Сервера

В статье анализируется потенциал силовых GaN-устройств и важность использования драйверов для GaN-ключей, проводится сравнение характеристик нитрид-галлиевых транзисторов и MOSFET, а также кратко рассматриваются методы уменьшения влияния шумов, возникающих в цепи затвора.

Интерес к Интернету вещей (Internet of Things, IoT) постоянно растет. Однако главным фактором, сдерживающим распространение этой технологии, остается сложность ее реализации. Это касается как аппаратной, так и программной части. Тем не менее, существует возможность обойти эти проблемы за счет использования готовых решений, таких, например, как миниатюрные веб-серверы xPico от Lantronix. Совсем недавно компания выпустила новый модуль xPico 110, который отличается от предшественника более высоким уровнем защиты данных и предполагает прямой SMD-монтаж на материнскую плату.

Американская премия Golden Mousetrap Awards вручается за создание наиболее перспективных технологий и компонентов в области электроники. В прошлом году одним из финалистов премии стало семейство модульных источников питания NDM3Z-90 от CUI. Такое внимание со стороны жюри из профессиональных электронщиков не случайно, ведь NDM3Z-90 являются первыми программируемыми DC/DC-преобразователями с цифровым управлением и выходным током 90 А.

Долгое время распространение нитрид-галлиевых транзисторов ограничивалось из-за различных технологических проблем. К счастью большая часть этих проблем осталась в прошлом, и на рынке появилось множество конкурентоспособных GaN-ключей. Более того, начали появляться и интегральные GaN-микросхемы, которые объединяют в одном корпусе нитрид-галлиевый транзистор, драйвер и управляющую логику. Примером таких ИС являются NV6113/15/17 от компании Navitas Semiconductor.

Данный цикл статей посвящен вопросам создания источников питания на базе нитрид-галлиевых транзисторов и модулей. В статье кратко рассматриваются преимущества использования eGaN-транзисторов EPC2045 и модулей EPC9205 при построении POL-источников питания 48/12 В.

Компания Lantroniх выпустила серию сетевых модулей xPico. Будучи очень компактными (меньше флеш-карты!), это самые маленькие веб-серверы в мире, поддерживающие все основные протоколы для обмена информацией через веб-интерфейс или консоль.

Силовые GaN-транзисторы, входящие в состав семейства LMG3410x, часто называются транзисторами с повышенной подвижностью электронов. Скорость переключений этих транзисторов очень высока и может задаваться в диапазоне от 30 В до 100 В/ нс при рабочих напряжениях 380 В...480 В. При таких скоростях переключений разработчики должны уделять повышенное внимание компоновке и трассировке печатной платы.

Расчет тепловых характеристик является весьма важным при решении задач с применением любых силовых электронных преобразователей. Оптимизированный тепловой расчет позволяет инженерам использовать компоненты на основе нитрида галлия (GaN) в широком диапазоне уровней мощности, топологий и областей применения. Давайте рассмотрим наиболее важные расчеты и компромиссы для семейства LMG341XRxxx GaN производства Texas Instruments, а также рекомендации по компоновке печатной платы, тепловому интерфейсу, выбору радиатора и методам монтажа. Также будут приведены примеры конструкций с использованием изделий на основе GaN на 50 и 70 мОм.

Растущий рынок вычислительной техники и телекоммуникаций требует все более компактных решений с высокими показателями КПД и плотности мощности для промежуточных шинных преобразователей. Замечательным вариантом для таких задач является резонансный LLC-конвертер. По сравнению с кремниевыми полевыми транзисторами, полевые транзисторы eGaN с их сверхнизким сопротивлением и малыми паразитными емкостями выгодны для применения в резонансных LLC-преобразователях благодаря малому уровню потерь.

Данный цикл статей посвящен вопросам создания источников питания на базе нитрид-галлиевых транзисторов и модулей. В данной статье кратко рассматриваются преимущества использования eGaN-транзисторов EPC2111 и модулей EPC9204 на примере создания DC/DC-преобразователя 12/1 В.

Распространение нитрид-галлиевых транзисторов ограничивалось из-за различных проблем, главная из которых заключалась в необходимости согласования тепловых характеристик материалов в технологии «нитрид галлия на кремнии». Успешное решение повлекло за собой появление на рынке множества конкурентоспособных GaN-ключей. Появились и интегральные GaN-микросхемы, которые объединяют в одном корпусе нитрид-галлиевый транзистор, драйвер и управляющую логику. Примером таких ИС являются NV6113/15/17 от компании Navitas Semiconductor.

Сравнение позиций

  • ()