Полевые транзисторы (MOSFET) (10-PZ123BA080ME-M909L18Y - 2N7002BK)

Производители
Минимальная рабочая температура все
Максимальная рабочая температура все
Рассеиваемая мощность все
Rd(on) все
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса все
Конфигурация и полярность все
Макс. напряжение Vdss все
Корпус все
Номинальное напряжение Vgs все
Кол-во выводов все
Технология все
Монтаж все
Количество транзисторов все
Qg - Gate Charge все
Принять Сбросить
Позиций:
add_shopping_cart Наименование
Производитель
Купить Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб.* Наличие* Купить Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Рассеиваемая мощность Rd(on) Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса Конфигурация и полярность Макс. напряжение Vdss Корпус Номинальное напряжение Vgs Кол-во выводов Технология Монтаж Количество транзисторов Qg - Gate Charge
compare

10-PZ123BA080ME-M909L18Y
Vincotech GmbH
Арт.: 3095557 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Модуль 3 BOOST канала, 1200В 32А. RDSon 80 mOm Минимальная индуктивность за счет встроенных конденсаторов. Рабочая частота преобразования ~100кГц. Контакты для монтажа без пайки в стандартную печатную плату.
10-PZ123BA080ME-M909L18Y
-
Поиск
предложений
                           
compare

10-PZ123BA080MR-M909L28Y
Vincotech GmbH
Арт.: 3095558 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Модуль 3 BOOST канала, 1200В 35А. RDSon 80 mOm Минимальная индуктивность за счет встроенных конденсаторов. Рабочая частота преобразования ~100кГц. Контакты для монтажа без пайки в стандартную печатную плату.
10-PZ123BA080MR-M909L28Y
-
Поиск
предложений
                           
compare

10-PZ126PA080ME-M909F18Y
Vincotech GmbH
Арт.: 3095559 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Модуль 3-х фазного инвертора (3 полумоста), 1200В 35А. RDSon 80 mOm Минимальная индуктивность за счет встроенных конденсаторов. Рабочая частота преобразования ~100кГц. Контакты для монтажа без пайки в стандартную печатную плату.
10-PZ126PA080ME-M909F18Y
-
Поиск
предложений
                           
compare

10-PZ126PA080MR-M909F28Y
Vincotech GmbH
Арт.: 3095560 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Модуль 3-х фазного инвертора (3 полумоста), 1200В 35А. RDSon 80 mOm Минимальная индуктивность за счет встроенных конденсаторов. Рабочая частота преобразования ~100кГц. Контакты для монтажа без пайки в стандартную печатную плату.
10-PZ126PA080MR-M909F28Y
-
Поиск
предложений
                           
compare

1HN04CH-TL-W
1HN04CH-TL-W
On Semiconductor
Арт.: 1998348 ИНФО PDF
Доступно: 5931 шт. от 17 шт. от 62,21
Выбрать
условия
поставки
MOSFET
1HN04CH-TL-W от 17 шт. от 62,21
5931 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

1HP04CH-TL-W
1HP04CH-TL-W
On Semiconductor
Арт.: 1998349 ИНФО PDF
Доступно: 6800 шт. от 19 шт. от 54,26
Выбрать
условия
поставки
MOSFET
1HP04CH-TL-W от 19 шт. от 54,26
6800 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2N3958
Interfet Corp.
Арт.: 2791307
Доступно: 45 шт. от 1 шт. от 2008,22
Выбрать
условия
поставки
2N3958 от 1 шт. от 2008,22
45 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

2N4392
2N4392
Central Semiconductor Corp.
Арт.: 2186 ИНФО PDF
Доступно: 1 шт. от 1 шт. от 272,69
Выбрать
условия
поставки
Транзистор полевой
2N4392 от 1 шт. от 272,69
1 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

2N4393
2N4393
Central Semiconductor Corp.
Арт.: 251847 ИНФО PDF
Доступно: 5 шт. от 1 шт. от 387,52
Выбрать
условия
поставки
LS:
2N4393 от 1 шт. от 387,52
5 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

