Полевые транзисторы (MOSFET) (10-PZ123BA080ME-M909L18Y - 2N7002.215)

Производители
Минимальная рабочая температура все
Максимальная рабочая температура все
Рассеиваемая мощность все
Rd(on) все
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса все
Конфигурация и полярность все
Макс. напряжение Vdss все
Корпус все
Номинальное напряжение Vgs все
Кол-во выводов все
Технология все
Монтаж все
Количество транзисторов все
Qg - Gate Charge все
Принять Сбросить
Позиций:
add_shopping_cart Наименование
Производитель
Купить Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб.* Наличие* Купить Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Рассеиваемая мощность Rd(on) Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса Конфигурация и полярность Макс. напряжение Vdss Корпус Номинальное напряжение Vgs Кол-во выводов Технология Монтаж Количество транзисторов Qg - Gate Charge
compare

10-PZ123BA080ME-M909L18Y
Vincotech GmbH
Арт.: 3095557 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Модуль 3 BOOST канала, 1200В 32А. RDSon 80 mOm Минимальная индуктивность за счет встроенных конденсаторов. Рабочая частота преобразования ~100кГц. Контакты для монтажа без пайки в стандартную печатную плату.
10-PZ123BA080ME-M909L18Y
-
Поиск
предложений
                           
compare

10-PZ123BA080MR-M909L28Y
Vincotech GmbH
Арт.: 3095558 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Модуль 3 BOOST канала, 1200В 35А. RDSon 80 mOm Минимальная индуктивность за счет встроенных конденсаторов. Рабочая частота преобразования ~100кГц. Контакты для монтажа без пайки в стандартную печатную плату.
10-PZ123BA080MR-M909L28Y
-
Поиск
предложений
                           
compare

10-PZ126PA080ME-M909F18Y
Vincotech GmbH
Арт.: 3095559 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Модуль 3-х фазного инвертора (3 полумоста), 1200В 35А. RDSon 80 mOm Минимальная индуктивность за счет встроенных конденсаторов. Рабочая частота преобразования ~100кГц. Контакты для монтажа без пайки в стандартную печатную плату.
10-PZ126PA080ME-M909F18Y
-
Поиск
предложений
                           
compare

10-PZ126PA080MR-M909F28Y
Vincotech GmbH
Арт.: 3095560 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Модуль 3-х фазного инвертора (3 полумоста), 1200В 35А. RDSon 80 mOm Минимальная индуктивность за счет встроенных конденсаторов. Рабочая частота преобразования ~100кГц. Контакты для монтажа без пайки в стандартную печатную плату.
10-PZ126PA080MR-M909F28Y
-
Поиск
предложений
                           
compare

10N60L-TF1-T
Unisonic Technologies Co., Ltd.
Арт.: 3670208
Доступно: 100 шт. от 13 шт. от 93,27
Выбрать
условия
поставки
10N60L-TF1-T от 13 шт. от 93,27
100 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

1HN04CH-TL-W
1HN04CH-TL-W
On Semiconductor
Арт.: 1998348 ИНФО PDF
Доступно: 3819 шт. от 1 шт. от 99,92
Выбрать
условия
поставки
MOSFET
1HN04CH-TL-W от 1 шт. от 99,92
3819 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

1HP04CH-TL-W
1HP04CH-TL-W
On Semiconductor
Арт.: 1998349 ИНФО PDF
Доступно: 15515 шт. от 45 шт. от 24,60
Выбрать
условия
поставки
MOSFET
1HP04CH-TL-W от 45 шт. от 24,60
15515 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2N3958
Interfet Corp.
Арт.: 2791307
Доступно: 15 шт. от 2 шт. от 3354,82
Выбрать
условия
поставки
2N3958 от 2 шт. от 3354,82
15 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

2N4416A
Interfet Corp.
Арт.: 2722538
Доступно: 255 шт. от 1 шт. от 1492,40
Выбрать
условия
поставки
2N4416A от 1 шт. от 1492,40
255 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

2N6660
2N6660
Microchip Technology Inc.
Арт.: 2362541 ИНФО PDF AN
Доступно: 233 шт. от 1 шт. от 1633,60
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N CH, 60V, 1.7A, TO-39
2N6660 от 1 шт. от 1633,60
233 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
 
compare

2N6661
Microchip Technology Inc.
Арт.: 2646819 ИНФО PDF AN
Доступно: 279 шт. от 1 шт. от 1364,83
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N-CH, 90V, 1.5A, TO-39-3
2N6661 от 1 шт. от 1364,83
279 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
         
compare

2N692
Vishay Intertechnology Inc.
Арт.: 511725
Доступно: 164 шт.
Выбрать
условия
поставки
2N692
164 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

