Полевые транзисторы (MOSFET) (10-PZ123BA080ME-M909L18Y - 2N7002BKVL)

Производители
Минимальная рабочая температура все
Максимальная рабочая температура все
Рассеиваемая мощность все
Rd(on) все
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса все
Конфигурация и полярность все
Макс. напряжение Vdss все
Корпус все
Номинальное напряжение Vgs все
Кол-во выводов все
Технология все
Монтаж все
Количество транзисторов все
Qg - Gate Charge все
Принять Сбросить
Позиций:
add_shopping_cart Наименование
Производитель
Купить Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб.* Наличие* Купить Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Рассеиваемая мощность Rd(on) Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса Конфигурация и полярность Макс. напряжение Vdss Корпус Номинальное напряжение Vgs Кол-во выводов Технология Монтаж Количество транзисторов Qg - Gate Charge
compare

10-PZ123BA080ME-M909L18Y
Vincotech GmbH
Арт.: 3095557 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Модуль 3 BOOST канала, 1200В 32А. RDSon 80 mOm Минимальная индуктивность за счет встроенных конденсаторов. Рабочая частота преобразования ~100кГц. Контакты для монтажа без пайки в стандартную печатную плату.
10-PZ123BA080ME-M909L18Y
-
Поиск
предложений
                           
compare

10-PZ123BA080MR-M909L28Y
Vincotech GmbH
Арт.: 3095558 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Модуль 3 BOOST канала, 1200В 35А. RDSon 80 mOm Минимальная индуктивность за счет встроенных конденсаторов. Рабочая частота преобразования ~100кГц. Контакты для монтажа без пайки в стандартную печатную плату.
10-PZ123BA080MR-M909L28Y
-
Поиск
предложений
                           
compare

10-PZ126PA080ME-M909F18Y
Vincotech GmbH
Арт.: 3095559 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Модуль 3-х фазного инвертора (3 полумоста), 1200В 35А. RDSon 80 mOm Минимальная индуктивность за счет встроенных конденсаторов. Рабочая частота преобразования ~100кГц. Контакты для монтажа без пайки в стандартную печатную плату.
10-PZ126PA080ME-M909F18Y
-
Поиск
предложений
                           
compare

10-PZ126PA080MR-M909F28Y
Vincotech GmbH
Арт.: 3095560 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Модуль 3-х фазного инвертора (3 полумоста), 1200В 35А. RDSon 80 mOm Минимальная индуктивность за счет встроенных конденсаторов. Рабочая частота преобразования ~100кГц. Контакты для монтажа без пайки в стандартную печатную плату.
10-PZ126PA080MR-M909F28Y
-
Поиск
предложений
                           
compare

1HN04CH-TL-W
1HN04CH-TL-W
On Semiconductor
Арт.: 1998348 ИНФО PDF
Доступно: 3786 шт. от 1 шт. от 95,81
Выбрать
условия
поставки
MOSFET
1HN04CH-TL-W от 1 шт. от 95,81
3786 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

1HP04CH-TL-W
1HP04CH-TL-W
On Semiconductor
Арт.: 1998349 ИНФО PDF
Доступно: 4287 шт. от 1 шт. от 84,62
Выбрать
условия
поставки
MOSFET
1HP04CH-TL-W от 1 шт. от 84,62
4287 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
compare

2N3958
Interfet Corp.
Арт.: 2791307
Доступно: 103 шт. от 1 шт. от 2023,75
Выбрать
условия
поставки
2N3958 от 1 шт. от 2023,75
103 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                           
compare

2N6660
2N6660
Microchip Technology Inc.
Арт.: 2362541 ИНФО PDF AN
Доступно: 252 шт. от 1 шт. от 1436,55
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N CH, 60V, 1.7A, TO-39
2N6660 от 1 шт. от 1436,55
252 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
 
compare

2N6661
Microchip Technology Inc.
Арт.: 2646819 ИНФО PDF AN
Доступно: 252 шт. от 1 шт. от 1436,55
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N-CH, 90V, 1.5A, TO-39-3
2N6661 от 1 шт. от 1436,55
252 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
         
compare

2N7000
2N7000
On Semiconductor
Арт.: 201335 ИНФО PDF
Доступно: 9529 шт. от 10 шт. от 38,07
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N CHANNEL, 200MA, 60V, TO-92
2N7000 от 10 шт. от 38,07
9529 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
       
