Аналоговые интегральные микросхемы (100X01R4 - 78F04T)

Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение: -1,4 В.

Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение:-2,0 В.

Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В.  Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT подается отрицательное напряжение. Выход встроенного инверсного преобразователя -4,3 В (NTP). Пороговое напряжение: -2,6 В.

WS2811 LED DRIVER CHIP - 10 PACK

DC/DC CONV, BUCK, 1MHZ, BQFN-41

DC/DC CONV, SYNC BUCK, 3A, 85DEG C

DC/DC CONV, BUCK, 812KHZ, TO-263-7

IGBT DRIVER, HIGH SIDE, SOIC-20

IGBT DRIVER, HIGH SIDE, -40 TO 125DEG C

IGBT DRIVER, HIGH SIDE, -40 TO 125DEG C

IGBT DRIVER, HIGH SIDE, -40 TO 125DEG C

GATE DRIVER IC, 1-CH, 3V-15V, 9.8A, DSO

GATE DRIVER IC, 1-CH, 3V-15V, 9.8A, DSO

IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C

MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C

MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C

IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 4.4A, DSO-8

IGBT DRIVER, -40 TO 150DEG C

IGBT DRIVER, INV/NON-INV, 6.2A, DSO-8

Isolated Gate Driver IC, EiceDRIVER™ Compact - high voltage, high speed driver ICs for MOSFETs with CT technology are ideal for all topologies u…

IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C

MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C

IGBT DRIVER, -40 TO 125DEG C

Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). На входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -1,4 В.

Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). Напряжение на входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -2,0 В.

Контроллеры Ga-N транзисторов с напряжением питания до 80 В; формирование выходного напряжения затвора GaN от -6 до 0 В. Выходы PGA (для ШИМ) и FGA (для постоянного смещения). На вход POT следует подавать положительное напряжение, для этого удобно использовать выход встроенного преобразователя +4,3 В (PTP). Напряжение на входе POT дополнительно инвертируется. Пороговое напряжение: -2,6 В.

MOSFET DRIVER, -40 TO 125DEG C

MOSFET DRIVER, -40 TO 85DEG C

IGBT GATE DRIVER, FULL BRIDGE, TSSOP

IGBT DRIVER, -40 TO 125 DEG C

74HC CMOS, SMD, 74HC4053, SOIC16

Стабилизатор напряжения 12 В в корпусе TO-220 с тремя выводами

SWITCH SLIDE DIP DPST 150MA 30V