FF600R12KE4BOSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование FF600R12KE4BOSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2286914
Корпус
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces
Ток
Количество ключей
Product Range
Полярность
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)
Максимальная рабочая температура
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам

FF600R12KE4BOSA1 -  IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 600A Chassis Mount Module.

  • Categories: Transistors - IGBTs - Modules
  • Manufacturer:Infineon Technologies
  • Series:C
  • Part Status: Active
  • IGBT Type: Trench Field Stop
  • Configuration: Half Bridge
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200V
  • Current - Collector (Ic) (Max): 600A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
  • Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
  • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38nF @ 25V
  • Input: Standard
  • NTC Thermistor: No
  • Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
  • Mounting Type: Chassis Mount
  • Package/ Case: Module
  • Supplier Device Package: Module

До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из-за чего возросли требования к аппаратуре, управляющей электрическими параметрами гальваники. К счастью, одновременно появилась элементная база, отвечающая новым требованиям, в частности – IGBT-модули Infineon.

В НАЛИЧИИ 12шт.
от 16550,00 от 3 шт. 15720,00
Расчет доставки...

Сравнение позиций

  • ()