FF200R12KS4HOSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование FF200R12KS4HOSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2113703
RND Рекомендуется для новых разработок
Корпус
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces
Ток
Количество ключей
Product Range
Рассеиваемая мощность Pd
Полярность
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)
Максимальная рабочая температура
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам
Производитель: INFIN
Даташит для FF200R12KS4HOSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Infineon-FF200R12KS4-DS-v03_04-en_de.pdf
SKM200GB12E4 (SMK)
от 8950,00 Склад (1-2 дн)

IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 313A

SKM200GB12T4 (SMK)
от 5740,00 Склад (1-2 дн)

IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 313A

SKM200GB12V (SMK)
от 9110,00 Склад (1-2 дн)

IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 311A

SKM300GB125D (SMK)
от 8580,00 Склад (1-2 дн)

IGBT: 1200 В, 300 А, Модуль, полумост

FF200R12KS4 (INFIN)
Доступно 9 шт. (под заказ)

IGBT Modules 1200V 200A DUAL

До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из-за чего возросли требования к аппаратуре, управляющей электрическими параметрами гальваники. К счастью, одновременно появилась элементная база, отвечающая новым требованиям, в частности – IGBT-модули Infineon.

В НАЛИЧИИ 21шт.
от 11500,00 от 2 шт. 10650,00 от 4 шт. 10120,00
Расчет доставки...

Сравнение позиций

  • ()