1EDN7512GXTMA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование 1EDN7512GXTMA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2265379
RND Рекомендуется для новых разработок
Макс. выходной ток нарастания
Макс. выходной ток спада
Макс. напряжение смещения
Кол-во нижних каналов
Корпус
Тмакс,
Тmin,
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам

EDN7512 – одноканальные драйверы с большим выходным током (+4А/-8А), малыми задержками прохождения сигнала (19 нс) и очень низким выходным внутренним сопротивлением (0.35 Ом). Логические входы драйверов 1EDN совместимы с TTL/CMOS логикой и защищены от обратного напряжения до -10 В. Выходы драйверов защищены от обратных токов с помощью встроенных диодов Шоттки. Все драйверы серии имеют защиту от пониженного напряжения (UVLO) с гистерезисом.

Новые драйверы семейства 1EDN объединяют в себе хорошую функциональность, простоту решения и весьма привлекательную цену. Кроме того, драйверы выполнены в стандартных корпусах, совместимых повыводно со многими решениями других производителей.

Применение:

  • Корректоры коэффициента мощности (PFC);
  • Схемы синхронного выпрямления на вторичной стороне трансформатора (SSR);
  • DC-DC преобразователи;
  • Промышленные источники вторичного электропитания (SMPS);
  • Системы электропривода;
  • Электроинструменты;
  • Аудио усилители класса D;
  • Беспроводные зарядные устройства.

Отличительные характеристики 1EDN7512G:

  • Topology: Low Side (Single);
  • Сhannels: 1.0;
  • Switch Type: MOSFET, IGBT, GaN;
  • Output Current (Source): 4.0 A;
  • Output Current (Sink) 8.0 A;
  • Input Vdd  min  max: 4.5 V  20.0 V; 
  • Undervoltage Lockout (UVLO) (turn-off): 3.9 V; 
  • Undervoltage Lockout (UVLO) (turn-on): 4.2 V; 
  • Turn On Propagation Delay: 19.0 ns; 
  • Turn Off Propagation Delay: 19.0 ns. 

EDN7512G – одноканальные драйверы с большим выходным током

COOLSIC™: Новая революция в области MOSFET
22/06/2017 | Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Ключи на основе карбида кремния (SiC) все чаще применяются в импульсных преобразователях и в схемах питания высокой мощности. Новейшие технологии обеспечивают повышенный КПД, более высокую частоту переключения, снижение потерь мощности и экономию места на печатной плате. Компания Infineon под лозунгом «A revolution to rely on» представила на выставке PCIM в мае 2016 года самую последнюю линейку CoolSIC™ MOSFET.

В НАЛИЧИИ 3шт.
от 57,50 от 69 шт. 49,10 от 153 шт. 44,20 от 331 шт. 40,90 от 870 шт. 38,90
Расчет доставки...

Сравнение позиций

  • ()