Драйверы MOSFET и IGBT (100X01R4 - 2EDN7424FXTMA1)

Производители
Корпус все
Кол-во нижних каналов все
Кол-во верхних каналов все
Макс. напряжение смещения все
Макс. выходной ток спада все
Макс. выходной ток нарастания все
Тmin, все
Тмакс, все
Конфигурация все
Пиковый выходной ток все
Напряжение питания Min все
Напряжение питания Max все
Кол-во выводов все
Тип устройства все
ton, с все
toff, с все
Module Configuration все
Operating Temperature Range все
Supply Voltage Range все
Termination Type все
Принять Сбросить
Позиций:
add_shopping_cart Наименование
Производитель
Купить Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб.* Наличие* Купить Корпус Кол-во нижних каналов Кол-во верхних каналов Макс. напряжение смещения Макс. выходной ток спада Макс. выходной ток нарастания Тmin, Тмакс, Конфигурация Пиковый выходной ток Напряжение питания Min Напряжение питания Max Кол-во выводов Тип устройства ton, с toff, с Module Configuration Operating Temperature Range Supply Voltage Range Termination Type
compare

100X01R4
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092267 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение: -1,4 В.
100X01R4
-
Поиск
предложений
                                       
compare

100X02R0
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092265 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение:-2,0 В.
100X02R0
-
Поиск
предложений
                                       
compare

100X02R6
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092263 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В.  Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение: -2,6 В.
100X02R6
-
Поиск
предложений
                                       
compare

1ED020I12F2XUMA1
1ED020I12F2XUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2196151 PDF AN RND
Поиск
предложений
IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 2A, DSO-16
1ED020I12F2XUMA1
-
Поиск
предложений
                   
compare

1ED020I12FA2XUMA2
1ED020I12FA2XUMA2
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111782 PDF AN RND
Поиск
предложений
IGBT DRIVER, HIGH SIDE, SOIC-20
1ED020I12FA2XUMA2
-
Поиск
предложений
                       
compare

1ED44175N01BXTSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626037
Поиск
предложений
1ED44175N01BXTSA1
-
Поиск
предложений
                                       
compare

1ED44176N01FXUMA1
1ED44176N01FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2722357 ИНФО RD
Поиск
предложений
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
1ED44176N01FXUMA1
-
Поиск
предложений
                   
compare

1EDC40I12AHXUMA1
1EDC40I12AHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2575827 ИНФО
Поиск
предложений
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C
1EDC40I12AHXUMA1
-
Поиск
предложений
                                       
compare

1EDF5673FXUMA1
1EDF5673FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3154497 ИНФО
Поиск
предложений
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
1EDF5673FXUMA1
-
Поиск
предложений
                   
compare

1EDF5673KXUMA1
1EDF5673KXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3154498 RD
Поиск
предложений
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
1EDF5673KXUMA1
-
Поиск
предложений
                   
compare

1EDI20I12MFXUMA1
1EDI20I12MFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111790 PDF AN RND
Поиск
предложений
IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 4.4A, DSO-8
1EDI20I12MFXUMA1
-
Поиск
предложений
                   
compare

1EDI20I12SVXUMA1
1EDI20I12SVXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265377 ИНФО
Поиск
предложений
IGBT DRIVER, -40 TO 150DEG C
1EDI20I12SVXUMA1
-
Поиск
предложений
                                       
compare

1EDI20N12AFXUMA1
1EDI20N12AFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111791 ИНФО PDF RD RND
Поиск
предложений
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Compact - high voltage, high speed driver ICs for MOSFETs with CT technology are ideal for all topologies u…
1EDI20N12AFXUMA1
-
Поиск
предложений
                   
compare

1EDI30I12MFXUMA1
1EDI30I12MFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111792 PDF AN RND
Поиск
предложений
IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 6.2A, DSO-8
1EDI30I12MFXUMA1
-
Поиск
предложений
                   
compare

1EDN7511BXUSA1
1EDN7511BXUSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2722358 ИНФО PDF
Поиск
предложений
MOSFET DRIVER, -40 TO 150DEG C
1EDN7511BXUSA1
-
Поиск
предложений
                   
compare

1EDN7512BXTSA1
1EDN7512BXTSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265378 ИНФО PDF RND
Поиск
предложений
Rail-to-rail выход, устойчивость к входному напряжению до -10 В, встроенная защита от обратного тока до 5А. Корпус: SOT23-5
1EDN7512BXTSA1
-
Поиск
предложений
           
compare

1EDN7512GXTMA1
1EDN7512GXTMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265379 ИНФО PDF RND
Поиск
предложений
Rail-to-rail выход, устойчивость к входному напряжению до -10 В, встроенная защита от обратного тока до 5 А
1EDN7512GXTMA1
-
Поиск
предложений
           
