Драйверы MOSFET и IGBT (100X01R4 - 2EDN7523FXTMA1)

Производители
Корпус все
Кол-во нижних каналов все
Кол-во верхних каналов все
Макс. напряжение смещения все
Макс. выходной ток спада все
Макс. выходной ток нарастания все
Тmin, все
Тмакс, все
Конфигурация все
Пиковый выходной ток все
Напряжение питания Min все
Напряжение питания Max все
Кол-во выводов все
Тип устройства все
ton, с все
toff, с все
Module Configuration все
Operating Temperature Range все
Supply Voltage Range все
Termination Type все
Принять Сбросить
Позиций:
add_shopping_cart Наименование
Производитель
Купить Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб.* Наличие* Купить Корпус Кол-во нижних каналов Кол-во верхних каналов Макс. напряжение смещения Макс. выходной ток спада Макс. выходной ток нарастания Тmin, Тмакс, Конфигурация Пиковый выходной ток Напряжение питания Min Напряжение питания Max Кол-во выводов Тип устройства ton, с toff, с Module Configuration Operating Temperature Range Supply Voltage Range Termination Type
compare

100X01R4
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092267 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение: -1,4 В.
100X01R4
-
Поиск
предложений
                                       
compare

100X02R0
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092265 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение:-2,0 В.
100X02R0
-
Поиск
предложений
                                       
compare

100X02R6
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092263 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В.  Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение: -2,6 В.
100X02R6
-
Поиск
предложений
                                       
compare

1ED020I12B2XUMA1
1ED020I12B2XUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111780 PDF AN RND
Поиск
предложений
IGBT DRIVER, HIGH/LOW SIDE, SOIC-16
1ED020I12B2XUMA1
-
Поиск
предложений
                       
compare

1ED020I12FA2XUMA2
1ED020I12FA2XUMA2
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111782 PDF AN RND
Доступно: 339 шт. 357,00
IGBT DRIVER, HIGH SIDE, SOIC-20
1ED020I12FA2XUMA2 357,00 от 3 шт. 350,00 от 12 шт. 324,00 от 24 шт. 313,00 от 50 шт. 298,00
339 шт.
(на складе)
                       
compare

1ED3120MU12HXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3640459 ИНФО PDF
Доступно: 126 шт. 140,00
IGBT DRIVER, HIGH SIDE, -40 TO 125DEG C
1ED3120MU12HXUMA1 140,00 от 6 шт. 137,00 от 29 шт. 127,00 от 60 шт. 123,00 от 125 шт. 117,00
126 шт.
(на складе)
                                       
compare

1ED3121MU12HXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3640460 ИНФО PDF
Доступно: 140 шт. 140,00
IGBT DRIVER, HIGH SIDE, -40 TO 125DEG C
1ED3121MU12HXUMA1 140,00 от 6 шт. 137,00 от 29 шт. 127,00 от 60 шт. 123,00 от 125 шт. 117,00
140 шт.
(на складе)
                                       
compare

1ED3122MU12HXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3640461 ИНФО PDF
Доступно: 140 шт. 140,00
IGBT DRIVER, HIGH SIDE, -40 TO 125DEG C
1ED3122MU12HXUMA1 140,00 от 6 шт. 137,00 от 29 шт. 127,00 от 60 шт. 123,00 от 125 шт. 117,00
140 шт.
(на складе)
                                       
compare

1ED3123MU12HXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3640462 ИНФО PDF
Доступно: 150 шт. 168,00
IGBT DRIVER, HIGH SIDE, -40 TO 125DEG C
1ED3123MU12HXUMA1 168,00 от 5 шт. 165,00 от 24 шт. 152,00 от 50 шт. 147,00 от 105 шт. 140,00
150 шт.
(на складе)
                                       
compare

1ED3124MU12HXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3640463 ИНФО PDF
Доступно: 115 шт. 168,00
IGBT DRIVER, HIGH SIDE, -40 TO 125DEG C
1ED3124MU12HXUMA1 168,00 от 5 шт. 165,00 от 24 шт. 152,00 от 50 шт. 147,00 от 105 шт. 140,00
115 шт.
(на складе)
                                       
compare

1ED3131MU12HXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3640464 ИНФО PDF
Доступно: 150 шт. 140,00
IGBT DRIVER, HIGH SIDE, -40 TO 125DEG C
1ED3131MU12HXUMA1 140,00 от 6 шт. 137,00 от 29 шт. 127,00 от 60 шт. 123,00 от 125 шт. 117,00
150 шт.
(на складе)
                                       
compare

1ED44175N01BXTSA1
1ED44175N01BXTSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626037 ИНФО PDF
Доступно: 25 шт. 41,70
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C
1ED44175N01BXTSA1 41,70 от 18 шт. 40,80 от 97 шт. 37,70 от 201 шт. 36,50 от 421 шт. 34,70
25 шт.
(на складе)
                                       
