TPH3205WSB (Transphorm)

Наименование TPH3205WSB
Производитель Transphorm(TRANSPH)
Артикул 2263119
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Сравнить В избранное

TPH3205WSB – нитрид-галлиевый (GaN) каскодный полевой транзистор в 3-выводном корпусе TO-247. Типичное сопротивление открытого канала сток-исток составляет всего 49 мОм (max. 60 мОм), а  рабочее напряжение Vdss_max транзистора 650 В. Максимальный непрерывный ток стока Id при температуре 25°С составляет 35.2 А, а импульсный на протяжении 10us – до 150 А.  Транзистор работает в широком температурном диапазонеот -55°С до + 150°С.

TPH3205WSB обеспечивают высокую эффективность благодаря меньшему заряду затвора, более высоким скоростям переключения и меньшему заряду обратного восстановления, что дает значительные преимущества по сравнению с традиционными кремниевыми транзисторами.

Транзистор TPH3205WSB. Вид сверху Каскодная структура транзистора TPH3205WSB
Рис. 1. Транзистор TPH3205WSB. Вид сверху Рис. 2. Каскодная структура транзистора TPH3205WSB

                                           

Типичные выходные характеристики TPH3205WSB при температуре 25°С  Типичные выходные характеристики TPH3205WSB при температуре 150°С
Рис. 3. Типичные выходные характеристики TPH3205WSB при температуре 25°С Рис. 4. Типичные выходные характеристики TPH3205WSB при температуре 150°С
Типичные выходные характеристики TPH3205WSB при температуре 150°С  
Рис. 5. Проходная характеристика TPH3205WSB при напряжении сток-исток 10 В  
Зависимость выходной емкости Coss и обратной переходной емкости Crss (емкости Миллера) от напряжения сток-исток Зависимость мощности рассеивания от температуры корпуса транзистора
Рис. 6. Зависимость выходной емкости Coss и обратной переходной емкости Crss (емкости Миллера) от напряжения сток-исток Рис. 7. Зависимость мощности рассеивания от температуры корпуса транзистора

Отличительные особенности:

  • простота управления – совместимость со стандартными драйверами затворов;
  • низкая проводимость и потери на переключение;
  • низкий заряд обратного восстановления (136nC) – не требуется быстро переключающийся диод;
  • типичный заряд затвора: 28nC;
  • максимальное сопротивление открытого канала сток-исток 60 мОм;
  • максимальное рабочее напряжение сток-исток (Vds): 650 В;
  • максимальный непрерывный ток стока Id при Т=25С: 35.2 А;
  • максимальный импульсный ток стока в течение 10us: 150 A;
  • максимально допустимое напряжение затвор-исток Vgs: ±18 В;
  • максимальная мощность рассеивания при температуре 25°С: 125 Вт;
  • рабочая температура корпуса Tc и перехода Tj: -55°С … +150°С;
  • повышенная эффективность за счет увеличения скорости переключений;
  • повышенная плотность мощности;
  • возможность обеспечить более эффективную топологию;
  • уменьшение стоимости BOM;
  • технология GaN соответствует JEDEC;
  • соответствие RoHS; изделие не содержит галогенов.

Применение:

  • возобновляемые источники энергии;
  • индустриальные приложения;
  • телекоммуникации и системы передачи данных;
  • серводвигатели.

Комплектация:

  1. Транзистор TPH3205WSB.

Документацию на изделие можно найти на сайте производителя.

В конце 2015 года компания Transphorm начала производство второго поколения нитрид-галлиевых транзисторов с рабочим напряжением 650 В. Эти силовые ключи выполнены по каскодной схеме. Такая конфигурация позволяет сохранять высокие значения выходной мощности и минимизировать потери на восстановление обратного диода. Преимущества транзисторов от Transphorm были неоднократно доказаны на практике. В данной статье рассказывается о демонстрационном полумостовом преобразователе TDPS3500E0E10 мощностью 3,5 кВт и рабочей частотой до 100 кГц.

Нитрид-галлиевый (GaN) каскодный полевой транзистор TPH3205WSB в трехвыводном корпусе TO-247 обеспечивает высокую эффективность благодаря меньшему заряду затвора, более высоким скоростям переключения и меньшему заряду обратного восстановления, что дает значительные преимущества по сравнению с традиционными кремниевыми транзисторами.

Компания Transform произвела настоящую революцию в схемотехнике силовых преобразовательных устройств, представив на рынке мощные каскодные GaN-транзисторы на кремниевой подложке. Это позволило начать применение мостовых схем с жесткой коммутацией, в которых уменьшено и сопротивление в открытом состоянии, и емкость затвора, а КПД достигает 99%. Вяче

Обеспечение стабильной работы параллельно включенных нитрид-галлиевых транзисторов (GaN FET) в мощных мостовых преобразователях с жесткими переключениями представляет собой достаточно сложную задачу, особенно если речь идет о выводных корпусных исполнениях. В данной статье предлагается решение проблемы параллельного включения GaN-транзисторов в мостовых преобразователях с использованием ферритовых фильтров и /или RC-демпферов и обсуждаются особенности драйверов для GaN-транзисторов.

В НАЛИЧИИ 25шт.
от 1850,00 от 2 шт. 1590,00 от 5 шт. 1430,00 от 10 шт. 1320,00 от 26 шт. 1260,00
Расчет доставки...

Сравнение позиций

  • ()