FF200R12KE3HOSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование FF200R12KE3HOSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2113701
RND Рекомендуется для новых разработок
Корпус
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces
Ток
Количество ключей
Рассеиваемая мощность Pd
Полярность
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)
Максимальная рабочая температура
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам
Производитель: INFIN
Даташит для FF200R12KE3HOSA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Infineon-FF200R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf
SKM200GB126D (SMK)
от 10200,00 Склад (1-2 дн)

IGBT MODULE, DUAL, 1200V; Transistor Type:IGBT Module; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:260A; Voltage, Vce Sat Max:2.15V; Case Style:SEMITRANS 3; Termination Type:Screw; Centres, Fixing:93mm; Current, Ic Continuous b Max:190A; Current, Ic av:260A; Current, Icm Pulsed:200A; Depth, External:61.4mm; Diameter, Fixing Hole:5.4mm; Marking, SMD:SEMITRANS 3; Power, Pd:220W; Temperature, Current:25°C; Time, Rise:40ns; Transistors, No.…

SKM200GB12E4 (SMK)
от 8950,00 Склад (1-2 дн)

IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 313A

SKM200GB12T4 (SMK)
от 5740,00 Склад (1-2 дн)

IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 313A

FF200R12KE3 (INFIN)
Доступно 3 шт. (под заказ)

IGBT Modules 1200V 200A DUAL

SKM300GB126D (SMK)
Доступно 123 шт. (под заказ)

IGBT MODULE, DUAL, 1200V; Transistor Type:IGBT Module; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:310A; Voltage, Vce Sat Max:2.15V; Case Style:SEMITRANS 3; Termination Type:Screw; Centres, Fixing:93mm; Current, Ic Continuous b Max:200A; Current, Ic av:310A; Current, Icm Pulsed:400A; Depth, External:61.4mm; Diameter, Fixing Hole:5.4mm; Marking, SMD:SEMITRANS 3; Temperature, Current:25°C; Time, Rise:110ns; Transistors, No.…

До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из-за чего возросли требования к аппаратуре, управляющей электрическими параметрами гальваники. К счастью, одновременно появилась элементная база, отвечающая новым требованиям, в частности – IGBT-модули Infineon.

Сравнение позиций

  • ()