IPN70R1K4P7SATMA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IPN70R1K4P7SATMA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2304482
Рассеиваемая мощность
Максимальная рабочая температура
Минимальная рабочая температура
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Серия
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Вgs th
Qg - Gate Charge
Channel Mode
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам
MOSFET, N-CH, 700V, 4A, 6.2W, SOT-223
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds700V
On Resistance Rds(on)1.15ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs10V
Threshold Voltage Vgs3V
Power Dissipation Pd6.2W
Transistor Case StyleSOT-223
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7 Series
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)

Сочетание высокой скорости коммутации и простоты использования делает серию МОП-транзисторов CoolMOS™ P7 производства Infineon идеальной для применения как в маломощных (бытовые приборы, ПК), так и в мощных (телекоммуникации, центры обработки данных) источниках питания.

Сравнение позиций

  • ()