compare

2N7000
2N7000
On Semiconductor
Арт.: 284349 ИНФО PDF
Доступно: 453 шт. 10,70
MOSFET, N, LOGIC, TO-92; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:0.2A; Resistance, Rds On:5.3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2.1V; Case Style:TO-92; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:0.5A; Device Marking:2N7000; Pins, No.…
2N7000 10,70 от 70 шт. 10,50 от 374 шт. 9,70 от 774 шт. 9,40 от 1624 шт. 8,90
453 шт.
(на складе)
       
compare

2N7000
2N7000
Dc Components Co., Ltd
Арт.: 367763 ИНФО PDF
Доступно: 528 шт. 4,40
MOSFET, N CHANNEL, 200MA, 60V, TO-92
2N7000 4,40 от 200 шт. 4,30 от 1000 шт. 4,00 от 2000 шт. 3,80 от 4000 шт. 3,70
228 шт.
(на складе)
300 шт.
(под заказ)
       
compare

2N7000
2N7000
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
Арт.: 2643297 ИНФО PDF
Доступно: 22395 шт. от 10 шт. от 16,20
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N CHANNEL, 200MA, 60V, TO-92
2N7000 от 10 шт. от 16,20
22395 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
         
compare

2N7000-G
2N7000-G
Microchip Technology Inc.
Арт.: 2646820 ИНФО PDF AN
Доступно: 5496 шт. от 1 шт. от 66,01
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N-CH, 60V, 0.2A, TO-92
2N7000-G от 1 шт. от 66,01
5496 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
           
compare

2N7000BU
2N7000BU
On Semiconductor
Арт.: 43170 ИНФО PDF
Доступно: 4637 шт. от 1 шт. от 78,24
Выбрать
условия
поставки
Транзистор полевой
2N7000BU от 1 шт. от 78,24
4637 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
 
compare

2N7000G
2N7000G
On Semiconductor
Арт.: 432902 ИНФО PDF
Доступно: 145 шт. от 1 шт. от 110,37
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N, 60V, 0.2A, TO-92
2N7000G от 1 шт. от 110,37
145 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
       
compare

2N7000TA
2N7000TA
On Semiconductor
Арт.: 174966 ИНФО PDF
Доступно: 6995 шт. 4,00
MOSFET, TO-236; Transistor Type:Small Signal General Purpose; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:200mA; Resistance, Rds On:5ohm;…
2N7000TA 4,00 от 140 шт. 4,00 от 730 шт. 4,00 от 1500 шт. 4,00 от 3150 шт. 4,00
2175 шт.
(на складе)
4820 шт.
(под заказ)
 
compare

2N7000_D26Z
2N7000_D26Z
On Semiconductor
Арт.: 2362554 ИНФО PDF
Доступно: 4455 шт. от 1 шт. от 81,43
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N CH, 60V, 0.2A, TO-92,FULL REEL
2N7000_D26Z от 1 шт. от 81,43
4455 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
           
compare

2N7002
2N7002
Dc Components Co., Ltd
Арт.: 362999 ИНФО PDF
Доступно: 91074 шт. от 1 шт. от 10,31
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N, 60V, SOT-23
2N7002 от 1 шт. от 10,31
91074 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
       
compare

2N7002
2N7002
Galaxy Microsystems Ltd.
Арт.: 2733545 ИНФО PDF
Доступно: 3112 шт. от 91 шт. от 5,38
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N, 60V, SOT-23
2N7002 от 91 шт. от 5,38
3112 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
         
compare

2N7002
2N7002
Liean-Gimn Enterprise Co. Ltd.
Арт.: 3156091 ИНФО PDF
Доступно: 5 шт. от 1 шт. от 1,21
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N, 60V, SOT-23
2N7002 от 1 шт. от 1,21
5 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
         
compare

2N7002
2N7002
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
Арт.: 3490381 ИНФО PDF
Доступно: 36063 шт. от 20 шт. от 10,06
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N, 60V, SOT-23
2N7002 от 20 шт. от 10,06
36063 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
         
compare

2N7002
2N7002
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Арт.: 3948300 ИНФО PDF
Доступно: 42000 шт. от 6000 шт. от 1,53
Выбрать
условия
поставки
MOSFET, N, 60V, SOT-23
2N7002 от 6000 шт. от 1,53
42000 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
         
compare

2N7002
2N7002
On Semiconductor
Арт.: 3948314 ИНФО PDF
Доступно: 14529 шт. от 43 шт.