Дискретные компоненты, силовые модули (EPC2014C - EPC8009)

eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор

eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 40V 33A

eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор

eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 100V 11A

TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE

Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 150V 12A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 540pF @ 100V

Cиловой нитрид-галлиевый транзистор, N-Channel 200V 8.5A (Ta) Surface Mount Die

Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 60V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 31A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 16mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1800pF @ 30V

Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 80V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 29A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 14mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1700pF @ 40V

VDS, 100 V RDS(on), 3.2 m? ID, 90 A Pulsed ID, 390 A TJ150°C RoHS 6/6, Halogen Free

Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 100V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 25A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 12mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1500pF @ 50V

Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 30V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 mOhm @ 40A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 20mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2300pF @ 15V

Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 40V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 mOhm @ 37A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 19mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2100pF @ 20V

Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 300V 4A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 300V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 3A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 194pF @ 240V

Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 450V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 2.5A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 600µA Gate Charge (Qg) @ Vgs 1.7nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 180pF @ 360V

TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

Полумостовая несиметричная сборка GaNFET транзисторов V DS , 30 V R DS(ON) , 8 m? (Q1, Control FET), 2 m? (Q2, Sync FET) I D , 10 A (Q1), 40 A (Q2) Pulsed I D , 100 A (Q1), 400 A (Q2) RoHS 6/6, Halogen Free

TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

Максимальное напряжение сток-исток: 150 В Предельный диапазон напряжений затвор-исток: -4...6 В Постоянный ток стока: до 31 А Максимальный импульсный ток: 260 А Типовое сопротивление открытого канала: 5 мОм Пороговое напряжение включения затвор-исток: 0,8...2,5 В Максимальный входной ток затвора: 8 мА (Uзи 5 В)

Максимальное напряжение сток-исток: 200 В Предельный диапазон напряжений затвор-исток: -4...6 В Постоянный ток стока: до 31 А Максимальный импульсный ток: 140 А Типовое сопротивление открытого канала: 7 мОм Пороговое напряжение включения затвор-исток: 0,8...2,5 В Максимальный входной ток затвора: 7 мА (Uзи 5 В)

TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE

100 В транзистор EPC2036 с сопротивлением открытого канала 65 мОм. 

Силовой ключ с рейтингом напряжения 100 В и сопротивлением канала 7 мОм

Силовой ключ с рейтингом напряжения 100 В и сопротивлением канала 7 мОм

Танзистор с рекордным значением сопротивления канала 10 мОм, предназначенный для коммутации напряжений до 200 В

Танзистор с рекордным значением сопротивления канала 10 мОм, предназначенный для коммутации напряжений до 200 В

Полумостовая несиметричная сборка GaNFET транзисторов V DS , 60 V R DS(ON) , 11.5 m? (Q1, Control FET), 2.7 m? (Q2, Sync FET) I D , 9.5 A (Q1), 38 A (Q2) Pulsed I D , 80 A (Q1), 350 A (Q2) RoHS 6/6, Halogen Free

Полумостовая симетричная сборка GaNFET транзисторов Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 mOhm @ 20A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA Gate Charge (Qg) @ Vgs 6.8nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 830pF @ 30V

Полумостовая симетричная сборка GaNFET транзисторов Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 20A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA Gate Charge (Qg) @ Vgs 6.5nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 760pF @ 40V

Полумостовая несиметричная сборка GaNFET транзисторов 97% System Efficiency at 22 A 48 Vin to 12 Vout, 300 kHz

TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Транзисторная сборка состоит из трех транзисторов: Q1 и Q2 объединены в полумост, а Q3 является независимым. Полумост из Q1 и Q2 - основной элемент усилителя класса D. Для управления этими транзисторами используется драйвер LM5113TM от Texas Instruments. При этом для создания синхронной бутстрепной схемы применяется транзистор Q3 той же сборки EPC2107.

Транзисторная eGaN-сборка с рабочим напряжением 60 В предназначена для полумостовых преобразователей напряжения. Сопротивление управляющего и синхр. транзистора 150 мОм, Bootstrap-транзистора 2,1 Ом.

TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

Automotive 80 V, 390 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 65V 2A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: - Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 21pF @ 32.5V

Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 40V 4.4A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: - Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @ 20V

Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 65V 2.9A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.218nC @ 32.5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 29pF @ 32.5V

Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 40V 3.8A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: - Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 39pF @ 20V

TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE