FF300R12KE4HOSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование FF300R12KE4HOSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 555599
RND Рекомендуется для новых разработок
Корпус
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces
Ток
Количество ключей
Рассеиваемая мощность Pd
Полярность
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)
Максимальная рабочая температура
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам

FF300R12KE4HOSA1 - IGBT MODULE, DUAL NPN, 1.75V, 460A.

  • Transistor Polarity: Dual NPN;
  • DC Collector Current:460A;
  • Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V;
  • Power Dissipation Pd:1.6kW;
  • Сollector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV;
  • Transistor Case Style: Module;
  • No. of Pins:7Pins;
  • Operating Temperature Max:150°C;
  • Product Range: -;
  • SVHC: No SVHC (17-Dec-2015);
  • MSL: MSL 1 - Unlimited;
  • Operating Temperature Min:-40°C.
SKM300GB12E4 (SMK)
от 12590,00 Склад (1-2 дн)

IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 422A

FF300R12KE4EHOSA1 (INFIN)
Доступно 21 шт. (под заказ)

IGBT Modules up to 1200V, Our well-known 62 mm C-series 1200V 3-level IGBT modules with Emitter Controlled HE diode and fast trench/fieldstop IGBT…

До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из-за чего возросли требования к аппаратуре, управляющей электрическими параметрами гальваники. К счастью, одновременно появилась элементная база, отвечающая новым требованиям, в частности – IGBT-модули Infineon.

Сравнение позиций

  • ()