Драйверы MOSFET и IGBT (100X01R4 - 2EDN7424FXTMA1)

Производители
Корпус все
Кол-во нижних каналов все
Кол-во верхних каналов все
Макс. напряжение смещения все
Макс. выходной ток спада все
Макс. выходной ток нарастания все
Тmin, все
Тмакс, все
Конфигурация все
Пиковый выходной ток все
Напряжение питания Min все
Напряжение питания Max все
Кол-во выводов все
Тип устройства все
ton, с все
toff, с все
Module Configuration все
Operating Temperature Range все
Supply Voltage Range все
Termination Type все
Принять Сбросить
Позиций:
add_shopping_cart Наименование
Производитель
Купить Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб.* Наличие* Купить Корпус Кол-во нижних каналов Кол-во верхних каналов Макс. напряжение смещения Макс. выходной ток спада Макс. выходной ток нарастания Тmin, Тмакс, Конфигурация Пиковый выходной ток Напряжение питания Min Напряжение питания Max Кол-во выводов Тип устройства ton, с toff, с Module Configuration Operating Temperature Range Supply Voltage Range Termination Type
compare

100X01R4
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092267 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение: -1,4 В.
100X01R4
-
Поиск
предложений
                                       
compare

100X02R0
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092265 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение:-2,0 В.
100X02R0
-
Поиск
предложений
                                       
compare

100X02R6
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092263 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В.  Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение: -2,6 В.
100X02R6
-
Поиск
предложений
                                       
compare

1ED020I12B2XUMA1
1ED020I12B2XUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111780 PDF AN RND
Доступно: 1730 шт. 203,00
IGBT DRIVER, HIGH/LOW SIDE, SOIC-16
1ED020I12B2XUMA1 203,00 от 4 шт. 197,00 от 21 шт. 182,00 от 42 шт. 176,00 от 89 шт. 167,00
939 шт.
(на складе)
791 шт.
(под заказ)
                       
compare

1ED020I12F2XUMA1
1ED020I12F2XUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2196151 PDF AN RND
Доступно: 789 шт. 219,00
IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 2A, DSO-16
1ED020I12F2XUMA1 219,00 от 4 шт. 215,00 от 19 шт. 199,00 от 39 шт. 192,00 от 81 шт. 183,00
789 шт.
(на складе)
                   
compare

1ED020I12FA2XUMA2
1ED020I12FA2XUMA2
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111782 PDF AN RND
Доступно: 430 шт. 198,00
IGBT DRIVER, HIGH SIDE, SOIC-20
1ED020I12FA2XUMA2 198,00 от 3 шт. 198,00 от 14 шт. 198,00 от 29 шт. 198,00 от 60 шт. 198,00
430 шт.
(на складе)
                       
compare

1ED44175N01BXTSA1
1ED44175N01BXTSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626037 ИНФО PDF
Поиск
предложений
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C
1ED44175N01BXTSA1
-
Поиск
предложений
                                       
compare

1ED44176N01FXUMA1
1ED44176N01FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2722357 ИНФО PDF RD
Доступно: 402 шт. 49,30
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
1ED44176N01FXUMA1 49,30 от 16 шт. 48,20 от 83 шт. 44,60 от 172 шт. 43,10 от 360 шт. 41,10
402 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDC40I12AHXUMA1
1EDC40I12AHXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2575827 ИНФО PDF
Поиск
предложений
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C
1EDC40I12AHXUMA1
-
Поиск
предложений
                                       
compare

1EDF5673FXUMA1
1EDF5673FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3154497 ИНФО PDF
Доступно: 68 шт. 64,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
1EDF5673FXUMA1 64,00 от 8 шт. 64,00 от 40 шт. 64,00 от 82 шт. 64,00 от 200 шт. 64,00
68 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDF5673KXUMA1
1EDF5673KXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3154498 PDF RD
Доступно: 94 шт. 62,50
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
1EDF5673KXUMA1 62,50 от 7 шт. 62,50 от 40 шт. 62,50 от 80 шт. 62,50 от 160 шт. 62,50
94 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDI20I12SVXUMA1
1EDI20I12SVXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265377 ИНФО PDF
Доступно: 50 шт. 169,00
IGBT DRIVER, -40 TO 150DEG C
1EDI20I12SVXUMA1 169,00 от 3 шт. 169,00 от 14 шт. 169,00 от 29 шт. 169,00 от 61 шт. 169,00
50 шт.
(на складе)
                                       
