FF150R12RT4HOSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование FF150R12RT4HOSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 794977
RND Рекомендуется для новых разработок
Корпус
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces
Ток
Количество ключей
Рассеиваемая мощность Pd
Полярность
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)
Максимальная рабочая температура
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам
Производитель: INFIN
Даташит для FF150R12RT4HOSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
SKM150GB12T4 (SMK)
от 4970,00 Склад (1-2 дн)

IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 232A

До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из-за чего возросли требования к аппаратуре, управляющей электрическими параметрами гальваники. К счастью, одновременно появилась элементная база, отвечающая новым требованиям, в частности – IGBT-модули Infineon.

В НАЛИЧИИ 151шт.
от 7080,00 от 2 шт. 6370,00 от 3 шт. 5900,00 от 7 шт. 5600,00
Расчет доставки...

Сравнение позиций

  • ()