compare

1ED44176N01FXUMA1
1ED44176N01FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2722357 ИНФО PDF RD
Доступно: 1 шт. 56,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
1ED44176N01FXUMA1 56,00 от 14 шт. 54,50 от 73 шт. 50,50 от 150 шт. 48,90 от 314 шт. 46,60
1 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDC40I12AHXUMA1
1EDC40I12AHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2575827 ИНФО PDF
Доступно: 975 шт. 72,50
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C
1EDC40I12AHXUMA1 72,50 от 6 шт. 72,50 от 33 шт. 72,50 от 67 шт. 72,50 от 140 шт. 72,50
975 шт.
(на складе)
                                       
compare

1EDF5673FXUMA1
1EDF5673FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3154497 ИНФО PDF
Доступно: 29 шт. 115,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
1EDF5673FXUMA1 115,00 от 7 шт. 112,00 от 36 шт. 104,00 от 73 шт. 100,00 от 153 шт. 95,50
29 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDF5673KXUMA1
1EDF5673KXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3154498 PDF RD
Доступно: 94 шт. 62,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
1EDF5673KXUMA1 62,00 от 7 шт. 62,00 от 40 шт. 62,00 от 80 шт. 62,00 от 160 шт. 62,00
94 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDI20I12MFXUMA1
1EDI20I12MFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111790 PDF AN RND
Доступно: 2255 шт. 58,00
IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 4.4A, DSO-8
1EDI20I12MFXUMA1 58,00 от 10 шт. 58,00 от 54 шт. 58,00 от 112 шт. 58,00 от 234 шт. 58,00
2255 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDI20I12SVXUMA1
1EDI20I12SVXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265377 ИНФО PDF
Доступно: 50 шт. 167,00
IGBT DRIVER, -40 TO 150DEG C
1EDI20I12SVXUMA1 167,00 от 3 шт. 167,00 от 14 шт. 167,00 от 29 шт. 167,00 от 61 шт. 167,00
50 шт.
(на складе)
                                       
compare

1EDI30I12MFXUMA1
1EDI30I12MFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111792 PDF AN RND
Доступно: 222 шт. 56,50
IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 6.2A, DSO-8
1EDI30I12MFXUMA1 56,50 от 9 шт. 56,50 от 47 шт. 56,50 от 97 шт. 56,50 от 203 шт. 56,50
222 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDN7512GXTMA1
1EDN7512GXTMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265379 ИНФО PDF RND
Доступно: 2 шт. 32,50
Rail-to-rail выход, устойчивость к входному напряжению до -10 В, встроенная защита от обратного тока до 5 А
1EDN7512GXTMA1 32,50 от 19 шт. 32,50 от 100 шт. 32,50 от 206 шт. 32,50 от 433 шт. 32,50
2 шт.
(на складе)
           
compare

1EDN8550BXTSA1
1EDN8550BXTSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2777609 ИНФО PDF RD
Доступно: 1951 шт. 40,20
MOSFET DRIVER, -40 TO 150DEG C
1EDN8550BXTSA1 40,20 от 19 шт. 39,40 от 101 шт. 36,40 от 208 шт. 35,20 от 436 шт. 33,50
1951 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDS20I12SVXUMA1
1EDS20I12SVXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111797 PDF AN
Доступно: 40 шт. 205,00
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C
1EDS20I12SVXUMA1 205,00 от 3 шт. 205,00 от 12 шт. 205,00 от 24 шт. 205,00 от 50 шт. 205,00
40 шт.
(на складе)
                                       
compare

1EDS5663HXUMA1
1EDS5663HXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3038751 ИНФО PDF
Доступно: 28 шт. 106,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
1EDS5663HXUMA1 106,00 от 5 шт. 106,00 от 27 шт. 106,00 от 55 шт. 106,00 от 100 шт. 106,00
28 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDU20I12SVXUMA1
1EDU20I12SVXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2575830 ИНФО PDF
Доступно: 40 шт. 182,00
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C
1EDU20I12SVXUMA1 182,00 от 3 шт. 182,00 от 13 шт. 182,00 от 27 шт. 182,00 от 56 шт. 182,00
40 шт.
(на складе)
                                       
compare

1SP0635V2M1-12
1SP0635V2M1-12
Power Integrations Inc.
Арт.: 2321355 ИНФО PDF
Доступно: 10 шт. от 1 шт. от 36020,80
Выбрать
условия
поставки
IC SINGLE GATE DRIVER 35A
1SP0635V2M1-12 от 1 шт. от 36020,80
10 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                                       
compare