2N7000
2N7000
On Semiconductor
Арт.: 201335 ИНФО PDF
Доступно: 10323 шт. от 10 шт. от 36,97
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N CHANNEL, 200MA, 60V, TO-92
2N7000 от 10 шт. от 36,97
10323 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
       
compare

2N7000
2N7000
On Semiconductor
Арт.: 284349 ИНФО PDF
Доступно: 3293 шт. 8,80
MOSFET, N, LOGIC, TO-92; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:0.2A; Resistance, Rds On:5.3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2.1V; Case Style:TO-92; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:0.5A; Device Marking:2N7000; Pins, No.…
2N7000 8,80 от 75 шт. 8,80 от 422 шт. 8,80 от 2000 шт. 8,60 от 5000 шт. 8,30
3293 шт.
(на складе)
       
compare

2N7000
2N7000
Dc Components Co., Ltd
Арт.: 367763 ИНФО PDF
Доступно: 5628 шт. 3,60
MOSFET, N CHANNEL, 200MA, 60V, TO-92
2N7000 3,60 от 300 шт. 3,40 от 1300 шт. 3,00 от 5000 шт. 2,90 от 14000 шт. 2,80
5374 шт.
(на складе)
254 шт.
(под заказ)
       
compare

2N7000
2N7000
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
Арт.: 2643297 ИНФО PDF
Доступно: 31284 шт. от 25 шт. от 12,20
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N CHANNEL, 200MA, 60V, TO-92
2N7000 от 25 шт. от 12,20
31284 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
         
compare

2N7000-G
2N7000-G
Microchip Technology Inc.
Арт.: 2646820 ИНФО PDF AN
Доступно: 4705 шт. от 1 шт. от 81,11
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N-CH, 60V, 0.2A, TO-92
2N7000-G от 1 шт. от 81,11
4705 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
           
compare

2N7000BU
2N7000BU
On Semiconductor
Арт.: 43170 ИНФО PDF
Доступно: 5456 шт. от 1 шт. от 69,95
Выбрать
условия
поставки
Транзистор полевой
2N7000BU от 1 шт. от 69,95
5456 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
 
compare

2N7000TA
2N7000TA
On Semiconductor
Арт.: 174966 ИНФО PDF
Доступно: 9401 шт. 6,60
MOSFET, TO-236; Transistor Type:Small Signal General Purpose; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:200mA; Resistance, Rds On:5ohm;…
2N7000TA 6,60 от 130 шт. 6,30 от 690 шт. 5,50 от 2900 шт. 5,30 от 8000 шт. 5,10
1045 шт.
(на складе)
8356 шт.
(под заказ)
 
compare

2N7000_D26Z
2N7000_D26Z
On Semiconductor
Арт.: 2362554 ИНФО PDF
Доступно: 4982 шт. от 1 шт. от 76,60
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N CH, 60V, 0.2A, TO-92,FULL REEL
2N7000_D26Z от 1 шт. от 76,60
4982 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
           
compare

2N7002
2N7002
Dc Components Co., Ltd
Арт.: 362999 ИНФО PDF
Доступно: 36629 шт. 2,00
MOSFET, N, 60V, SOT-23
2N7002 2,00 от 500 шт. 1,90 от 2300 шт. 1,70 от 9000 шт. 1,60 от 24000 шт. 1,50
1338 шт.
(на складе)
35291 шт.
(под заказ)
       
compare

2N7002
2N7002
Galaxy Microsystems Ltd.
Арт.: 2733545 ИНФО PDF
Доступно: 8725 шт. 2,30
MOSFET, N, 60V, SOT-23
2N7002 2,30 от 400 шт. 2,20 от 2000 шт. 2,00 от 8300 шт. 1,90 от 21200 шт. 1,80
8725 шт.
(на складе)
         
compare

2N7002
2N7002
Kls Electronics Co.,Ltd
Арт.: 2735473 ИНФО PDF
Поиск
предложений
MOSFET, N, 60V, SOT-23
2N7002
-
Поиск
предложений
         
compare

2N7002
2N7002
Nte Electronics Inc.
Арт.: 3156090 ИНФО PDF
Доступно: 4349 шт. от 150 шт. от 87,76
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N, 60V, SOT-23
2N7002 от 150 шт. от 87,76
4349 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
         
compare

2N7002
2N7002
Liean-Gimn Enterprise Co. Ltd.
Арт.: 3156091 ИНФО PDF
Доступно: 5 шт. от 1 шт. от 1,24
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N, 60V, SOT-23
2N7002 от 1 шт. от 1,24
5 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
         
compare

2N7002
2N7002
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
Арт.: 3490381 ИНФО PDF
Доступно: 318061 шт. от 3000 шт. от 1,20
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N, 60V, SOT-23
2N7002 от 3000 шт. от 1,20
318061 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
         
compare

2N7002
2N7002
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Арт.: 3948300 ИНФО PDF
Доступно: 405350 шт. от 700 шт. от 1,90
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N, 60V, SOT-23
2N7002