Модули IGBT (2MBI100VA-120-50 - FF200R12KS4HOSA1)

Производители
Количество ключей все
Ток все
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces все
Корпус все
Полярность все
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on) все
Рассеиваемая мощность Pd все
Максимальная рабочая температура все
Тип модуля все
Ток утечки затвор-эмиттер все
Product Range все
Принять Сбросить
Позиций:
add_shopping_cart Наименование
Производитель
Купить Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб.* Наличие* Купить Количество ключей Ток Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces Корпус Полярность Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on) Рассеиваемая мощность Pd Максимальная рабочая температура Тип модуля Ток утечки затвор-эмиттер Product Range
compare

2MBI100VA-120-50
2MBI100VA-120-50
Fuji Electric Co.Ltd
Арт.: 1270208 ИНФО PDF
Доступно: 63 шт. от 1 шт. от 6043,82
Выбрать
условия
поставки
IGBT MODULE, 1.2KV, 100A
2MBI100VA-120-50 от 1 шт. от 6043,82
63 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
       
compare

7MBR100U4B120-50
7MBR100U4B120-50
Fuji Electric Co.Ltd
Арт.: 541044 OBS
Доступно: 29 шт. от 1 шт. от 13003,50
Выбрать
условия
поставки
7MBR100U4B120-50 от 1 шт. от 13003,50
29 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                     
compare

A1C15S12M3
STMicroelectronics
Арт.: 2727063 ИНФО PDF AN
Доступно: 27 шт. от 1 шт. от 5671,72
Выбрать
условия
поставки
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 15A
A1C15S12M3 от 1 шт. от 5671,72
27 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
     
compare

A1C15S12M3-F
STMicroelectronics
Арт.: 2727064 ИНФО PDF AN
Доступно: 94 шт. от 1 шт. от 3261,09
Выбрать
условия
поставки
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 15A
A1C15S12M3-F от 1 шт. от 3261,09
94 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
     
compare

A1P35S12M3
STMicroelectronics
Арт.: 2727067 ИНФО PDF AN
Доступно: 36 шт. от 18 шт. от 4463,38
Выбрать
условия
поставки
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 35A
A1P35S12M3 от 18 шт. от 4463,38
36 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
     
compare

A1P35S12M3-F
STMicroelectronics
Арт.: 2727068 ИНФО PDF AN
Доступно: 101 шт. от 1 шт. от 3773,95
Выбрать
условия
поставки
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 35A
A1P35S12M3-F от 1 шт. от 3773,95
101 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
     
compare

A1P50S65M2
STMicroelectronics
Арт.: 2727069 ИНФО PDF AN
Доступно: 66 шт. от 18 шт. от 5754,30
Выбрать
условия
поставки
IGBT MOD, NPN, 650V, 50A, 208W, MODULE
A1P50S65M2 от 18 шт. от 5754,30
66 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
     
compare

A2C25S12M3
STMicroelectronics
Арт.: 2727071 ИНФО PDF AN
Доступно: 69 шт. от 1 шт. от 3268,77
Выбрать
условия
поставки
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 25A
A2C25S12M3 от 1 шт. от 3268,77
69 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
     
compare

A2C25S12M3-F
STMicroelectronics
Арт.: 2727072 ИНФО PDF AN
Доступно: 2 шт. от 1 шт. от 6156,02
Выбрать
условия
поставки
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 25A
A2C25S12M3-F от 1 шт. от 6156,02
2 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
     
compare

A2C35S12M3
STMicroelectronics
Арт.: 2727073 ИНФО PDF AN
Доступно: 10 шт. от 1 шт. от 3117,55
Выбрать
условия
поставки
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 35A
A2C35S12M3 от 1 шт. от 3117,55
10 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
     
compare

A2C50S65M2
STMicroelectronics
Арт.: 2727075 ИНФО PDF AN
Доступно: 14 шт. от 1 шт. от 4600,68
Выбрать
условия
поставки
IGBT MODULE, 6 N-CH, 650V, 50A
A2C50S65M2 от 1 шт. от 4600,68
14 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
     
compare

A2P75S12M3
STMicroelectronics
Арт.: 2727076 ИНФО PDF AN
Доступно: 65 шт. от 1 шт. от 5877,45
Выбрать
условия
поставки
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 75A
A2P75S12M3 от 1 шт. от 5877,45
65 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
     
compare

A2P75S12M3-F
STMicroelectronics
Арт.: 2727077 ИНФО PDF AN
Доступно: 38 шт. от 1 шт. от 7456,99
Выбрать
условия
поставки
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 75A
A2P75S12M3-F от 1 шт. от 7456,99
38 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
     
