Компактный одноканальный изолированный драйвер затвора карбид-кремниевых (SiC) полевых транзисторов и IGBT-транзисторов для применения в ИБП и инверторах(TIDA-01160)

Данный проект драйвера затвора карбид-кремниевых (SiC) полевых транзисторов и IGBT-транзисторов представляет собой базовое решение, способное управлять звеньями питания в составе ИБП, инверторов переменного тока и зарядных станций для электромобилей. Данный проект от компании TI базируется на использовании драйверов затвора серии UCC53xx от компании TI с базовым рейтингом изоляции и способен управлять полевыми транзисторами верхнего и нижнего плеча. Данный проект включает в себя встроенный компактный изолированный понижающий вспомогательный источник питания мощностью 1,5 Вт, предназначенный для питания входа и выхода драйвера затвора. Благодаря объединению изолированного драйвера затвора и источника питания изолированного драйвера затвора на компактной печатной плате с габаритами 33 мм x 23 мм в данном проекте представлено полностью протестированное, надёжное, автономное решение одноканального драйвера, характеризущееся простотой в отладке и невосприимчивостью к синфазным переходным процессам (Common Mode Transient Immunity, CMTI) на уровне свыше 100 кВ/мкс.

Базовый проект имеет характер аппаратного решения.

Возможности

  • Подходит для управления звеньями питания в составе однофазных и трёхфазных инверторов, а также средне- и высоковольтных преобразователей питания, рассчитанных на переменное напряжение с диапазоном от 100 В до 230 В
  • Выходной и входной токи драйвера со значениями 0,5 А / 2 А / 6 А / 10 А обеспечивают управление кремниевыми / карбид-кремниевыми (SiC) полевыми транзисторами и IGBT-транзисторами с токами до 100 А и рабочими значениями частот переключения до 500 кГц
  • Обеспечивает защиту от ложных включений / выключений полевых / IGBT-транзисторов при последовательных включении и выключении системы
  • Рейтинги изоляции на уровнях 4000 В (пиковое значение напряжения) и 2500 В (среднеквадратичное значение напряжения)
  • Протестированное решение драйввера, обеспечивающее крайне высокий (свыше 100 кВ/мкс) уровень невосприимчивости к синфазным переходным процессам (Common Mode Transient Immunity, CMTI)
  • Встроенный бюджетный, компактный изолированный источник питания с малым общим количеством использованных в нём компонентов, предназначенный для питания высоковольтной части схемы с отрицательным напряжением смещения с целью снижения уровня восприимчивости к шумам

Файлы

Схемы и диаграммы

Быстро получите общее представление о схемотехнике решения

Тесты и Инструкции

Протестируйте плату по готовым тестам

Печатные платы и ПО

Ускорьте разработку по готовому дизайну

Спецификация (BOM)

Загрузите полный список требуемых компонентов.

Компактный одноканальный изолированный драйвер затвора карбид-кремниевых (SiC) полевых транзисторов и IGBT-транзисторов для применения в ИБП и инверторах TIDA-01160

Используемые компоненты

Производитель: Texas Instruments
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
UCC5320ECD
UCC5320ECD
Texas Instruments
Арт.: 2537452 PDF AN RD DT
Поиск
предложений
MOSFET/IGBT DRIVER, HIGH/LOW SIDE, NSOIC
UCC5320ECD
-
Поиск
предложений
UCC5320ECDR
UCC5320ECDR
Texas Instruments
Арт.: 2537453 PDF AN RD DT
Поиск
предложений
UCC5320ECDR
-
Поиск
предложений
UCC5320SCD
UCC5320SCD
Texas Instruments
Арт.: 2537454 PDF AN RD DT
Поиск
предложений
MOSFET/IGBT DRIVER, HIGH/LOW SIDE, NSOIC
UCC5320SCD
-
Поиск
предложений
UCC5320SCDR
UCC5320SCDR
Texas Instruments
Арт.: 2537455 PDF AN RD DT
Поиск
предложений
UCC5320SCDR
-
Поиск
предложений
UCC5320SCEVM-058
UCC5320SCEVM-058
Texas Instruments
Арт.: 2543128 ИНФО AN RD
Поиск
предложений
UCC5320SC Isolated Gate Driver Evaluation Module
UCC5320SCEVM-058
-
Поиск
предложений

Сравнение позиций

  • ()