Дискретные компоненты, силовые модули (EPC2014C - EPC8009)

add_shopping_cart Наименование
Производитель
Купить Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб.* Наличие* Купить
compare

EPC2014C
EPC2014C
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1919165 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор
EPC2014C
-
Поиск
предложений
compare

EPC2015
EPC2015
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371545 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 40V 33A
EPC2015
-
Поиск
предложений
compare

EPC2015C
EPC2015C
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2178179 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор
EPC2015C
-
Поиск
предложений
compare

EPC2016
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371546 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
eGaN (Нитрид Галлия) FET транзистор 100V 11A
EPC2016
-
Поиск
предложений
compare

EPC2016C
EPC2016C
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2200749 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE
EPC2016C
-
Поиск
предложений
compare

EPC2018
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095695 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 150V 12A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 540pF @ 100V
EPC2018
-
Поиск
предложений
compare

EPC2019
EPC2019
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095696 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Cиловой нитрид-галлиевый транзистор, N-Channel 200V 8.5A (Ta) Surface Mount Die
EPC2019
-
Поиск
предложений
compare

EPC2020ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904823 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 60V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 31A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 16mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1800pF @ 30V
EPC2020ENG
-
Поиск
предложений
compare

EPC2021ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904818 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 80V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 29A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 14mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1700pF @ 40V
EPC2021ENG
-
Поиск
предложений
compare

EPC2022
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2739986 ИНФО AN RD
Поиск
предложений
VDS, 100 V RDS(on), 3.2 m? ID, 90 A Pulsed ID, 390 A TJ150°C RoHS 6/6, Halogen Free
EPC2022
-
Поиск
предложений
compare

EPC2022ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904821 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 100V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 25A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 12mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1500pF @ 50V
EPC2022ENG
-
Поиск
предложений
compare

EPC2023ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904820 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 30V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 mOhm @ 40A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 20mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2300pF @ 15V
EPC2023ENG
-
Поиск
предложений
compare

EPC2024ENG
EPC2024ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095697 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 40V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 mOhm @ 37A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 19mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2100pF @ 20V
EPC2024ENG
-
Поиск
предложений
compare

EPC2025ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095698 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 300V 4A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 300V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 3A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 194pF @ 240V
EPC2025ENGR
-
Поиск
предложений
compare

EPC2027ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095699 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 450V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 2.5A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 600µA Gate Charge (Qg) @ Vgs 1.7nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 180pF @ 360V
EPC2027ENGR
-
Поиск
предложений
compare

EPC2029
EPC2029
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2200742 ИНФО
Поиск
предложений
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
EPC2029
-
Поиск
предложений
compare

EPC2031ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095700 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Полумостовая несиметричная сборка GaNFET транзисторов V DS , 30 V R DS(ON) , 8 m? (Q1, Control FET), 2 m? (Q2, Sync FET) I D , 10 A (Q1), 40 A (Q2) Pulsed I D , 100 A (Q1), 400 A (Q2) RoHS 6/6, Halogen Free
EPC2031ENGR
-
Поиск
предложений
compare

EPC2032
EPC2032
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2200752 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
EPC2032
-
Поиск
предложений
compare

EPC2033ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095701 ИНФО PDF
Поиск
предложений
Максимальное напряжение сток-исток: 150 В Предельный диапазон напряжений затвор-исток: -4...6 В Постоянный ток стока: до 31 А Максимальный импульсный ток: 260 А Типовое сопротивление открытого канала: 5 мОм Пороговое напряжение включения затвор-исток: 0,8...2,5 В Максимальный входной ток затвора: 8 мА (Uзи 5 В)
EPC2033ENGR
-
Поиск
предложений
compare

EPC2034ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095702 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В Предельный диапазон напряжений затвор-исток: -4...6 В Постоянный ток стока: до 31 А Максимальный импульсный ток: 140 А Типовое сопротивление открытого канала: 7 мОм Пороговое напряжение включения затвор-исток: 0,8...2,5 В Максимальный входной ток затвора: 7 мА (Uзи 5 В)
EPC2034ENGR
-
Поиск
предложений
compare

EPC2035
EPC2035
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2200735 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
EPC2035
-
Поиск
предложений
compare

EPC2036
EPC2036
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2200747 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
100 В транзистор EPC2036 с сопротивлением открытого канала 65 мОм. 
EPC2036
-
Поиск
предложений
compare

