Драйверы MOSFET и IGBT (100X01R4 - 2EDL05N06PFXUMA1)

Производители
Корпус все
Кол-во нижних каналов все
Кол-во верхних каналов все
Макс. напряжение смещения все
Макс. выходной ток спада все
Макс. выходной ток нарастания все
Тmin, все
Тмакс, все
Конфигурация все
Пиковый выходной ток все
Напряжение питания Min все
Напряжение питания Max все
Кол-во выводов все
Тип устройства все
ton, с все
toff, с все
Module Configuration все
Operating Temperature Range все
Supply Voltage Range все
Termination Type все
Принять Сбросить
Позиций:
add_shopping_cart Наименование
Производитель
Купить Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб.* Наличие* Купить Корпус Кол-во нижних каналов Кол-во верхних каналов Макс. напряжение смещения Макс. выходной ток спада Макс. выходной ток нарастания Тmin, Тмакс, Конфигурация Пиковый выходной ток Напряжение питания Min Напряжение питания Max Кол-во выводов Тип устройства ton, с toff, с Module Configuration Operating Temperature Range Supply Voltage Range Termination Type
compare

100X01R4
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092267 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение: -1,4 В.
100X01R4
-
Поиск
предложений
                                       
compare

100X02R0
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092265 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение:-2,0 В.
100X02R0
-
Поиск
предложений
                                       
compare

100X02R6
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092263 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В.  Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение: -2,6 В.
100X02R6
-
Поиск
предложений
                                       
compare

1ED020I12F2XUMA1
1ED020I12F2XUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2196151 PDF AN RND
Доступно: 8 шт. 214,00
IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 2A, DSO-16
1ED020I12F2XUMA1 214,00 от 12 шт. 198,00 от 41 шт. 192,00 от 85 шт. 182,00
8 шт.
(на складе)
                   
compare

1ED020I12FA2XUMA2
1ED020I12FA2XUMA2
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111782 PDF AN RND
Доступно: 577 шт. 180,00
IGBT DRIVER, HIGH SIDE, SOIC-20
1ED020I12FA2XUMA2 180,00 от 9 шт. 180,00 от 30 шт. 180,00 от 63 шт. 180,00
577 шт.
(на складе)
                       
compare

1ED44175N01BXTSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626037
Доступно: 185 шт. 36,40
1ED44175N01BXTSA1 36,40 от 69 шт. 33,60 от 237 шт. 32,50 от 497 шт. 30,90
185 шт.
(на складе)
                                       
compare

1ED44176N01FXUMA1
1ED44176N01FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2722357 ИНФО PDF RD
Доступно: 72 шт. 27,40
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
1ED44176N01FXUMA1 27,40 от 54 шт. 27,40 от 184 шт. 27,40 от 386 шт. 27,40
72 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDC40I12AHXUMA1
1EDC40I12AHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2575827 ИНФО PDF
Доступно: 90 шт. 121,00
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C
1EDC40I12AHXUMA1 121,00 от 21 шт. 112,00 от 71 шт. 108,00 от 149 шт. 103,00
90 шт.
(на складе)
                                       
compare

1EDF5673FXUMA1
1EDF5673FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3154497 ИНФО PDF
Доступно: 68 шт. 56,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
1EDF5673FXUMA1 56,00 от 25 шт. 56,00 от 100 шт. 56,00 от 200 шт. 56,00
68 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDF5673KXUMA1
1EDF5673KXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3154498 PDF RD
Доступно: 94 шт. 55,50
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
1EDF5673KXUMA1 55,50 от 20 шт. 55,50 от 80 шт. 55,50 от 160 шт. 55,50
94 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDI20I12SVXUMA1
1EDI20I12SVXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265377 ИНФО PDF
Доступно: 50 шт. 166,00
IGBT DRIVER, -40 TO 150DEG C
1EDI20I12SVXUMA1 166,00 от 9 шт. 166,00 от 29 шт. 166,00 от 61 шт. 166,00
50 шт.
(на складе)
                                       
