EPC9203: 20A, 0 ~ 60V, Half H-Bridge Driver(EPC9203)

This development board, measuring 11mm x 12mm, contains two enhancement mode (eGaN®) field effect transistors (FETs) arranged in a half bridge configuration with an onboard Texas Instruments LM5113 gate drive.

The purpose of these development boards is to simplify the evaluation process by optimizing the layout and including all the critical components on a single board that can be easily connected into any existing converter.

A complete block diagram of the circuit is given in Figure 1.

Файлы

Тесты и Инструкции

Протестируйте плату по готовым тестам

Печатные платы и ПО

Ускорьте разработку по готовому дизайну

Спецификация (BOM)

Загрузите полный список требуемых компонентов.

EPC9203: 20A, 0 ~ 60V, Half H-Bridge Driver EPC9203

Используемые компоненты

Производитель: Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Наименование
Производитель
Описание Корпус/
Изображение
Цена, руб. Наличие
EPC2021ENG
Efficient Power Conversion (EPC) Corporation
Арт.: 1904818 ИНФО PDF AN RD
Поиск
предложений
Транзистор GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 80V 60A Параметры: Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 29A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 14mA Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1700pF @ 40V
EPC2021ENG
-
Поиск
предложений

Сравнение позиций

  • ()