compare

APT40GP60JDQ2
APT40GP60JDQ2
Microsemi
Арт.: 2396192 ИНФО PDF
Доступно: 10 шт. от 1 шт. от 5246,21
Выбрать
условия
поставки
IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
APT40GP60JDQ2 от 1 шт. от 5246,21
10 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
     
compare

APT65GP60J
APT65GP60J
Microsemi
Арт.: 2396373 ИНФО PDF
Доступно: 10 шт. от 1 шт. от 4249,19
Выбрать
условия
поставки
IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
APT65GP60J от 1 шт. от 4249,19
10 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
     
compare

APTGL180A1202G
APTGL180A1202G
Microsemi
Арт.: 2396147 ИНФО PDF
Доступно: 4 шт. от 1 шт. от 10452,50
Выбрать
условия
поставки
IGBT Modules Power Module - IGBT
APTGL180A1202G от 1 шт. от 10452,50
4 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
   
compare

APTGT100TL60T3G
APTGT100TL60T3G
Microsemi
Арт.: 2396305 ИНФО PDF
Доступно: 13 шт. от 2 шт. от 1496,30
Выбрать
условия
поставки
IGBT Modules Power Module - IGBT
APTGT100TL60T3G от 2 шт. от 1496,30
13 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
     
compare

APTGT150DU120G
APTGT150DU120G
Microsemi
Арт.: 2396307 ИНФО PDF
Доступно: 31 шт. от 1 шт. от 2773,70
Выбрать
условия
поставки
IGBT Modules Power Module - IGBT
APTGT150DU120G от 1 шт. от 2773,70
31 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
   
compare

BSM200GB60DLCHOSA1
BSM200GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2112665 ИНФО PDF AN NRND
Доступно: 1 шт. 4110,00
IGBT Modules up to 600V / 650V, Our well-known 34 mm 600V dual IGBT modules are the right choice for your design. Возможности Sup…
BSM200GB60DLCHOSA1 4110,00 от 3 шт. 4110,00 от 10 шт. 4110,00 от 16 шт. 4110,00
1 шт.
(на складе)
             
compare

BSM50GD120DN2BOSA1
BSM50GD120DN2BOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2236239 ИНФО PDF OBS
Доступно: 17 шт. 15190,00
IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3
BSM50GD120DN2BOSA1 15190,00 от 2 шт. 14440,00 от 3 шт. 13990,00 от 6 шт. 13690,00
17 шт.
(на складе)
       
compare

CM100DU-24NFH
CM100DU-24NFH
Mitsubishi Electronic Corp.
Арт.: 564343 ИНФО PDF OBS
Доступно: 22 шт. от 1 шт. от 15170,70
Выбрать
условия
поставки
IGBT MODULE, 1.2KV, 100A
CM100DU-24NFH от 1 шт. от 15170,70
22 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
             
compare

CM100DY-24A
CM100DY-24A
Mitsubishi Electronic Corp.
Арт.: 175173 ИНФО PDF
Доступно: 9 шт. от 1 шт. от 16420,10
Выбрать
условия
поставки
IGBT MODULE, 1.2KV, 100A
CM100DY-24A от 1 шт. от 16420,10
9 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
             
compare

CM100TX-24S1
CM100TX-24S1
POWEREX INC
Арт.: 2424426 ИНФО PDF
Доступно: 23 шт. от 1 шт. от 12888,30
Выбрать
условия
поставки
IGBT MOD NX 100A 1200V 6-PAC
CM100TX-24S1 от 1 шт. от 12888,30
23 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
           
compare

CM150DX-24S
POWEREX INC
Арт.: 2424654 ИНФО PDF
Доступно: 4 шт. от 1 шт. от 9339,20
Выбрать
условия
поставки
IGBT MODULE DUAL 150A 1200V
CM150DX-24S от 1 шт. от 9339,20
4 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                 
compare

CM150DY-24A
CM150DY-24A
Mitsubishi Electronic Corp.
Арт.: 994162 ИНФО PDF
Доступно: 42 шт. от 1 шт. от 8142,59
Выбрать
условия
поставки
IGBT MODULE, 1.2KV, 150A
CM150DY-24A от 1 шт. от 8142,59
42 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
           
compare

CM200DY-12NF
CM200DY-12NF
Mitsubishi Electronic Corp.
Арт.: 305820 ИНФО PDF
Доступно: 1 шт. от 1 шт. от 19772,60
Выбрать
условия
поставки
полупроводн.
CM200DY-12NF от 1 шт. от 19772,60
1 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
         
compare

CM300DY-12NF
CM300DY-12NF
Mitsubishi Electronic Corp.
Арт.: 320987 ИНФО PDF
Доступно: 1 шт. от 1 шт. от 26677,00
Выбрать
условия
поставки
IGBT MOD DUAL 600V 300A NF SER
CM300DY-12NF от 1 шт. от 26677,00
1 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
         
compare

CM300DY-24A
CM300DY-24A
Mitsubishi Electronic Corp.
Арт.: 606934 OBS
Доступно: 3 шт. от 1 шт. от 36791,70
Выбрать
условия
поставки
CM300DY-24A от 1 шт. от 36791,70
3 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                     
compare

