FF200R12KE3HOSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование FF200R12KE3HOSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2113701
RND Рекомендуется для новых разработок
Корпус
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces
Ток
Количество ключей
Рассеиваемая мощность Pd
Полярность
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)
Максимальная рабочая температура
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам
SKM200GB126D (SMK)
от 8310,00 Склад (1-2 дн)

IGBT MODULE, DUAL, 1200V; Transistor Type:IGBT Module; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:260A; Voltage, Vce Sat Max:2.15V; Case Style:SEMITRANS 3; Termination Type:Screw; Centres, Fixing:93mm; Current, Ic Continuous b Max:190A; Current, Ic av:260A; Current, Icm Pulsed:200A; Depth, External:61.4mm; Diameter, Fixing Hole:5.4mm; Marking, SMD:SEMITRANS 3; Power, Pd:220W; Temperature, Current:25°C; Time, Rise:40ns; Transistors, No.…

SKM200GB12T4 (SMK)
от 7460,00 Склад (1-2 дн)

IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 313A

До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из-за чего возросли требования к аппаратуре, управляющей электрическими параметрами гальваники. К счастью, одновременно появилась элементная база, отвечающая новым требованиям, в частности – IGBT-модули Infineon.

Сравнение позиций

  • ()