Интегральные микросхемы для источников электропитания (100X01R4 - 2ED2109S06FXUMA1)

Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение: -1,4 В.

Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение:-2,0 В.

Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В.  Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение: -2,6 В.

WS2811 LED DRIVER CHIP - 10 PACK

DC/DC CONV, BUCK, 800KHZ, TO-263-7

DC/DC CONV, BUCK, 800KHZ, TO-263-7

DC/DC CONV, BUCK, 1MHZ, BQFN-41

DC/DC CONV, SYNC BUCK, 3A, 85DEG C

DC/DC CONV, BUCK, 800KHZ, TO-263-7

DC/DC CONV, BUCK, 812KHZ, TO-263-7

IGBT DRIVER, HIGH/LOW SIDE, SOIC-16

IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 2A, DSO-16

IGBT DRIVER, HIGH SIDE, SOIC-20

IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C

MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C

IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C

MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C

MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C

IGBT DRIVER, -40 TO 150DEG C

IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 6.2A, DSO-8

MOSFET DRIVER, -40 TO 150DEG C

Rail-to-rail выход, устойчивость к входному напряжению до -10 В, встроенная защита от обратного тока до 5А. Корпус: SOT23-5

Rail-to-rail выход, устойчивость к входному напряжению до -10 В, встроенная защита от обратного тока до 5 А

MOSFET DRIVER, -40 TO 150DEG C

MOSFET DRIVER, -40 TO 150DEG C

IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C

MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C

IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C

DIODE CURRENT LIMITER DO-35

DIODE CURRENT REG DO-7

Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). На входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -1,4 В.

Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). Напряжение на входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -2,0 В.

Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). Напряжение на входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -2,6 В.

MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C

Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Enhanced - High voltage, high speed power MOSFET and IGBT dual channel driver with CT technology and interlo…

MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C

MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C

MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C

MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C