FF200R06KE3HOSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование FF200R06KE3HOSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2113700
RND Рекомендуется для новых разработок
Корпус
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces
Ток
Количество ключей
Рассеиваемая мощность Pd
Полярность
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)
Максимальная рабочая температура
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам
FF200R06KE3 (INFIN)
Доступно 24 шт. (под заказ)

IGBT Modules N-CH 600V 260A

SKM195GB066D (SMK)
Доступно 28 шт. (под заказ)

IGBT MODULE, DUAL, 600V; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:220A; Voltage, Vce Sat Max:1.9V; Case Style:SEMITRANS 2; Termination Type:Screw; Centres, Fixing:80mm; Current, Ic Continuous b Max:160A; Current, Ic av:220A; Current, Icm Pulsed:190A; Depth, External:35mm; Diameter, Fixing Hole:6.4mm; Marking, SMD:SEMITRANS 2; Temperature, Current:25°C; Time, Rise:49ns; Transistors, No.…

До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из-за чего возросли требования к аппаратуре, управляющей электрическими параметрами гальваники. К счастью, одновременно появилась элементная база, отвечающая новым требованиям, в частности – IGBT-модули Infineon.

В НАЛИЧИИ 9шт.
от 7150,00 от 2 шт. 6440,00 от 3 шт. 5960,00 от 6 шт. 5660,00
Расчет доставки...

Сравнение позиций

  • ()