Доступно: 77 шт. от 1 шт. от 2077,84
Выбрать
условия
поставки
2N3958 от 1 шт. от 2077,84
77 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

2N4392
2N4392
Central Semiconductor Corp.
Арт.: 2186 ИНФО PDF
Доступно: 8 шт. от 1 шт. от 259,60
Выбрать
условия
поставки
Транзистор полевой
2N4392 от 1 шт. от 259,60
8 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

2N4393
2N4393
Central Semiconductor Corp.
Арт.: 251847 ИНФО PDF
Доступно: 5 шт. от 1 шт. от 372,89
Выбрать
условия
поставки
LS:
2N4393 от 1 шт. от 372,89
5 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

2N5486
Nte Electronics Inc.
Арт.: 568957
Доступно: 3283 шт. от 13 шт. от 112,20
Выбрать
условия
поставки
2N5486 от 13 шт. от 112,20
3283 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

2N6660
2N6660
Microchip Technology Inc.
Арт.: 2362541 ИНФО PDF AN
Доступно: 219 шт. от 1 шт. от 1761,98
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N CH, 60V, 1.7A, TO-39
2N6660 от 1 шт. от 1761,98
219 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
 
compare

2N6660
2N6660
Vishay Intertechnology Inc.
Арт.: 2362549 ИНФО PDF
Доступно: 114 шт. от 1 шт. от 3180,59
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N CH, 60V, 1.7A, TO-39
2N6660 от 1 шт. от 3180,59
114 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
       
compare

2N6661
Microchip Technology Inc.
Арт.: 2646819 ИНФО PDF AN
Доступно: 288 шт. от 1 шт. от 1336,50
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N-CH, 90V, 1.5A, TO-39-3
2N6661 от 1 шт. от 1336,50
288 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
         
compare

2N7000
2N7000
On Semiconductor
Арт.: 201335 ИНФО PDF
Доступно: 9465 шт. от 1 шт. от 40,77
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N CHANNEL, 200MA, 60V, TO-92
2N7000 от 1 шт. от 40,77
9465 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
       
compare

2N7000
2N7000
On Semiconductor
Арт.: 284349 ИНФО PDF
Доступно: 1961 шт. 3,30
MOSFET, N, LOGIC, TO-92; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:0.2A; Resistance, Rds On:5.3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2.1V; Case Style:TO-92; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:0.5A; Device Marking:2N7000; Pins, No.…
2N7000 3,30 от 500 шт. 3,30 от 1700 шт. 3,30 от 3000 шт. 3,30
1961 шт.
(на складе)
       
compare

2N7000
2N7000
Dc Components Co., Ltd
Арт.: 367763 ИНФО PDF
Доступно: 1513 шт. от 1 шт. от 37,18
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N CHANNEL, 200MA, 60V, TO-92
2N7000 от 1 шт. от 37,18
1513 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
       
compare

2N7000
2N7000
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
Арт.: 2643297 ИНФО PDF
Доступно: 7087 шт. от 1 шт. от 54,45
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N CHANNEL, 200MA, 60V, TO-92
2N7000 от 1 шт. от 54,45
7087 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
         
compare

2N7000-G
2N7000-G
Microchip Technology Inc.
Арт.: 2646820 ИНФО PDF AN
Доступно: 9207 шт. от 1 шт. от 41,91
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N-CH, 60V, 0.2A, TO-92
2N7000-G от 1 шт. от 41,91
9207 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
           
compare

2N7000BU
2N7000BU
On Semiconductor
Арт.: 43170 ИНФО PDF
Доступно: 10051 шт. от 1 шт. от 38,39
Выбрать
условия
поставки
Транзистор полевой
2N7000BU от 1 шт. от 38,39
10051 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
 
compare

2N7000G
2N7000G
On Semiconductor
Арт.: 432902 ИНФО PDF
Доступно: 289 шт. от 1 шт. от 38,17
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N, 60V, 0.2A, TO-92
2N7000G от 1 шт. от 38,17
289 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
       
compare

2N7000TA
2N7000TA
On Semiconductor
Арт.: 174966 ИНФО PDF
Доступно: 10246 шт. 4,20
MOSFET, TO-236; Transistor Type:Small Signal General Purpose; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:200mA; Resistance, Rds On:5ohm;…
2N7000TA 4,20 от 600 шт. 3,90 от 2000 шт. 3,80 от 4000 шт. 3,60
2544 шт.
(на складе)
7702 шт.
(под заказ)
 
compare

2N7000_D26Z
2N7000_D26Z
On Semiconductor
Арт.: 2362554 ИНФО PDF
Доступно: 8113 шт. от 1 шт. от 47,56
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N CH, 60V, 0.2A, TO-92,FULL REEL
2N7000_D26Z от 1 шт. от 47,56
8113 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
           
compare

2N7002
2N7002
On Semiconductor
Арт.: 185150 ИНФО PDF AN
Доступно: 27016 шт. 2,20
MOSFET, N, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:0.3A; Resistance, Rds On:2.8ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…
2N7002 2,20 от 1200 шт. 2,00 от 4000 шт. 1,90 от 9000 шт. 1,80
17426 шт.
(на складе)
9590 шт.
(под заказ)
 
compare

2N7002
2N7002
Dc Components Co., Ltd
Арт.: 362999 ИНФО PDF
Доступно: 14661 шт. 1,90
MOSFET, N, 60V, SOT-23
2N7002 1,90 от 1400 шт. 1,70 от 4700 шт. 1,70 от 9000 шт. 1,60
10111 шт.
(на складе)
4550 шт.
(под заказ)