FF1200R12KE3NOSA1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование FF1200R12KE3NOSA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 2113682
RND Рекомендуется для новых разработок
Корпус
Ток
Количество ключей
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (on)
Сравнить В избранное

До сих пор во многих отраслях промышленности нанесению защитных и декоративных покрытий посредством гальваники нет альтернативы. Но XXI век предъявляет новые требования к гибкости и экологичности производства, из-за чего возросли требования к аппаратуре, управляющей электрическими параметрами гальваники. К счастью, одновременно появилась элементная база, отвечающая новым требованиям, в частности – IGBT-модули Infineon.

Разработчики драйверов управления транзисторами часто вынуждены использовать для включения резисторы увеличенного, в сравнении с предлагаемым в спецификации IGBT, номинала, чтобы понизить максимальное значение dvCE/dt, то есть замедлить скорость нарастания напряжения в процессе коммутации тока. Компания Infineon Technologies предлагает новый драйвер 1EDS20I12SV, который контролирует относительное постоянство dvCE/dt.

В НАЛИЧИИ 1шт.
40550,00
Расчет доставки...

Сравнение позиций

  • ()