FF150R12KT3GHOSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование FF150R12KT3GHOSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2113694
RND Рекомендуется для новых разработок
Корпус
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces
Ток
Количество ключей
Product Range
Рассеиваемая мощность Pd
Полярность
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)
Максимальная рабочая температура
Сравнить В избранное
SKM150GB12T4G (SMK)
от 8110,00 Склад (1-2 дн)

IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 223A

FF150R12KT3G (INFIN)
Доступно 5 шт. (под заказ)

IGBT Modules N-CH 1.2KV 225A

До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из-за чего возросли требования к аппаратуре, управляющей электрическими параметрами гальваники. К счастью, одновременно появилась элементная база, отвечающая новым требованиям, в частности – IGBT-модули Infineon.

Сравнение позиций

  • ()