E52435A52C (Elmos Semiconductor AG)

Наименование E52435A52C
Производитель Elmos Semiconductor AG(ELMOS)
Артикул 3036117
Сравнить В избранное

E52435A52C - Ультразвуковые бестрансформаторные датчики 2-го поколения E524.32/33/34/35 имеют ту же бестрансформаторную схему включения и корпусное исполнение, что и у предшественников (рис. 1).

Типовые схемы включения ультразвуковых бестрансформаторных датчиков 2-го поколения E524.32/33

Рис. 1. Типовые схемы включения ультразвуковых бестрансформаторных датчиков 2-го поколения E524.32/33

Все перечисленные выше трансформаторные и бестрансформаторные сенсоры используют одно и то же сверхкомпактное корпусное исполнение QFN20L4 и практически идентичные схемы включения. В итоге с точки зрения компоновки печатной платы наблюдается минимум изменений (рис. 2).

Ультразвуковые трансформаторные датчики E524.08/09 и новые бестрансформаторные датчики E524.32/33/34/35

Рис. 2. Ультразвуковые трансформаторные датчики E524.08/09 и новые бестрансформаторные датчики E524.32/33/34/35

В то же время отсутствие трансформаторов и громоздких конденсаторов дает целый ряд преимуществ при использовании E524.32/33/34/35 (рис. 3):

  • Сокращение числа компонентов;
  • Упрощение монтажа печатной платы и переход к одностороннему размещению компонентов;
  • Упрощение топологии печатной платы;
  • Переход от четырехслойных к двухслойным ПП;
  • Снижение габаритов;
  • Сокращение стоимости.

Преимущества ультразвуковых бестрансформаторных датчиков E524.32/33/34/35

Рис. 3. Преимущества ультразвуковых бестрансформаторных датчиков E524.32/33/34/35

Первое поколение DirectDrive значительно уступало по радиусу действия трансформаторным решениям. В новых микросхемах E524.32/33/34/35 ситуация улучшилась: они способны обнаруживать стандартное препятствие (столб диаметром 75 мм) на дистанциях от 10 до 400 см (рис. 4). Таким образом, E524.32/33/34/35 превосходят не только бестрансформаторные, но и трансформаторные датчики первого поколения.

Эволюция бестрансформаторных датчиков от Elmos Semiconductor

Рис. 4. Эволюция бестрансформаторных датчиков от Elmos Semiconductor

Микросхемы E524.32/33/34/35 способны модулировать частоту ультразвука в диапазоне 30…83 кГц. В них также значительно улучшена защита от статики и от электромагнитных помех.

Для взаимодействия с датчиками используется двух- или трехпроводной интерфейс.

Пользователь может самостоятельно запрограммировать микросхемы датчиков для работы в ближнем, среднем и дальнем диапазоне. Также допускается ручная настройка пороговых значений срабатывания и коэффициента усиления.

Микросхемы E524.32/33/34/35 обеспечивают целый ряд диагностических функций: мониторинг напряжения питания, контроль температуры, обнаружение коммуникационных ошибок, измерение колебаний частоты.

Для ускоренного освоения новых датчиков разработчикам рекомендуется использовать готовые наборы:

  • K52433-0001 – референсный модуль ультразвукового датчика E3;
  • K5240x-0001 – демонстрационные наборы с фирменным программным обеспечением.

Характеристики ультразвуковых бестрансформаторных датчиков E524.32:

  • Код заказа: E52432A52C;
  • Частота звуковой модуляции: 30…83 кГц;
  • Интерфейс: 3-проводной, 5.0 В;
  • Напряжение питания (VSUP): 6…18 В;
  • Диапазон рабочих температур: -40…+85 °С;
  • Корпус: QFN20L4.

В настоящее время развитие ультразвуковых сенсоров идет по нескольким направлениям: расширение радиуса действия, уменьшение потребления, снижение габаритов, сокращение стоимости. В данной статье рассказывается о новых бестрансформаторных датчиках 2-го поколения от Elmos Semiconductor с расширенным радиусом действия.

*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()