FF300R12KE3HOSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование FF300R12KE3HOSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 543334
Корпус
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces
Ток
Количество ключей
Product Range
Рассеиваемая мощность Pd
Полярность
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)
Максимальная рабочая температура
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам
SKM400GB126D (SMK)
от 8090,00 Склад (1-2 дн)

IGBT MODULE, DUAL, 1200V; Transistor Type:IGBT Module; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:260A; Voltage, Vce Sat Max:1.2V; Case Style:SEMITRANS 3; Termination Type:Screw; Centres, Fixing:93mm; Current, Ic Continuous b Max:190A; Current, Ic av:260A; Current, Icm Pulsed:200A; Depth, External:61.4mm; Diameter, Fixing Hole:5.4mm; Marking, SMD:SEMITRANS 3; Temperature, Current:25°C; Time, Rise:40ns; Transistors, No.…

До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из-за чего возросли требования к аппаратуре, управляющей электрическими параметрами гальваники. К счастью, одновременно появилась элементная база, отвечающая новым требованиям, в частности – IGBT-модули Infineon.

В НАЛИЧИИ 19шт.
от 10080,00 от 2 шт. 9330,00 от 4 шт. 8860,00
Расчет доставки...

Сравнение позиций

  • ()