FF650R17IE4DB2BOSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование FF650R17IE4DB2BOSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2113787
RND Рекомендуется для новых разработок
Корпус
Ток
Количество ключей
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)
Сравнить В избранное
SEMIX854GB176HDS (SMK)
Доступно 86 шт. (под заказ)

IGBT: 1700 В, 830 А, Модуль, полумост

FF650R17IE4D_B2 (INFIN)
Доступно 6 шт. (под заказ)

IGBT, H/B NTC, 1700V, 650A, PRIMEPA

SEMiX604GB17E4s (SMK)
Доступно 48 шт. (под заказ)

До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из-за чего возросли требования к аппаратуре, управляющей электрическими параметрами гальваники. К счастью, одновременно появилась элементная база, отвечающая новым требованиям, в частности – IGBT-модули Infineon.

В НАЛИЧИИ 3шт.
от 39120,00
Расчет доставки...

Сравнение позиций

  • ()