compare

1EDI30I12MFXUMA1
1EDI30I12MFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111792 PDF AN RND
Доступно: 256 шт. 61,00
IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 6.2A, DSO-8
1EDI30I12MFXUMA1 61,00 от 10 шт. 61,00 от 52 шт. 61,00 от 108 шт. 61,00 от 225 шт. 61,00
256 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDI60N12AFXUMA1
1EDI60N12AFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111796 ИНФО PDF RD RND
Доступно: 1986 шт. 86,50
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Compact - high voltage, high speed driver ICs for MOSFETs with CT technology are ideal for all topologies u…
1EDI60N12AFXUMA1 86,50 от 9 шт. 84,50 от 48 шт. 78,50 от 98 шт. 75,50 от 205 шт. 72,00
1986 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDN7511BXUSA1
1EDN7511BXUSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2722358 ИНФО PDF
Доступно: 306 шт. 61,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 150DEG C
1EDN7511BXUSA1 61,00 от 13 шт. 60,00 от 67 шт. 55,50 от 138 шт. 53,50 от 290 шт. 51,00
306 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDN7512BXTSA1
1EDN7512BXTSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265378 ИНФО PDF RND
Доступно: 4575 шт. 41,30
Rail-to-rail выход, устойчивость к входному напряжению до -10 В, встроенная защита от обратного тока до 5А. Корпус: SOT23-5
1EDN7512BXTSA1 41,30 от 19 шт. 40,40 от 99 шт. 37,40 от 205 шт. 36,10 от 429 шт. 34,40
4575 шт.
(на складе)
           
compare

1EDN7512GXTMA1
1EDN7512GXTMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265379 ИНФО PDF RND
Доступно: 2 шт. 43,20
Rail-to-rail выход, устойчивость к входному напряжению до -10 В, встроенная защита от обратного тока до 5 А
1EDN7512GXTMA1 43,20 от 18 шт. 42,30 от 95 шт. 39,10 от 196 шт. 37,80 от 411 шт. 36,00
2 шт.
(на складе)
           
compare

1EDN8511BXUSA1
1EDN8511BXUSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3027811 ИНФО PDF
Доступно: 1362 шт. 42,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 150DEG C
1EDN8511BXUSA1 42,00 от 18 шт. 41,10 от 97 шт. 38,10 от 201 шт. 36,80 от 422 шт. 35,00
1362 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDN8550BXTSA1
1EDN8550BXTSA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2777609 ИНФО PDF RD
Доступно: 2663 шт. 24,20
MOSFET DRIVER, -40 TO 150DEG C
1EDN8550BXTSA1 24,20 от 20 шт. 24,20 от 105 шт. 24,20 от 217 шт. 24,20 от 455 шт. 24,20
2663 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDS20I12SVXUMA1
1EDS20I12SVXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111797 PDF AN
Доступно: 40 шт. 206,00
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C
1EDS20I12SVXUMA1 206,00 от 3 шт. 206,00 от 12 шт. 206,00 от 24 шт. 206,00 от 50 шт. 206,00
40 шт.
(на складе)
                                       
compare

1EDS5663HXUMA1
1EDS5663HXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3038751 ИНФО PDF
Доступно: 60 шт. 84,50
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
1EDS5663HXUMA1 84,50 от 6 шт. 84,50 от 30 шт. 84,50 от 62 шт. 84,50 от 131 шт. 84,50
60 шт.
(на складе)
                   
compare

1EDU20I12SVXUMA1
1EDU20I12SVXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2575830 ИНФО PDF
Доступно: 40 шт. 183,00
IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C
1EDU20I12SVXUMA1 183,00 от 3 шт. 183,00 от 13 шт. 183,00 от 27 шт. 183,00 от 56 шт. 183,00
40 шт.
(на складе)
                                       
compare

200X01R4
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092268 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). На входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -1,4 В.
200X01R4
-
Поиск
предложений
                                       
compare

200X02R0
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092266 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). Напряжение на входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -2,0 В.
200X02R0
-
Поиск
предложений
                                       
compare

200X02R6
XSYSTOR INC.
Арт.: 2092264 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). Напряжение на входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -2,6 В.
200X02R6
-
Поиск
предложений
                                       
compare

2ASC-12A1HP
Microchip Technology Inc.
Арт.: 3667547 ИНФО PDF
Доступно: 39 шт. от 1 шт. от 9302,84
Выбрать
условия
поставки
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
2ASC-12A1HP от 1 шт. от 9302,84
39 шт.
(под заказ)
Выбрать
условия
поставки
                                       
compare

2ED020I12FIXUMA1
2ED020I12FIXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 246147 ИНФО PDF AN RD RND
Доступно: 714 шт. 119,00
Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Enhanced - High voltage, high speed power MOSFET and IGBT dual channel driver with CT technology and interlo…
2ED020I12FIXUMA1 119,00 от 5 шт. 119,00 от 24 шт. 119,00 от 49 шт. 119,00 от 103 шт. 119,00
714 шт.
(на складе)
                                       
