TPH3207WS (Transphorm)

Наименование TPH3207WS
Производитель Transphorm(TRANSPH)
Артикул 2119303
Рассеиваемая мощность
Максимальная рабочая температура
Минимальная рабочая температура
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Технология
Монтаж
Qg - Gate Charge
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам

Характеристики микросхемы TPH3207WS:

  • рабочее напряжение: 650 В;
  • сопротивление в открытом состоянии: 35 мОм;
  • прямой постоянный ток (25 ºС): 47 А;
  • импульсный ток: 220 А;
  • напряжение затвор-исток: ±18 В;
  • входная емкость: 2150 пФ;
  • заряд восстановления диода: 175 нКл;
  • диапазон рабочих температур: -55…150 °C;
  • корпусное исполнение: TO-247 3L.
TDTTP4000W066-KIT (TRANSPH)

4kW Totem-pole PFC GaN Evaluation Platform

Компания Transform произвела настоящую революцию в схемотехнике силовых преобразовательных устройств, представив на рынке мощные каскодные GaN-транзисторы на кремниевой подложке. Это позволило начать применение мостовых схем с жесткой коммутацией, в которых уменьшено и сопротивление в открытом состоянии, и емкость затвора, а КПД достигает 99%. Вяче

Поиск новых материалов для полупроводниковых компонентов – важная задача для современной электроники. Одним из наиболее перспективных материалов для создания силовых транзисторов является нитрид галлия. Компания Transphorm производит высоковольтные 650 В GaN-ключи, выполненные по каскодной схеме. Такая конфигурация позволяет сохранять высокие значения выходной мощности и минимизировать потери на восстановление обратного диода.

В НАЛИЧИИ 20шт.
3150,00 от 2 шт. 2700,00 от 3 шт. 2430,00 от 6 шт. 2250,00 от 16 шт. 2140,00
Расчет доставки...

Сравнение позиций

  • ()