2N6660
2N6660
Microchip Technology Inc.
Арт.: 2362541 ИНФО PDF AN
Доступно: 320 шт. от 1 шт. от 1151,04
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N CH, 60V, 1.7A, TO-39
2N6660 от 1 шт. от 1151,04
320 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
 
compare

2N6661
Microchip Technology Inc.
Арт.: 2646819 ИНФО PDF AN
Доступно: 320 шт. от 1 шт. от 1151,04
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N-CH, 90V, 1.5A, TO-39-3
2N6661 от 1 шт. от 1151,04
320 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
         
compare

2N7000
2N7000
On Semiconductor
Арт.: 201335 ИНФО PDF
Доступно: 9353 шт. от 1 шт. от 39,45
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N CHANNEL, 200MA, 60V, TO-92
2N7000 от 1 шт. от 39,45
9353 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
       
compare

2N7000
2N7000
On Semiconductor
Арт.: 284349 ИНФО PDF
Доступно: 748 шт. 5,20
MOSFET, N, LOGIC, TO-92; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:0.2A; Resistance, Rds On:5.3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2.1V; Case Style:TO-92; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:0.5A; Device Marking:2N7000; Pins, No.…
2N7000 5,20 от 200 шт. 5,00 от 800 шт. 4,70 от 1700 шт. 4,50 от 3000 шт. 4,30
748 шт.
(на складе)
       
compare

2N7000
2N7000
Dc Components Co., Ltd
Арт.: 367763 ИНФО PDF
Доступно: 9799 шт. 2,40
MOSFET, N CHANNEL, 200MA, 60V, TO-92
2N7000 2,40 от 400 шт. 2,30 от 2000 шт. 2,10 от 4000 шт. 2,10 от 8000 шт. 2,00
8000 шт.
(на складе)
1799 шт.
(под заказ)
       
compare

2N7000
2N7000
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
Арт.: 2643297 ИНФО PDF
Доступно: 5561 шт. от 1 шт. от 66,35
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N CHANNEL, 200MA, 60V, TO-92
2N7000 от 1 шт. от 66,35
5561 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
         
compare

2N7000-G
2N7000-G
Microchip Technology Inc.
Арт.: 2646820 ИНФО PDF AN
Доступно: 9099 шт. от 1 шт. от 40,55
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N-CH, 60V, 0.2A, TO-92
2N7000-G от 1 шт. от 40,55
9099 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
           
compare

2N7000BU
2N7000BU
On Semiconductor
Арт.: 43170 ИНФО PDF
Доступно: 8861 шт. от 1 шт. от 41,64
Выбрать
условия
поставки
Транзистор полевой
2N7000BU от 1 шт. от 41,64
8861 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
 
compare

2N7000G
2N7000G
On Semiconductor
Арт.: 432902 ИНФО PDF
Доступно: 7460 шт. от 1 шт. от 49,46
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N, 60V, 0.2A, TO-92
2N7000G от 1 шт. от 49,46
7460 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
       
compare

2N7000TA
2N7000TA
On Semiconductor
Арт.: 174966 ИНФО PDF
Доступно: 9906 шт. 4,10
MOSFET, TO-236; Transistor Type:Small Signal General Purpose; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:200mA; Resistance, Rds On:5ohm;…
2N7000TA 4,10 от 200 шт. 4,10 от 1000 шт. 3,80 от 2000 шт. 3,60 от 4000 шт. 3,50
2275 шт.
(на складе)
7631 шт.
(под заказ)
 
compare

2N7000_D26Z
2N7000_D26Z
On Semiconductor
Арт.: 2362554 ИНФО PDF
Доступно: 8016 шт. от 1 шт. от 46,03
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N CH, 60V, 0.2A, TO-92,FULL REEL
2N7000_D26Z от 1 шт. от 46,03
8016 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
           
compare

2N7002
2N7002
On Semiconductor
Арт.: 185150 ИНФО PDF AN
Доступно: 80466 шт. 1,90
MOSFET, N, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:0.3A; Resistance, Rds On:2.8ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…
2N7002 1,90 от 400 шт. 1,90 от 2100 шт. 1,80 от 4400 шт. 1,70 от 9000 шт. 1,60
11433 шт.
(на складе)
69033 шт.
(под заказ)
 
compare

2N7002
2N7002
Dc Components Co., Ltd
Арт.: 362999 ИНФО PDF
Доступно: 8143 шт. 1,80
MOSFET, N, 60V, SOT-23
2N7002 1,80 от 500 шт. 1,80 от 2300 шт. 1,70 от 4700 шт. 1,60 от 9000 шт. 1,50
5139 шт.
(на складе)
3004 шт.
(под заказ)
       
compare

2N7002
2N7002
NXP SEMICONDUCTORS
Арт.: 579405 ИНФО PDF OBS
Доступно: 103182 шт. 2,70
MOSFET, N, 60V, SOT-23
2N7002 2,70 от 300 шт. 2,70 от 1500 шт. 2,50 от 3100 шт. 2,40 от 6500 шт. 2,30
3654 шт.
(на складе)
99528 шт.
(под заказ)