FF300R12KT4HOSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование FF300R12KT4HOSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2113726
RND Рекомендуется для новых разработок
Корпус
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces
Ток
Количество ключей
Рассеиваемая мощность Pd
Полярность
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)
Максимальная рабочая температура
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам
IGBT MODULE, DUAL NPN, 1.75V, 450A
Transistor PolarityDual NPN
DC Collector Current450A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd1.6kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
MSLMSL 1 - Unlimited
Operating Temperature Min-40°C
SKM300GB12T4 (SMK)
от 11450,00 Склад (1-2 дн)

IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 422A

FF300R12KT4 (INFIN)
Доступно 16 шт. (под заказ)

IGBT Modules IGBT 1200V 300A

SKM300GB066D (SMK)
Доступно 18 шт. (под заказ)

IGBT MODULE, DUAL, 600V; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:340A; Voltage, Vce Sat Max:1.9V; Case Style:SEMITRANS 3; Centres, Fixing:93mm; Current, Ic Continuous b Max:240A; Current, Ic av:340A; Current, Icm Pulsed:300A; Depth, External:61.4mm; Diameter, Fixing Hole:5.4mm; Marking, SMD:SEMITRANS 3; Temperature, Current:25°C; Time, Rise:48ns; Transistors, No.…

До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из-за чего возросли требования к аппаратуре, управляющей электрическими параметрами гальваники. К счастью, одновременно появилась элементная база, отвечающая новым требованиям, в частности – IGBT-модули Infineon.

В НАЛИЧИИ 24шт.
от 8470,00 от 2 шт. 7840,00 от 5 шт. 7450,00
Расчет доставки...

Сравнение позиций

  • ()