compare

2ED2108S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626013 ИНФО PDF
Доступно: 6039 шт. 32,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2108S06FXUMA1 32,00 от 19 шт. 40,00 от 100 шт. 37,00 от 207 шт. 35,80 от 434 шт. 34,10
150 шт.
(на складе)
5889 шт.
(под заказ)
                                       
compare

2ED21091S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626014 ИНФО PDF
Доступно: 150 шт. 53,50
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED21091S06FXUMA1 53,50 от 15 шт. 52,50 от 77 шт. 48,50 от 158 шт. 46,80 от 331 шт. 44,60
150 шт.
(на складе)
                                       
compare

2ED2109S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626016 ИНФО PDF
Доступно: 150 шт. 41,40
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2109S06FXUMA1 41,40 от 19 шт. 40,60 от 99 шт. 37,50 от 204 шт. 36,20 от 428 шт. 34,50
150 шт.
(на складе)
                                       
compare

2ED2181S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626019 ИНФО PDF
Доступно: 1 шт. 75,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2181S06FXUMA1 75,00 от 11 шт. 73,50 от 55 шт. 68,00 от 113 шт. 66,00 от 236 шт. 62,50
1 шт.
(на складе)
                                       
compare

2ED2182S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626021 ИНФО PDF
Доступно: 111 шт. 50,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2182S06FXUMA1 50,00 от 12 шт. 50,00 от 64 шт. 50,00 от 132 шт. 50,00 от 277 шт. 50,00
111 шт.
(на складе)
                                       
compare

2ED2183S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3626024 ИНФО PDF
Доступно: 50 шт. 79,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2183S06FXUMA1 79,00 от 10 шт. 77,50 от 52 шт. 71,50 от 107 шт. 69,00 от 224 шт. 66,00
50 шт.
(на складе)
                                       
compare

2ED2184S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3497950 ИНФО PDF
Доступно: 25 шт. 67,00
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2184S06FXUMA1 67,00 от 12 шт. 65,50 от 61 шт. 60,50 от 126 шт. 58,50 от 265 шт. 56,00
25 шт.
(на складе)
                                       
compare

2ED2304S06FXUMA1
2ED2304S06FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2634358 ИНФО PDF
Доступно: 325 шт. 33,60
MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C
2ED2304S06FXUMA1 33,60 от 13 шт. 33,60 от 67 шт. 33,60 от 139 шт. 33,60 от 291 шт. 33,60
325 шт.
(на складе)
                   
compare

2EDF7275FXUMA1
2EDF7275FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2792822 ИНФО PDF RD RND
Доступно: 2267 шт. 92,50
MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C
2EDF7275FXUMA1 92,50 от 6 шт. 92,50 от 30 шт. 92,50 от 60 шт. 92,50 от 120 шт. 92,50
2267 шт.
(на складе)
                   
compare

2EDF9275FXUMA1
2EDF9275FXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 3655040 ИНФО PDF RND
Доступно: 32 шт. 171,00
MOSFET GATE DRIVER, -40 TO 125DEG C
2EDF9275FXUMA1 171,00 от 5 шт. 168,00 от 24 шт. 155,00 от 50 шт. 150,00 от 100 шт. 143,00
32 шт.
(на складе)
                                       
compare

2EDL05I06PFXUMA1
2EDL05I06PFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111804 ИНФО PDF AN RND
Доступно: 2393 шт. 25,90
'Драйвер затворов верхнего и нижнего ключа для IGBT Параметры: Количество каналов: 2 Тип управляемых транзисторов: IGBT; Напряжение блокировки 600 В; Ток выхода +0.36 / -0.7 А Время задержки: 420 нс Максимальная частота коммутации: 100 кГц Корпус DSO-8'
2EDL05I06PFXUMA1 25,90 от 17 шт. 25,90 от 91 шт. 25,90 от 189 шт. 25,90 от 396 шт. 25,90
2393 шт.
(на складе)
                   
compare

2EDL05N06PFXUMA1
2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2111806 ИНФО PDF AN RD RND
Доступно: 4480 шт. 54,50
MOSFET GATE DRIVER, HALF BRIDGE, DSO-8
2EDL05N06PFXUMA1 54,50 от 15 шт. 52,50 от 76 шт. 48,70 от 157 шт. 47,10 от 330 шт. 44,80
1927 шт.
(на складе)
2553 шт.
(под заказ)
                   
compare

2EDN7424FXTMA1
2EDN7424FXTMA1
Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Арт.: 2265381 ИНФО PDF
Доступно: 270 шт. 33,70
MOSFET DRIVER, 2-CH, LOW SIDE, SOIC-8
2EDN7424FXTMA1 33,70 от 14 шт. 33,70 от 76 шт. 33,70 от 156 шт. 33,70 от 327 шт. 33,70
270 шт.
(на складе)
                     
*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()