200X01R4
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092268 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). На входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -1,4 В.
200X01R4
-
Поиск
предложений
                                       
compare

200X02R0
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092266 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). Напряжение на входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -2,0 В.
200X02R0
-
Поиск
предложений
                                       
compare

200X02R6
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092264 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). Напряжение на входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -2,6 В.
200X02R6
-
Поиск
предложений
                                       
compare

2ASC-17A1HP
Microchip Technology Inc.
Арт.: 3939305 ИНФО PDF
Доступно: 27 шт. 14800,00
GATE DRIVER, -40 TO 85DEG C
2ASC-17A1HP 14800,00
4 шт.
(на складе)
23 шт.
(под заказ)
                                       
compare

2ED2108S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626013 ИНФО PDF
Доступно: 150 шт. 23,40
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2108S06FXUMA1 23,40 от 19 шт. 23,40 от 100 шт. 23,40 от 207 шт. 23,40 от 434 шт. 23,40
150 шт.
(на складе)
                                       
compare

2ED21091S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626014 ИНФО PDF
Доступно: 150 шт. 30,30
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED21091S06FXUMA1 30,30 от 15 шт. 30,30 от 77 шт. 30,30 от 160 шт. 30,30 от 335 шт. 30,30
150 шт.
(на складе)
                                       
compare

2ED2109S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626016 ИНФО PDF
Доступно: 138 шт. 23,80
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2109S06FXUMA1 23,80 от 19 шт. 23,80 от 99 шт. 23,80 от 204 шт. 23,80 от 428 шт. 23,80
138 шт.
(на складе)
                                       
compare

2ED2181S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626019 ИНФО PDF
Доступно: 1 шт. 83,50
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2181S06FXUMA1 83,50 от 9 шт. 81,50 от 49 шт. 75,50 от 101 шт. 73,00 от 211 шт. 69,50
1 шт.
(на складе)
                                       
compare

2ED2182S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626021 ИНФО PDF
Доступно: 85 шт. 36,80
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2182S06FXUMA1 36,80 от 12 шт. 36,80 от 64 шт. 36,80 от 132 шт. 36,80 от 277 шт. 36,80
85 шт.
(на складе)
                                       
compare

2ED2183S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626024 ИНФО PDF
Доступно: 50 шт. 90,50
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2183S06FXUMA1 90,50 от 9 шт. 88,50 от 45 шт. 82,00 от 93 шт. 79,00 от 194 шт. 75,50
50 шт.
(на складе)
                                       
compare

2EDF9275FXUMA1
2EDF9275FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3655040 ИНФО PDF RND
Доступно: 22 шт. 170,00
MOSFET GATE DRIVER, -40 TO 125DEG C
2EDF9275FXUMA1 170,00 от 5 шт. 166,00 от 24 шт. 154,00 от 50 шт. 148,00 от 100 шт. 141,00
22 шт.
(на складе)
                                       
compare

2EDL05I06PFXUMA1
2EDL05I06PFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111804 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 2258 шт. 25,70
'Драйвер затворов верхнего и нижнего ключа для IGBT Параметры: Количество каналов: 2 Тип управляемых транзисторов: IGBT; Напряжение блокировки 600 В; Ток выхода +0.36 / -0.7 А Время задержки: 420 нс Максимальная частота коммутации: 100 кГц Корпус DSO-8'
2EDL05I06PFXUMA1 25,70 от 17 шт. 25,70 от 91 шт. 25,70 от 189 шт. 25,70 от 396 шт. 25,70
2258 шт.
(на складе)
                   
compare

2EDN7424FXTMA1
2EDN7424FXTMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265381 ИНФО PDF
Доступно: 165 шт. 27,70
MOSFET DRIVER, 2-CH, LOW SIDE, SOIC-8
2EDN7424FXTMA1 27,70 от 16 шт. 27,70 от 84 шт. 27,70 от 174 шт. 27,70 от 364 шт. 27,70
165 шт.
(на складе)
                     
compare

2EDN7424RXUMA1
2EDN7424RXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265382 ИНФО PDF
Доступно: 3446 шт. 35,70
Драйверы для управления затвором, 2-CH, LOW SIDE, TSSOP-8
2EDN7424RXUMA1 35,70 от 13 шт. 35,70 от 66 шт. 35,70 от 136 шт. 35,70 от 285 шт. 35,70
3446 шт.
(на складе)
                     
compare

2EDN7523FXTMA1
2EDN7523FXTMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111810 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 415 шт. 55,00
EiceDRIVER™ 2EDN Gate Driver for MOSFETs, Возможности 5A peak source/sink current 5ns (typ.) rise/fall times < 10ns propaga…
2EDN7523FXTMA1 55,00 от 10 шт. 55,00 от 53 шт. 55,00 от 109 шт. 55,00 от 227 шт. 55,00
415 шт.
(на складе)
                       
*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()