FF300R12KE4HOSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование FF300R12KE4HOSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 555599
RND Рекомендуется для новых разработок
Корпус
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces
Ток
Количество ключей
Рассеиваемая мощность Pd
Полярность
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)
Максимальная рабочая температура
Сравнить В избранное
IGBT MODULE, DUAL NPN, 1.75V, 460A
Transistor PolarityDual NPN
DC Collector Current460A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd1.6kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
MSLMSL 1 - Unlimited
Operating Temperature Min-40°C
SKM300GB12E4 (SMK)
от 17685,00 Склад (1-2 дн)

IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 422A

FF300R12KE4EHOSA1 (INFIN)
Доступно 70 шт. (под заказ)

IGBT Modules up to 1200V, Our well-known 62 mm C-series 1200V 3-level IGBT modules with Emitter Controlled HE diode and fast trench/fieldstop IGBT…

До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из-за чего возросли требования к аппаратуре, управляющей электрическими параметрами гальваники. К счастью, одновременно появилась элементная база, отвечающая новым требованиям, в частности – IGBT-модули Infineon.

В НАЛИЧИИ 10шт.
от 13380,00 от 2 шт. 12390,00 от 5 шт. 11775,00
Расчет доставки...

Сравнение позиций

  • ()