FF150R12KS4HOSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование FF150R12KS4HOSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2113693
RND Рекомендуется для новых разработок
Корпус
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Uces
Ток
Количество ключей
Product Range
Рассеиваемая мощность Pd
Полярность
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)
Максимальная рабочая температура
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам
TRANSISTOR, IGBT MODULES; SVHC:No SVHC (12-Jan-2017); MSL:MSL 1 - Unlimited
SKM150GB12T4 (SMK)
от 4970,00 Склад (1-2 дн)

IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 232A

SKM200GB125D (SMK)
от 7040,00 Склад (1-2 дн)

IGBT: 1200 В, 200 А, Модуль, полумост

До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из-за чего возросли требования к аппаратуре, управляющей электрическими параметрами гальваники. К счастью, одновременно появилась элементная база, отвечающая новым требованиям, в частности – IGBT-модули Infineon.

Сравнение позиций

  • ()