1EDN7512BXTSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование 1EDN7512BXTSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2265378
RND Рекомендуется для новых разработок
Макс. выходной ток нарастания
Макс. выходной ток спада
Макс. напряжение смещения
Кол-во нижних каналов
Корпус
Тмакс,
Тmin,
Конфигурация
Пиковый выходной ток
Напряжение питания Min
Напряжение питания Max
Кол-во выводов
ton (нс)
toff (нс)
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам

EDN7512 – одноканальные драйверы с большим выходным током (+4А/-8А), малыми задержками прохождения сигнала (19 нс) и очень низким выходным внутренним сопротивлением (0.35 Ом). Логические входы драйверов 1EDN совместимы с TTL/CMOS логикой и защищены от обратного напряжения до -10 В. Выходы драйверов защищены от обратных токов с помощью встроенных диодов Шоттки. Все драйверы серии имеют защиту от пониженного напряжения (UVLO) с гистерезисом.

Новые драйверы семейства 1EDN объединяют в себе хорошую функциональность, простоту решения и весьма привлекательную цену. Кроме того, драйверы выполнены в стандартных корпусах, совместимых повыводно со многими решениями других производителей.

Применение:

  • Корректоры коэффициента мощности (PFC);
  • Схемы синхронного выпрямления на вторичной стороне трансформатора (SSR);
  • DC-DC преобразователи;
  • Промышленные источники вторичного электропитания (SMPS);
  • Системы электропривода;
  • Электроинструменты;
  • Аудио усилители класса D;
  • Беспроводные зарядные устройства.

Отличительные характеристики 1EDN7512B:

  • Topology: Low Side (Single)
  • Channels: 1.0 
  • Switch Type: MOSFET, IGBT, GaN
  • Output Current (Source): 4.0 A 
  • Output Current (Sink): 8.0 A 
  • Input Vdd min, max: 4.5 V, 20.0V
  • Undervoltage Lockout (UVLO) (turn-off): 3.9 V 
  • Undervoltage Lockout (UVLO) (turn-on): 4.2 V 
  • Turn On Propagation Delay: 19.0 ns 
  • Turn Off Propagation Delay: 19.0 ns 
  • Budgetary Price ?€/1k: 0.37 

EDN7512 – одноканальные драйверы с большим выходным током

COOLSIC™: Новая революция в области MOSFET
22/06/2017 | Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Ключи на основе карбида кремния (SiC) все чаще применяются в импульсных преобразователях и в схемах питания высокой мощности. Новейшие технологии обеспечивают повышенный КПД, более высокую частоту переключения, снижение потерь мощности и экономию места на печатной плате. Компания Infineon под лозунгом «A revolution to rely on» представила на выставке PCIM в мае 2016 года самую последнюю линейку CoolSIC™ MOSFET.

В НАЛИЧИИ 711шт.
от 58,00 от 69 шт. 49,70 от 152 шт. 44,70 от 328 шт. 41,40 от 862 шт. 39,30
Расчет доставки...

Сравнение позиций

  • ()