compare

1EDI20N12AFXUMA1
1EDI20N12AFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111791 ИНФО PDF RD RND
Доступно: 65 шт. 65,00
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Compact - high voltage, high speed driver ICs for MOSFETs with CT technology are ideal for all topologies u…
1EDI20N12AFXUMA1 65,00 от 39 шт. 60,50 от 132 шт. 58,50 от 277 шт. 55,50
65 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDI30I12MFXUMA1
1EDI30I12MFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111792 PDF AN RND
Доступно: 454 шт. 53,00
IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 6.2A, DSO-8
1EDI30I12MFXUMA1 53,00 от 33 шт. 53,00 от 112 шт. 53,00 от 235 шт. 53,00
454 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDN7511BXUSA1
1EDN7511BXUSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2722358 ИНФО PDF
Доступно: 496 шт. 60,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 150DEG C
1EDN7511BXUSA1 60,00 от 42 шт. 55,50 от 144 шт. 53,50 от 302 шт. 51,00
496 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDN7512BXTSA1
1EDN7512BXTSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265378 ИНФО PDF RND
Доступно: 9061 шт. 39,20
Rail-to-rail выход, устойчивость к входному напряжению до -10 В, встроенная защита от обратного тока до 5А. Корпус: SOT23-5
1EDN7512BXTSA1 39,20 от 64 шт. 36,30 от 220 шт. 35,00 от 461 шт. 33,40
9061 шт.
(на складе)
           
compare

1EDN7512GXTMA1
1EDN7512GXTMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265379 ИНФО PDF RND
Доступно: 2 шт. 42,20
Rail-to-rail выход, устойчивость к входному напряжению до -10 В, встроенная защита от обратного тока до 5 А
1EDN7512GXTMA1 42,20 от 60 шт. 39,00 от 204 шт. 37,70 от 429 шт. 35,90
2 шт.
(на складе)
           
compare

1EDN8511BXUSA1
1EDN8511BXUSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3027811 ИНФО PDF
Доступно: 1631 шт. 41,10
MOSFET DRIVER, -40 TO 150DEG C
1EDN8511BXUSA1 41,10 от 61 шт. 38,00 от 210 шт. 36,70 от 440 шт. 34,90
1631 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDN8550BXTSA1
1EDN8550BXTSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2777609 ИНФО PDF RD
Доступно: 2749 шт. 30,40
MOSFET DRIVER, -40 TO 150DEG C
1EDN8550BXTSA1 30,40 от 63 шт. 30,40 от 217 шт. 30,40 от 455 шт. 30,40
2749 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDS20I12SVXUMA1
1EDS20I12SVXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111797 PDF AN
Доступно: 40 шт. 203,00
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C
1EDS20I12SVXUMA1 203,00 от 7 шт. 203,00 от 24 шт. 203,00 от 50 шт. 203,00
40 шт.
(на складе)
                                       
compare

1EDS5663HXUMA1
1EDS5663HXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3038751 ИНФО PDF
Доступно: 80 шт. 74,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
1EDS5663HXUMA1 74,00 от 19 шт. 74,00 от 65 шт. 74,00 от 136 шт. 74,00
80 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDU20I12SVXUMA1
1EDU20I12SVXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2575830 ИНФО PDF
Доступно: 40 шт. 180,00
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C
1EDU20I12SVXUMA1 180,00 от 8 шт. 180,00 от 27 шт. 180,00 от 56 шт. 180,00
40 шт.
(на складе)
                                       
compare

1SD536F2-CM1200HC-66H
Power Integrations Inc.
Арт.: 2292822
Доступно: 1 шт. от 1 шт. от 43635,90
Выбрать
условия
поставки
1SD536F2-CM1200HC-66H от 1 шт. от 43635,90
1 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                                       
compare

1SP0635D2S1-FZ1500R33HE3
Power Integrations Inc.
Арт.: 3156866
Доступно: 1 шт. от 1 шт. от 25743,10
Выбрать
условия
поставки
1SP0635D2S1-FZ1500R33HE3 от 1 шт. от 25743,10
1 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                                       
compare

200X01R4
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092268 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). На входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -1,4 В.
200X01R4
-
Поиск
предложений
                                       
compare

200X02R0
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092266 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). Напряжение на входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -2,0 В.
200X02R0
-
Поиск
предложений
                                       
compare

200X02R6
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092264 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). Напряжение на входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -2,6 В.
200X02R6
-
Поиск
предложений
                                       
compare

2ASC-12A1HP
Microchip Technology Inc.
Арт.: 3667547 ИНФО PDF
Доступно: 33 шт. от 1 шт. от 11626,50
Выбрать
условия
поставки
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
2ASC-12A1HP от 1 шт. от 11626,50
33 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                                       
compare

