FF650R17IE4DB2BOSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование FF650R17IE4DB2BOSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2113787
RND Рекомендуется для новых разработок
Корпус
Ток
Количество ключей
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам

FF650R17IE4DB2BOSA1 - IGBT Modules up to 1600V / 1700V, 1700V PrimePACK™2 dual IGBT module with IGBT4 and NTC.

  • Внутренняя схема: GB
  • Кол-во ключей в модуле: 2
  • Напряжение К-Э: 1700В
  • Рабочий ток при 25°C: 930А
  • Технология кристалла: IGBT4
  • особенности: IGBT MODULE VCES 1700V 650A
  • Корпус: AG-PRIME2-1
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 4,15 кВт
FF650R17IE4D_B2 (INFIN)
Доступно 2 шт. (под заказ)

IGBT, H/B NTC, 1700V, 650A, PRIMEPA

SEMIX854GB176HDS (SMK)
Доступно 7 шт. (под заказ)

IGBT: 1700 В, 830 А, Модуль, полумост

SEMiX604GB17E4s (SMK)
Доступно 8 шт. (под заказ)

До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из-за чего возросли требования к аппаратуре, управляющей электрическими параметрами гальваники. К счастью, одновременно появилась элементная база, отвечающая новым требованиям, в частности – IGBT-модули Infineon.

Требования, предъявляемые к современному электротранспорту, в частности – к трамваям и троллейбусам, постоянно растут. Особое внимание уделяется работе электротранспорта в автономном режиме при временном отключении от контактной сети питания. Кроме того, нельзя забывать о необходимости обеспече­ния малого уровня акустических шумов и выполнении требований ЭМС. В решении этих проблем большую роль играют IGBT-модули семейства PrimePACK™ производства Infineon.

В НАЛИЧИИ 3шт.
от 22380,00
Расчет доставки...

Сравнение позиций

  • ()