CM300DY-24NF
CM300DY-24NF
Mitsubishi Electronic Corp.
Арт.: 566952 ИНФО
Доступно: 10 шт. от 1 шт. от 23531,80
Выбрать
условия
поставки
IGBT Module
CM300DY-24NF от 1 шт. от 23531,80
10 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                     
compare

CM400DY-24A
Mitsubishi Electronic Corp.
Арт.: 153227
Доступно: 7 шт. от 1 шт. от 49462,20
Выбрать
условия
поставки
CM400DY-24A от 1 шт. от 49462,20
7 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                     
compare

CM400DY-24NF
CM400DY-24NF
Mitsubishi Electronic Corp.
Арт.: 175987
Доступно: 8 шт. от 1 шт. от 47573,70
Выбрать
условия
поставки
CM400DY-24NF от 1 шт. от 47573,70
8 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                     
compare

CM600HA-24A
CM600HA-24A
Mitsubishi Electronic Corp.
Арт.: 541727 ИНФО PDF
Доступно: 7 шт. от 1 шт. от 34366,10
Выбрать
условия
поставки
IGBT MODULE, 1200V, 600A, IGBTMOD
CM600HA-24A от 1 шт. от 34366,10
7 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
         
compare

CS3351YDR14G
On Semiconductor
Арт.: 1032017 ИНФО PDF
Доступно: 3299 шт. от 291 шт. от 90,85
Выбрать
условия
поставки
IC DVR DARL ALT REG VOLT 14SOIC
CS3351YDR14G от 291 шт. от 90,85
3299 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                     
compare

F475R12KS4BOSA1
F475R12KS4BOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 674270 ИНФО PDF RND
Доступно: 19 шт. 13110,00
IGBT Modules up to 1200V, EconoPACK™ 2 1200V fourpack IGBT module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and NTC Возможности
F475R12KS4BOSA1 13110,00 от 2 шт. 12460,00 от 4 шт. 12070,00 от 7 шт. 11810,00
19 шт.
(на складе)
   
compare

FF100R12RT4HOSA1
FF100R12RT4HOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113681 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 48 шт. 4170,00
IGBT Modules up to 1200V, Our well-known 34 mm 1200V dual IGBT modules with fast trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode are the rig…
FF100R12RT4HOSA1 4170,00 от 4 шт. 3960,00 от 10 шт. 3840,00 от 20 шт. 3760,00
48 шт.
(на складе)
     
compare

FF1200R12KE3NOSA1
FF1200R12KE3NOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113682 ИНФО PDF RND
Доступно: 2 шт. 51630,00
IGBT Modules up to 1200V, 1200V IHM 130mm Dual IGBT Module with Trench IGBT3 - The best solution for your industry applications Возможнос…
FF1200R12KE3NOSA1 51630,00 от 2 шт. 51630,00
2 шт.
(на складе)
             
compare

FF1400R12IP4BOSA1
FF1400R12IP4BOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113686 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 2 шт. 24600,00
IGBT MODULE VCES 1200V 1400A
FF1400R12IP4BOSA1 24600,00 от 2 шт. 24600,00 от 4 шт. 24600,00
2 шт.
(на складе)
   
compare

FF1400R17IP4BOSA1
FF1400R17IP4BOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113688 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 2 шт. 40420,00
1700V PrimePACK3 dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled diode and NTC.
FF1400R17IP4BOSA1 40420,00 от 2 шт. 40420,00
2 шт.
(на складе)
   
compare

FF150R12RT4HOSA1
FF150R12RT4HOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 794977 ИНФО PDF RND
Доступно: 93 шт. 4120,00
IGBT Modules up to 1200V, Our well-known 34 mm 1200V dual IGBT modules with fast trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode are the ri…
FF150R12RT4HOSA1 4120,00 от 4 шт. 3920,00 от 10 шт. 3790,00 от 20 шт. 3710,00
93 шт.
(на складе)
     
compare

FF200R12KS4HOSA1
FF200R12KS4HOSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2113703 ИНФО PDF RND
Доступно: 18 шт. 10150,00
IGBT Modules up to 1200V, Our well-known 62 mm 1200V dual IGBT modules with the fast IGBT2 for high-frequency switching are the right choice for …
FF200R12KS4HOSA1 10150,00 от 2 шт. 9650,00 от 5 шт. 9350,00 от 10 шт. 9140,00
18 шт.
(на складе)
   
*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()