compare

1EDN8511BXUSA1
1EDN8511BXUSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3027811 ИНФО PDF
Поиск
предложений
MOSFET DRIVER, -40 TO 150DEG C
1EDN8511BXUSA1
-
Поиск
предложений
                   
compare

1EDN8550BXTSA1
1EDN8550BXTSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2777609 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
MOSFET DRIVER, -40 TO 150DEG C
1EDN8550BXTSA1
-
Поиск
предложений
                   
compare

1EDS20I12SVXUMA1
1EDS20I12SVXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111797 PDF AN
Поиск
предложений
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C
1EDS20I12SVXUMA1
-
Поиск
предложений
                                       
compare

1EDS5663HXUMA1
1EDS5663HXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3038751 ИНФО
Поиск
предложений
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
1EDS5663HXUMA1
-
Поиск
предложений
                   
compare

1EDU20I12SVXUMA1
1EDU20I12SVXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2575830 ИНФО
Поиск
предложений
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C
1EDU20I12SVXUMA1
-
Поиск
предложений
                                       
compare

1SD536F2-CM1200HC-66H
Power Integrations Inc.
Арт.: 2292822
Доступно: 1 шт. от 1 шт. от 40858,60
Выбрать
условия
поставки
1SD536F2-CM1200HC-66H от 1 шт. от 40858,60
1 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                                       
compare

1SP0635D2S1-FZ1500R33HE3
Power Integrations Inc.
Арт.: 3156866
Доступно: 1 шт. от 1 шт. от 23333,00
Выбрать
условия
поставки
1SP0635D2S1-FZ1500R33HE3 от 1 шт. от 23333,00
1 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                                       
compare

200X01R4
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092268 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). На входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -1,4 В.
200X01R4
-
Поиск
предложений
                                       
compare

200X02R0
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092266 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). Напряжение на входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -2,0 В.
200X02R0
-
Поиск
предложений
                                       
compare

200X02R6
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092264 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). Напряжение на входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -2,6 В.
200X02R6
-
Поиск
предложений
                                       
compare

2ED020I12FIXUMA1
2ED020I12FIXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 246147 ИНФО PDF AN RD RND
Поиск
предложений
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Enhanced - High voltage, high speed power MOSFET and IGBT dual channel driver with CT technology and interlo…
2ED020I12FIXUMA1
-
Поиск
предложений
                                       
compare

2ED2106S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626010 ИНФО
Поиск
предложений
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2106S06FXUMA1
-
Поиск
предложений
                                       
compare

2ED2108S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626013 ИНФО
Поиск
предложений
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2108S06FXUMA1
-
Поиск
предложений
                                       
compare

2ED21091S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626014 ИНФО
Поиск
предложений
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED21091S06FXUMA1
-
Поиск
предложений
                                       
compare

2ED2109S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626016 ИНФО
Поиск
предложений
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2109S06FXUMA1
-
Поиск
предложений
                                       
compare

2ED2182S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626021 ИНФО
Поиск
предложений
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2182S06FXUMA1
-
Поиск
предложений
                                       
compare

2ED2183S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626024 ИНФО
Поиск
предложений
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2183S06FXUMA1
-
Поиск
предложений
                                       
compare

2ED2184S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3497950 ИНФО
Поиск
предложений
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2184S06FXUMA1
-
Поиск
предложений
                                       
compare

2ED2304S06FXUMA1
2ED2304S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2634358 ИНФО
Поиск
предложений
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2304S06FXUMA1
-
Поиск
предложений
                   
compare

2EDF7275FXUMA1
2EDF7275FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2792822 ИНФО PDF RD RND
Поиск
предложений
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
2EDF7275FXUMA1
-
Поиск
предложений
                   
compare

2EDL05I06PFXUMA1
2EDL05I06PFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111804 ИНФО PDF AN RND
Поиск
предложений
'Драйвер затворов верхнего и нижнего ключа для IGBT Параметры: Количество каналов: 2 Тип управляемых транзисторов: IGBT; Напряжение блокировки 600 В; Ток выхода +0.36 / -0.7 А Время задержки: 420 нс Максимальная частота коммутации: 100 кГц Корпус DSO-8'
2EDL05I06PFXUMA1
-
Поиск
предложений
                   
compare

2EDL05N06PFXUMA1
2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111806 ИНФО PDF AN RD RND
Поиск
предложений
MOSFET GATE DRIVER, HALF BRIDGE, DSO-8
2EDL05N06PFXUMA1
-
Поиск
предложений
                   
compare

2EDN7424FXTMA1
2EDN7424FXTMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265381 ИНФО PDF
Поиск
предложений
MOSFET DRIVER, 2-CH, LOW SIDE, SOIC-8
2EDN7424FXTMA1
-
Поиск
предложений
                     
*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()