EPC2045ENGRCT
EPC2045ENGRCT
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2286524 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Силовой ключ с рейтингом напряжения 100 В и сопротивлением канала 7 мОм
EPC2045ENGRCT
-
Поиск
предложений
compare

EPC2045ENGRTR
EPC2045ENGRTR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2286525 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Силовой ключ с рейтингом напряжения 100 В и сопротивлением канала 7 мОм
EPC2045ENGRTR
-
Поиск
предложений
compare

EPC2047ENGRCT
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2286526 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Танзистор с рекордным значением сопротивления канала 10 мОм, предназначенный для коммутации напряжений до 200 В
EPC2047ENGRCT
-
Поиск
предложений
compare

EPC2047ENGRTR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2286527 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Танзистор с рекордным значением сопротивления канала 10 мОм, предназначенный для коммутации напряжений до 200 В
EPC2047ENGRTR
-
Поиск
предложений
compare

EPC2101ENG
EPC2101ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1905241 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Полумостовая несиметричная сборка GaNFET транзисторов V DS , 60 V R DS(ON) , 11.5 m? (Q1, Control FET), 2.7 m? (Q2, Sync FET) I D , 9.5 A (Q1), 38 A (Q2) Pulsed I D , 80 A (Q1), 350 A (Q2) RoHS 6/6, Halogen Free
EPC2101ENG
-
Поиск
предложений
compare

EPC2102ENG
EPC2102ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095703 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
Полумостовая симетричная сборка GaNFET транзисторов Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 mOhm @ 20A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA Gate Charge (Qg) @ Vgs 6.8nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 830pF @ 30V
EPC2102ENG
-
Поиск
предложений
compare

EPC2103ENGRT
EPC2103ENGRT
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1905244 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Полумостовая симетричная сборка GaNFET транзисторов Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 20A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA Gate Charge (Qg) @ Vgs 6.5nC @ 5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 760pF @ 40V
EPC2103ENGRT
-
Поиск
предложений
compare

EPC2105ENG
EPC2105ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095704 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Полумостовая несиметричная сборка GaNFET транзисторов 97% System Efficiency at 22 A 48 Vin to 12 Vout, 300 kHz
EPC2105ENG
-
Поиск
предложений
compare

EPC2106ENGRT
EPC2106ENGRT
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2200746 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
EPC2106ENGRT
-
Поиск
предложений
compare

EPC2107ENGRT
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095705 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Транзисторная сборка состоит из трех транзисторов: Q1 и Q2 объединены в полумост, а Q3 является независимым. Полумост из Q1 и Q2 - основной элемент усилителя класса D. Для управления этими транзисторами используется драйвер LM5113TM от Texas Instruments. При этом для создания синхронной бутстрепной схемы применяется транзистор Q3 той же сборки EPC2107.
EPC2107ENGRT
-
Поиск
предложений
compare

EPC2108ENGRT
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095706 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
Транзисторная eGaN-сборка с рабочим напряжением 60 В предназначена для полумостовых преобразователей напряжения. Сопротивление управляющего и синхр. транзистора 150 мОм, Bootstrap-транзистора 2,1 Ом.
EPC2108ENGRT
-
Поиск
предложений
compare

EPC2110ENGRT
EPC2110ENGRT
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2200753 ИНФО PDF RD
Поиск
предложений
TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
EPC2110ENGRT
-
Поиск
предложений
compare

EPC2206
EPC2206
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3086919 ИНФО AN
Поиск
предложений
Automotive 80 V, 390 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC2206
-
Поиск
предложений
compare

EPC8002ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095707 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 65V 2A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: - Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 21pF @ 32.5V
EPC8002ENGR
-
Поиск
предложений
compare

EPC8004ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1371549 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 40V 4.4A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: - Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 45pF @ 20V
EPC8004ENGR
-
Поиск
предложений
compare

EPC8005ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095708 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 65V 2.9A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.218nC @ 32.5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 29pF @ 32.5V
EPC8005ENGR
-
Поиск
предложений
compare

EPC8007ENGR
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 3095709 ИНФО PDF AN
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 40V 3.8A (Ta). Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) @ Vgs: - Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 39pF @ 20V
EPC8007ENGR
-
Поиск
предложений
compare

EPC8009
EPC8009
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 2200736 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
EPC8009
-
Поиск
предложений
*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()