2ED2106S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626010 ИНФО PDF
Доступно: 105 шт. 41,70
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2106S06FXUMA1 41,70 от 60 шт. 38,50 от 207 шт. 37,20 от 434 шт. 35,50
105 шт.
(на складе)
                                       
compare

2ED2108S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626013 ИНФО PDF
Доступно: 150 шт. 41,70
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2108S06FXUMA1 41,70 от 60 шт. 38,50 от 207 шт. 37,20 от 434 шт. 35,50
150 шт.
(на складе)
                                       
compare

2ED21091S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626014 ИНФО PDF
Доступно: 150 шт. 54,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED21091S06FXUMA1 54,00 от 47 шт. 49,90 от 160 шт. 48,20 от 335 шт. 45,90
150 шт.
(на складе)
                                       
compare

2ED2109S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626016 ИНФО PDF
Доступно: 150 шт. 42,20
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2109S06FXUMA1 42,20 от 59 шт. 39,10 от 204 шт. 37,70 от 428 шт. 35,90
150 шт.
(на складе)
                                       
compare

2ED2181S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626019 ИНФО PDF
Доступно: 136 шт. 73,50
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2181S06FXUMA1 73,50 от 34 шт. 68,00 от 117 шт. 65,50 от 246 шт. 62,50
136 шт.
(на складе)
                                       
compare

2ED2182S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626021 ИНФО PDF
Доступно: 122 шт. 65,50
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2182S06FXUMA1 65,50 от 39 шт. 60,50 от 132 шт. 58,50 от 277 шт. 55,50
122 шт.
(на складе)
                                       
compare

2ED2183S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626024 ИНФО PDF
Доступно: 150 шт. 77,50
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2183S06FXUMA1 77,50 от 33 шт. 71,50 от 112 шт. 69,00 от 234 шт. 66,00
150 шт.
(на складе)
                                       
compare

2ED2184S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3497950 ИНФО PDF
Доступно: 25 шт. 65,50
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2184S06FXUMA1 65,50 от 39 шт. 60,50 от 132 шт. 58,50 от 276 шт. 55,50
25 шт.
(на складе)
                                       
compare

2ED2304S06FXUMA1
2ED2304S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2634358 ИНФО PDF
Доступно: 455 шт. 35,80
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2304S06FXUMA1 35,80 от 39 шт. 35,80 от 133 шт. 35,80 от 279 шт. 35,80
455 шт.
(на складе)
                   
compare

2EDF7275FXUMA1
2EDF7275FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2792822 ИНФО PDF RD RND
Доступно: 2363 шт. 116,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
2EDF7275FXUMA1 116,00 от 20 шт. 116,00 от 60 шт. 116,00 от 120 шт. 116,00
2363 шт.
(на складе)
                   
compare

2EDF9275FXUMA1
2EDF9275FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3655040 ИНФО PDF RND
Доступно: 100 шт. 168,00
MOSFET GATE DRIVER, -40 TO 125DEG C
2EDF9275FXUMA1 168,00 от 15 шт. 155,00 от 52 шт. 150,00 от 100 шт. 143,00
100 шт.
(на складе)
                                       
compare

2EDL05I06PFXUMA1
2EDL05I06PFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111804 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 2393 шт. 22,90
'Драйвер затворов верхнего и нижнего ключа для IGBT Параметры: Количество каналов: 2 Тип управляемых транзисторов: IGBT; Напряжение блокировки 600 В; Ток выхода +0.36 / -0.7 А Время задержки: 420 нс Максимальная частота коммутации: 100 кГц Корпус DSO-8'
2EDL05I06PFXUMA1 22,90 от 55 шт. 22,90 от 189 шт. 22,90 от 396 шт. 22,90
2393 шт.
(на складе)
                   
compare

2EDL05N06PFXUMA1
2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111806 ИНФО PDF AN RD RND
Доступно: 73 шт. 52,50
MOSFET GATE DRIVER, HALF BRIDGE, DSO-8
2EDL05N06PFXUMA1 52,50 от 48 шт. 48,60 от 164 шт. 46,90 от 344 шт. 44,70
73 шт.
(на складе)
                   
*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()