FF200R12KT4HOSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование FF200R12KT4HOSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 794989
RND Рекомендуется для новых разработок
Корпус
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces
Ток
Количество ключей
Рассеиваемая мощность Pd
Полярность
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)
Максимальная рабочая температура
Сравнить В избранное
IGBT MODULE, DUAL NPN, 1.75V, 320A
Transistor PolarityDual NPN
DC Collector Current320A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd1.1kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
MSLMSL 1 - Unlimited
Operating Temperature Min-40°C
SKM200GB12T4 (SMK)
от 7890,00 Склад (1-2 дн)

IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 313A

До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из-за чего возросли требования к аппаратуре, управляющей электрическими параметрами гальваники. К счастью, одновременно появилась элементная база, отвечающая новым требованиям, в частности – IGBT-модули Infineon.

В НАЛИЧИИ 48шт.
от 10995,00 от 2 шт. 10170,00 от 5 шт. 9660,00
Расчет доставки...

Сравнение позиций

  • ()