FF225R12ME4BOSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование FF225R12ME4BOSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2113713
RND Рекомендуется для новых разработок
Корпус
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces
Ток
Количество ключей
Рассеиваемая мощность Pd
Полярность
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)
Максимальная рабочая температура
Product Range
Сравнить В избранное
SEMIX353GB126HDS (SMK)
Доступно 120 шт. (под заказ)

IGBT: 1200 В, 360 А, Модуль, полумост

SEMiX303GB12E4p (SMK)
Доступно 103 шт. (под заказ)

До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из-за чего возросли требования к аппаратуре, управляющей электрическими параметрами гальваники. К счастью, одновременно появилась элементная база, отвечающая новым требованиям, в частности – IGBT-модули Infineon.

В НАЛИЧИИ 4шт.
от 18915,00 от 2 шт. 17505,00 от 3 шт. 16635,00
Расчет доставки...

Сравнение позиций

  • ()